公开(公告)号：KR101100466B1

公开(公告)日：2011-12-29

申请号：KR1020077023337

申请日：2006-12-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도자와시게키 ,  무라키유스케 ,  이이노다다시 ,  하야시다이스케

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/02057 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848

Abstract: 챔버의 내면 등에 불화수소가 부착되는 것을 방지할 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다.
기판(W)을 챔버 내에 수납하여 처리하는 장치에 있어서, 챔버(40) 내에 불화수소 가스를 공급하는 불화수소 가스 공급로(61)를 구비하고, 챔버(40) 내면의 일부 또는 전부는 표면 산화 처리가 실시되지 않은 Al 또는 Al 합금에 의해 형성되는 구성으로 하였다. 챔버(40)는 챔버 본체(51)의 상부 개구를 폐색하는 덮개(52)를 구비하고, 적어도 덮개(52)의 내면은 알루마이트 처리가 실시되지 않은 Al 또는 Al 합금에 의해 형성되는 구성으로 하였다.

公开(公告)号：KR1020060127239A

公开(公告)日：2006-12-11

申请号：KR1020067020163

申请日：2005-03-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아시가키시게오 ,  가토요시히로 ,  히로타요시히로 ,  무라키유스케 ,  가와사키데쓰 ,  시무라사토루

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/42 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/67051 ,  H01J2237/3342

Abstract: Disclosed is a method for processing a substrate comprising a step for sequentially forming an Si-C film and a resist film on an object film to be etched which is formed on a substrate, a first etching step for etching the Si-C film using the resist film as a mask, and a second etching step for etching the object film using the resist film and the Si-C film as a mask. This method further comprises a separation step at a desired timing wherein the resist film is separated. The separation step has a preparation sub-step for preparing an organic solvent as a remover, and an application sub-step for applying the organic solvent to the resist film.

Abstract translation: 公开了一种用于处理衬底的方法，包括在形成在衬底上的被蚀刻对象膜上依次形成Si-C膜和抗蚀剂膜的步骤，用于使用该蚀刻步骤蚀刻Si-C膜的第一蚀刻步骤 抗蚀剂膜作为掩模，以及第二蚀刻步骤，用于使用抗蚀剂膜和Si-C膜作为掩模来蚀刻物体膜。 该方法还包括分离步骤，其中所述抗蚀剂膜被分离。 分离步骤具有制备作为除去剂的有机溶剂的制备子步骤和将有机溶剂施加到抗蚀剂膜的应用子步骤。

公开(公告)号：KR100564133B1

公开(公告)日：2006-03-27

申请号：KR1020017010229

申请日：2000-12-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 호소다게이조 ,  무라키유스케 ,  사토아츠시 ,  우시카와하루노리

IPC: H01L27/04

Abstract: 실리콘으로 구성된 하부 전극(15)상에 급속 열질화에 의해 질화막(19)을 형성하고, 그 위에 산화 탄탈 유전체막(23)을 형성한다. 그 후, 습식 산화 처리를 하여 유전체막(23) 및 질화막(19)을 통하여 하부 전극을 산화시킴으로써, 하부 전극(15)과 질화막(19) 사이에 산화막(17)을 형성한다. 또한, 질화막(19)내의 질소와 결합되지 않은 실리콘을 산화시킨다. 산화막(21)의 유효 두께는 2 nm 또는 그 이상이 되도록 형성된다. 또한 산화 처리에 의해 유전체막(23)을 결정화시킨다. 마지막으로, 상부 전극(25)을 형성하여, 커패시터를 완성한다.

公开(公告)号：KR101432327B1

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：KR1020097005837

申请日：2007-12-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 무라키유스케 ,  도자와시게키

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67745 ,  H01L21/67748

Abstract: 가스 처리 장치는, 웨이퍼 (W) 를 수용하는 챔버 (40) 와, 챔버 (40) 에 대해 1 장씩 피처리체를 반송하는 반송 기구 (17) 와, 챔버 (40) 내에 웨이퍼 (W) 에 대해 가스 처리를 실시하기 위한 흡착성을 갖는 처리 가스를 공급하는 가스 공급 기구와, 1 장째의 피처리체를 상기 챔버에 반입하기 전에 상기 처리 가스를 상기 챔버에 도입시켜, 소정 시간 후에 상기 챔버 내에 1 장째의 피처리체를 반입시키도록 상기 가스 공급 기구와 상기 반송 기구를 제어하는 제어부 (90) 를 구비한다.
가스 처리 장치, 가스 공급 기구, 반송 기구, 반도체 디바이스

公开(公告)号：KR101150268B1

公开(公告)日：2012-06-12

申请号：KR1020090025765

申请日：2009-03-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다다시오니시 ,  도자와시게키 ,  무라키유스케 ,  니토다카후미

IPC: H01L21/687

Abstract: 열처리 장치에 있어서 가열 온도를 높게 하여도, 실리콘 기판 하면의 금속 오염을 충분히 억제할 수 있도록 한다.
실리콘 기판(W)을 열처리하는 열처리 장치(4)에 있어서, 실리콘 기판(W)을 탑재시켜 가열하는 탑재대(23)를 구비하고, 탑재대(23)의 상면에 실리콘, 탄화 실리콘, 질화 알루미늄 중 어느 하나로 이루어지는 커버(35)를 배치하였다. 탑재대(23)의 상면을 실리콘 등의 커버(35)로 덮는 것에 의해, 실리콘 기판(W) 하면의 금속 오염을 억제한다.

公开(公告)号：KR1020080092837A

公开(公告)日：2008-10-16

申请号：KR1020080018228

申请日：2008-02-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도자와시게키 ,  무라키유스케

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/31138 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67155

Abstract: An etching of a silicon oxide layer is provided to implement a hole with a sufficient contact between a contact material in the hole and a contact section by using gas containing HF. A target having first and second oxide layers(201,202) and a contact section(203) is prepared. The first oxide layer(201) is formed on a substrate(200) and made of a silicon oxide layer containing at least one of B and P. The second oxide layer is formed on the first oxide layer and made of a silicon oxide that does not contain B and P. The contact section is formed at a portion lower than the first and second oxide layers. The second oxide layer and the first oxide layer are etched to form a hole(204) reaching the contact section. The first oxide layer is etched by a dry process using gas containing HF to widen a hole portion at an upper of the contact section on the first oxide layer. The hole forming process is performed by a plasma etching process. The widening process is performed by a plasma-less etching process.

Abstract translation: 提供氧化硅层的蚀刻以通过使用含有HF的气体来实现在孔中的接触材料与接触部分之间具有充分接触的孔。 制备具有第一和第二氧化物层（201,202）和接触部分（203）的靶。 第一氧化物层（201）形成在基板（200）上并由含有B和P中的至少一个的氧化硅层制成。第二氧化物层形成在第一氧化物层上，由氧化硅制成 不包含B和P.接触部分形成在比第一和第二氧化物层低的部分。 蚀刻第二氧化物层和第一氧化物层以形成到达接触部分的孔（204）。 通过使用含有HF的气体的干法来蚀刻第一氧化物层，以加宽第一氧化物层上的接触部分的上部的孔部分。 孔形成工艺通过等离子体蚀刻工艺进行。 通过无等离子体蚀刻工艺进行加宽工艺。

公开(公告)号：KR1020170127567A

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：KR1020177030094

申请日：2016-04-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 린쥰 ,  가와구치신이치 ,  모리야슈지 ,  무라키유스케

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/78

Abstract: (과제) 게르마늄또는Ⅲ-V족의재료의표면의결함밀도를낮게하는것을목적으로한다. (해결수단) 게르마늄(Ge) 또는Ⅲ-V족의기판을처리실내의탑재대에탑재하는공정과, 황화수소(HS) 가스또는셀렌화수소(HSe) 가스와, 암모니아(NH) 가스를상기처리실내에공급하고, 상기기판위에유황(S) 또는셀렌(Se)을함유하는패시베이션막을성막하는공정을갖는패시베이션처리방법이제공된다.

Abstract translation: [问题]减少锗或III-V材料表面的缺陷密度。

公开(公告)号：KR1020090103782A

公开(公告)日：2009-10-01

申请号：KR1020090025765

申请日：2009-03-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다다시오니시 ,  도자와시게키 ,  무라키유스케 ,  니토다카후미

IPC: H01L21/687

CPC classification number: H01L21/67103 ,  H01L21/68757 ,  H01L21/68785

Abstract: PURPOSE: A heating treatment apparatus is provided to suppress the metal contamination of the lower-part of the silicon substrate by silicon cover. CONSTITUTION: The heating treatment apparatus heat-treats the silicon substrate. The heating treatment apparatus includes the main chuck(23), and the cover(35). The main chuck heats the silicon substrate(W). The cover is formed in the upper side of the main chuck. The cover is made of one among silicon, SiC, and aluminum-nitride. The cover is the disc shape. The cover has the diameter which is bigger than the silicon substrate of the disc shape mounted on the main chuck.

Abstract translation: 目的：提供一种加热处理装置，以通过硅覆盖来抑制硅基板的下部的金属污染。 构成：加热处理装置对硅基板进行热处理。 加热处理装置包括主夹头（23）和盖（35）。 主吸盘加热硅衬底（W）。 盖子形成在主卡盘的上侧。 盖由硅，SiC和氮化铝之一制成。 盖子是圆盘形状。 该盖的直径大于安装在主卡盘上的盘形状的硅基板。

公开(公告)号：KR1020060106730A

公开(公告)日：2006-10-12

申请号：KR1020060028187

申请日：2006-03-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키요시아키 ,  무라키유스케 ,  니시무라에이이치 ,  오노유코

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/68

Abstract: 본 발명은 예컨대 처리 종료의 기판상에 부착된 부식성 가스 등 처리 가스의 가스 성분이 반송실 등의 배기와 동시에 그대로 외부로 배출되는 것을 방지하여, 공장의 배기 설비 등의 부담을 경감하는 것을 목적으로 한다.
웨이퍼에 소정의 처리를 실시하기 위한 처리 유닛과, 이 처리 유닛에 대하여 웨이퍼를 반출입하는 반송실(200)을 구비하는 기판 처리 장치로서, 반송실(200)은 반송실(200)내로 외기를 도입하는 급기부(230)와, 급기부(230)에 대향하여 설치되어 반송실(200)내를 배기하는 배기부(250)와, 배기부(250)에 설치되어 배기에 포함되는 적어도 유해 성분을 제거하는 유해 성분 제거 필터(256)로 이루어지는 배기 필터 수단(254)을 설치했다.

Abstract translation: 本发明是为了防止例如腐蚀性气体的气体成分，附接到手柄的过程中气体结束基底，因为它是与排气一起排出到外部，如传送室，用于降低植物的这种排气设备的负担的目的 的。

公开(公告)号：KR1020010102091A

公开(公告)日：2001-11-15

申请号：KR1020017010229

申请日：2000-12-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 호소다게이조 ,  무라키유스케 ,  사토아츠시 ,  우시카와하루노리

IPC: H01L27/04

Abstract: 급속한 열의 질화는 질화막(19)을 실리콘으로 구성된 하위 전극(15)상에 형성하고, 산화 탄탈 유전체막(23) 또한 그위에 형성된다. 그후, 습식 산화가 실행되어 유전체막(23) 및 질화막(19)을 통해 하위 전극을 산화시켜, 산화막(17)은 하위 전극(15)과 질화막(19) 사이에 형성된다. 또한, 질화막(19)내의 니트로젠에 결합되어 있지 않은 실리콘은 산화되어, 산화막(21)의 효율적인 두께는 2 nm 또는 그 이상이 된다. 또한 산화는 유전체막(23)을 결정화시킨다. 마지막으로, 상위 전극(25)이 형성되어, 커패시터가 완성된다.