公开(公告)号：KR1020170127567A

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：KR1020177030094

申请日：2016-04-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 린쥰 ,  가와구치신이치 ,  모리야슈지 ,  무라키유스케

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/78

Abstract: (과제) 게르마늄또는Ⅲ-V족의재료의표면의결함밀도를낮게하는것을목적으로한다. (해결수단) 게르마늄(Ge) 또는Ⅲ-V족의기판을처리실내의탑재대에탑재하는공정과, 황화수소(HS) 가스또는셀렌화수소(HSe) 가스와, 암모니아(NH) 가스를상기처리실내에공급하고, 상기기판위에유황(S) 또는셀렌(Se)을함유하는패시베이션막을성막하는공정을갖는패시베이션처리방법이제공된다.

Abstract translation: [问题]减少锗或III-V材料表面的缺陷密度。