公开(公告)号：KR101449216B1

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：KR1020127009386

申请日：2010-09-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠

Inventor： 네이시고지 ,  고이케주니치 ,  마츠모토겐지

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/3205

CPC classification number: C23C16/40 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Cu와의 밀착성을 양호하게 하는 것이 가능한 금속 산화막의 성막 방법을 개시한다. 이 성막 방법은 하지상에 유기 금속 화합물을 포함하는 가스를 공급하고, 하지상에 금속 산화막을 성막하는 금속 산화막의 성막 방법으로서, 하지상에 유기 금속 화합물을 공급하여 하지상에 유기 산화막을 성막하고, 금속 산화막의 성막 프로세스의 마지막에, 금속 산화막을 산소 함유 가스 또는 산소 함유 플라즈마에 노출시킨다.

公开(公告)号：KR1020100109966A

公开(公告)日：2010-10-11

申请号：KR1020107018727

申请日：2009-02-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토히로시 ,  이토히토시 ,  마츠모토겐지

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/67207 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76861 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 본 발명은, 기판 표면에 형성된 층간 절연막에, 하층측 도전로에 전기적으로 접속되는 구리를 주성분으로 하는 상층측 도전로를 매립하기 위한 오목부를 형성하는 공정과, 망간의 유기 화합물을 함유하는 가스를 공급하여, 층간 절연막의 노출면을 덮도록, 상기 층간 절연막으로의 구리의 확산을 억제하기 위한 망간의 화합물로 이루어진 배리어층을 형성하는 공정과, 상기 배리어층을 형성한 후, 배리어층을 구성하는 망간의 화합물 중의 망간의 비율을 높이기 위해 그 배리어층에 유기산을 공급하는 공정과, 유기산 공급 공정후, 상기 배리어층의 표면에 구리를 주성분으로 하는 시드층을 형성하는 공정과, 시드층 형성 공정후, 배리어층의 표면 또는 층 속의 망간을 시드층의 표면에 석출시키기 위해 상기 기판을 가열 처리하는 공정과, 가열에 의해 시드층의 표면에 석출된 망간을 제거하기 위해 그 시드층에 세정액을 공급하는 공정과, 세정액 공급 공정후, 구리를 주성분으로 하는 상층측 도전로를 상기 오목부 내에 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다.

公开(公告)号：KR1020100039850A

公开(公告)日：2010-04-16

申请号：KR1020107001252

申请日：2008-08-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토겐지 ,  이토히토시

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/455 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/448 ,  C23C16/45561 ,  Y10T137/7837 ,  Y10T137/8593

Abstract: A treating-gas supply system (2) which supplies a treating gas diluted with a diluent gas to a gas use system (4). The treating-gas supply system (2) comprises a treating-gas tank (10), a diluent gas tank (12), a main gas passage (14) connecting the treating-gas tank (10) to the gas use system (4), and a diluent gas passage connecting the diluent gas tank (12) to the main gas passage.The main gas passage (14) and the diluent gas passage have flow controllers (FC1), (FC2), and (FC5) disposed therein. The diluent gas passage is connected to that part of the main gas passage which is located immediately downstream from the flow controllers except the flow controller located on the most downstream side. The system further includes an excess gas discharge passage (24) for discharging any excess diluted treating gas, the passage (24) being connected to that part of the main gas passage which is located immediately upstream from the flow controllers except the flow controller located on the most upstream side.

Abstract translation: 一种处理气体供应系统（2），其将用稀释气体稀释的处理气体供应到气体使用系统（4）。 处理气体供应系统（2）包括处理气罐（10），稀释气罐（12），将处理气罐（10）连接到气体使用系统（4）的主气体通道（14） ）和将稀释气罐（12）连接到主气体通道的稀释气体通道。主气体通道（14）和稀释气体通道具有设置在其中的流量控制器（FC1），（FC2）和（FC5） 。 除了位于最下游侧的流量控制器之外，稀释气体通道与位于流量控制器的紧邻下游的主气体通道的部分连接。 该系统还包括用于排出任何多余的稀释处理气体的过量气体排出通道（24），该通道（24）连接到位于紧邻流量控制器的上游的主气体通道的除了位于 最上游侧

公开(公告)号：KR100945096B1

公开(公告)日：2010-03-02

申请号：KR1020077018134

申请日：2006-01-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토겐지

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/822 ,  H01L21/316 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L21/02197 ,  C23C16/409 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/52 ,  C23C28/322 ,  C23C28/34 ,  C23C28/345 ,  C23C28/3455 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55

Abstract: 용량 소자의 제조 방법은 (a) 기판 상에 절연막을 형성하고,(b) 상기 절연막 상에 하부 전극층을 형성하고, (c) 산화성 가스를 공급하지 않는 상태에서, 1종 또는 복수종의 유기 금속 재료 가스 및 기화된 유기 용매 중 적어도 하나를 상기 하부 전극층 상에 공급하는 제 1 공정(c1)과, 유기 금속 재료 가스 및 산화성 가스를 함께 상기 하부 전극층 상에 공급하는 제 2 공정(c2)을 포함하며, 상기 제 1 공정(c1)과 상기 제 2 공정(c2)을 동일 챔버 내에서 연속적으로 실시함으로써 상기 하부 전극층 상에 유전체층을 형성하고, (d) 상기 유전체층 상에 상부 전극층을 형성한다.

公开(公告)号：KR100481028B1

公开(公告)日：2005-04-07

申请号：KR1020027017555

申请日：2001-06-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  닛뽄덴끼 가부시끼가이샤

Inventor： 신리키히로시 ,  마츠모토겐지 ,  다츠미토루

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/31691 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45574 ,  C30B25/14

Abstract: MOCVD 장치의 반응로(8) 내에 기판(10)의 표면에 대하여 유기 금속 가스를 균일한 밀도로 공급하기 위한 복수의 분출구와, 산화성 가스를 균일한 밀도로 공급하기 위한 복수의 분출구를 구비한 샤워 헤드(9)를 마련한다. 이 샤워 헤드(9)의 기판측 표면 근방에 유기 금속 가스가 열분해하는 온도보다도 높고, 또한 성막 온도보다도 낮은 온도로 내부 가열하는 히터를 마련한다.

公开(公告)号：KR101178650B1

公开(公告)日：2012-08-30

申请号：KR1020107016843

申请日：2009-01-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠 다이가쿠 호진 도호쿠 다이가쿠

Inventor： 마츠모토겐지 ,  이토히토시 ,  사토히로시 ,  고이케준이치 ,  네이시고지

IPC: H01L21/28 ,  C23C16/18

CPC classification number: C23C16/40 ,  C23C28/00 ,  C23C28/322 ,  C23C28/345 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76844

Abstract: When a barrier film is formed on an exposed surface of an interlayer insulation film on a substrate, the interlayer insulation film having a recess formed therein, and a metal wiring to be electrically connected to a metal wiring in a lower layer is formed in the recess, a barrier film having an excellent step coverage can be formed and increase of a wiring resistance can be restrained. An oxide film on a surface of the lower copper wiring exposed to a bottom surface of the interlayer insulation film is reduced or edged so as to remove oxygen on the surface of the copper wiring. Then, by supplying an organic metal compound containing manganese and containing no oxygen, generation of manganese oxide as a self-forming barrier film is selectively allowed on an area containing oxygen, such as a sidewall of the recess and a surface of the interlayer insulation film, while generation of the manganese oxide is not allowed on the surface of the copper wiring. Thereafter, copper is embedded in the recess.

公开(公告)号：KR101175839B1

公开(公告)日：2012-08-24

申请号：KR1020097025115

申请日：2008-05-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠 다이가쿠 호진 도호쿠 다이가쿠

Inventor： 마츠모토겐지 ,  호사카시게토시 ,  고이케주니치 ,  네이시고지

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 절연막의 표면 및 절연막의 오목부를 따라 시드층을 성막하고, 오목부에 동 배선을 매립한 후, 가열에 의해 배리어막을 형성하는 동시에 시드층을 구성하는 금속의 잉여분을 배선으로부터 제거한다. 이 때, 배선에 있어서의 상기 금속 및 그 산화물의 잔류를 억제하여, 배선 저항의 상승을 억제한다. 오목부의 바닥부에 노출된 동으로 이루어지는 하층측 도전로의 표면에 있어서, 상기 동의 자연 산화물을 환원하거나 또는 제거하고, 상기 자연 산화물이 환원 또는 제거된 기판에 대해, 동보다도 산화 경향이 높고, 산화물로 되어 동의 확산 방지 기능을 발휘하는 자기 형성 배리어용의 금속, 또는 이 금속과 동의 합금으로 이루어지는 시드층을 형성한다. 오목부에 동을 매립한 후에 기판을 가열한다. 이것에 의해, 상기 자기형성 배리어용의 금속을 산화해서 배리어층을 형성한다. 동시에, 자기형성 배리어용의 금속의 잉여분을 매립된 동의 표면에 석출시킨다.

公开(公告)号：KR1020120056293A

公开(公告)日：2012-06-01

申请号：KR1020127009386

申请日：2010-09-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠

Inventor： 네이시고지 ,  고이케주니치 ,  마츠모토겐지

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/3205

CPC classification number: C23C16/40 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: In a method for forming a metal oxide film, by which excellent adhesion between the film and Cu can be provided, a gas containing an organometallic compound is supplied to a base, and the metal oxide film is formed on the base. After forming the metal oxide film on the base by supplying the organometallic compound to the base, the metal oxide film is exposed to the oxygen-containing gas or oxygen-containing plasma in the final step of the process of forming the metal oxide film.

公开(公告)号：KR1020100093138A

公开(公告)日：2010-08-24

申请号：KR1020107016843

申请日：2009-01-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠 다이가쿠 호진 도호쿠 다이가쿠

Inventor： 마츠모토겐지 ,  이토히토시 ,  사토히로시 ,  고이케준이치 ,  네이시고지

IPC: H01L21/28 ,  C23C16/18

CPC classification number: C23C16/40 ,  C23C28/00 ,  C23C28/322 ,  C23C28/345 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76844

Abstract: When a barrier film is formed on an exposed surface of an interlayer insulation film on a substrate, the interlayer insulation film having a recess formed therein, and a metal wiring to be electrically connected to a metal wiring in a lower layer is formed in the recess, a barrier film having an excellent step coverage can be formed and increase of a wiring resistance can be restrained. An oxide film on a surface of the lower copper wiring exposed to a bottom surface of the interlayer insulation film is reduced or edged so as to remove oxygen on the surface of the copper wiring. Then, by supplying an organic metal compound containing manganese and containing no oxygen, generation of manganese oxide as a self-forming barrier film is selectively allowed on an area containing oxygen, such as a sidewall of the recess and a surface of the interlayer insulation film, while generation of the manganese oxide is not allowed on the surface of the copper wiring. Thereafter, copper is embedded in the recess.

公开(公告)号：KR1020100053639A

公开(公告)日：2010-05-20

申请号：KR1020107005256

申请日：2008-09-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토겐지

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4412 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76873 ,  Y02C20/30 ,  Y02P70/605

Abstract: An exhaust system structure of film forming apparatus, comprising an exhaust pipe (51) for discharge of exhaust gas from a treatment vessel (11); an automatic pressure controller (52) provided at the portion of the exhaust pipe (51) near the treatment vessel (11); a vacuum pump (54) provided on the side of the exhaust pipe (51) downstream of the automatic pressure controller (52); an oxidizer supply section (57) for supplying an oxidizer at the location of the exhaust pipe (51) downstream of the automatic pressure controller (52); trap means (53) for recovery of products resulting from reactions of organometallic raw gas components and by-products contained in the exhaust gas with the oxidizer, provided on the side of the exhaust pipe (51) downstream of the oxidizer supply location; and a detoxifier (55) provided on the side of the exhaust pipe (51) downstream of the trap means (53).

Abstract translation: 一种成膜设备的排气系统结构，包括用于从处理容器（11）排出废气的排气管（51）。 设置在处理容器（11）附近的排气管（51）的部分处的自动压力控制器（52）; 在所述自动压力控制器（52）的下游设置在所述排气管（51）侧的真空泵（54）。 用于在所述自动压力控制器（52）的下游的所述排气管（51）的位置处供给氧化剂的氧化剂供给部（57） 捕集装置（53），用于回收由氧化剂供应位置下游排气管（51）一侧设置的有机金属原料气体组分和废气中所含副产物所产生的产物; 以及设置在所述排气管（51）的所述收集装置（53）下游的一侧的解毒器（55）。