公开(公告)号：KR101399814B1

公开(公告)日：2014-05-27

申请号：KR1020117030618

申请日：2010-06-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠

Inventor： 마츠모토겐지 ,  이토히토시 ,  미요시히데노리 ,  호사카시게토시 ,  사토히로시 ,  네이시고지 ,  고이케주니치

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L21/76814 ,  C23C16/02 ,  C23C16/40 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76867

Abstract: 오목부(2)를 갖는 low-k막으로 이루어지는 절연층(122)이 표면에 형성된 피처리체(W)에 Mn을 포함하는 박막을 형성하는 성막 방법에 있어서, 절연층의 표면에 친수화 처리를 실시해서 친수성의 표면으로 하는 친수화 공정과, 친수화 처리가 실행된 절연층의 표면에 Mn함유 원료를 이용해서 성막 처리를 실시하는 것에 의해 Mn을 포함하는 박막을 형성하는 박막 형성 공정을 갖는다. 이것에 의해, 비유전율이 낮은 low-k막으로 이루어지는 절연층의 표면에 Mn을 포함하는 박막, 예를 들면, MnOx를 효율적으로 형성한다.

公开(公告)号：KR101171587B1

公开(公告)日：2012-08-07

申请号：KR1020107018727

申请日：2009-02-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토히로시 ,  이토히토시 ,  마츠모토겐지

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/67207 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76861 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 본 발명은, 기판 표면에 형성된 층간 절연막에, 하층측 도전로에 전기적으로 접속되는 구리를 주성분으로 하는 상층측 도전로를 매립하기 위한 오목부를 형성하는 공정과, 망간의 유기 화합물을 함유하는 가스를 공급하여, 층간 절연막의 노출면을 덮도록, 상기 층간 절연막으로의 구리의 확산을 억제하기 위한 망간의 화합물로 이루어진 배리어층을 형성하는 공정과, 상기 배리어층을 형성한 후, 배리어층을 구성하는 망간의 화합물 중의 망간의 비율을 높이기 위해 그 배리어층에 유기산을 공급하는 공정과, 유기산 공급 공정후, 상기 배리어층의 표면에 구리를 주성분으로 하는 시드층을 형성하는 공정과, 시드층 형성 공정후, 배리어층의 표면 또는 층 속의 망간을 시드층의 표면에 석출시키기 위해 상기 기판을 가열 처리하는 공정과, 가열에 의해 시 드층의 표면에 석출된 망간을 제거하기 위해 그 시드층에 세정액을 공급하는 공정과, 세정액 공급 공정후, 구리를 주성분으로 하는 상층측 도전로를 상기 오목부 내에 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다.

公开(公告)号：KR1020120083867A

公开(公告)日：2012-07-26

申请号：KR1020120005921

申请日：2012-01-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드

Inventor： 군지이사오 ,  이자와유사쿠 ,  이토히토시 ,  우메자키도모노리 ,  다케다유타 ,  모리이사무

IPC: H01L21/302

CPC classification number: C23C16/4405

Abstract: PURPOSE: A dry cleaning method of substrate processing apparatus is provided to increase efficiency by heating a processing chamber 200°C through 400°C. CONSTITUTION: A metallic oxide is formed by oxidizing a metal substrate. A complex is formed by a reaction between the metallic oxide and β-diketone. The complex is sublimated. A cleaning gas including oxygen and β-diketone is supplied to a processing chamber(10). The formation speed of the metallic oxide is not over the formation speed of the complex.

Abstract translation: 目的：提供一种基板处理装置的干洗方法，以通过加热200℃至400℃的处理室来提高效率。 构成：通过氧化金属基底形成金属氧化物。 通过金属氧化物和β-二酮之间的反应形成络合物。 复合体升华。 包括氧和β-二酮的清洁气体被供应到处理室（10）。 金属氧化物的形成速度不超过络合物的形成速度。

公开(公告)号：KR101099928B1

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：KR1020097020415

申请日：2008-03-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이토히토시

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4481 ,  C23C16/18 ,  C23C16/448 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45593 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76877

Abstract: 고체원료를 승화해서 얻어지는 금속원료 착체 예를 들면 초산구리의 가스를 기판에 원료가스로서 공급하여, 이 원료가스의 화학반응에 의해 기판상에 금속구리를 성막할 때, 원료가스의 소비량을 대폭 억제한다. 처리용기내에 고체원료를 승화해서 얻어지는 원료가스를 공급하고, 처리용기내의 흡착 탈리 부재에 고체로서 원료를 흡착시킨다. 다음에 원료가스의 공급과 배기를 정지시켜, 처리용기를 밀폐공간으로 한다. 그 후, 기판을 가열하는 동시에, 흡착 탈리 부재로부터 원료를 탈리시켜, 기판상에서 이 원료를 화학반응시키고, 기판상에 박막을 성막한다.

公开(公告)号：KR101178650B1

公开(公告)日：2012-08-30

申请号：KR1020107016843

申请日：2009-01-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠 다이가쿠 호진 도호쿠 다이가쿠

Inventor： 마츠모토겐지 ,  이토히토시 ,  사토히로시 ,  고이케준이치 ,  네이시고지

IPC: H01L21/28 ,  C23C16/18

CPC classification number: C23C16/40 ,  C23C28/00 ,  C23C28/322 ,  C23C28/345 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76844

Abstract: When a barrier film is formed on an exposed surface of an interlayer insulation film on a substrate, the interlayer insulation film having a recess formed therein, and a metal wiring to be electrically connected to a metal wiring in a lower layer is formed in the recess, a barrier film having an excellent step coverage can be formed and increase of a wiring resistance can be restrained. An oxide film on a surface of the lower copper wiring exposed to a bottom surface of the interlayer insulation film is reduced or edged so as to remove oxygen on the surface of the copper wiring. Then, by supplying an organic metal compound containing manganese and containing no oxygen, generation of manganese oxide as a self-forming barrier film is selectively allowed on an area containing oxygen, such as a sidewall of the recess and a surface of the interlayer insulation film, while generation of the manganese oxide is not allowed on the surface of the copper wiring. Thereafter, copper is embedded in the recess.

公开(公告)号：KR1020100093138A

公开(公告)日：2010-08-24

申请号：KR1020107016843

申请日：2009-01-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠 다이가쿠 호진 도호쿠 다이가쿠

Inventor： 마츠모토겐지 ,  이토히토시 ,  사토히로시 ,  고이케준이치 ,  네이시고지

IPC: H01L21/28 ,  C23C16/18

CPC classification number: C23C16/40 ,  C23C28/00 ,  C23C28/322 ,  C23C28/345 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76844

Abstract: When a barrier film is formed on an exposed surface of an interlayer insulation film on a substrate, the interlayer insulation film having a recess formed therein, and a metal wiring to be electrically connected to a metal wiring in a lower layer is formed in the recess, a barrier film having an excellent step coverage can be formed and increase of a wiring resistance can be restrained. An oxide film on a surface of the lower copper wiring exposed to a bottom surface of the interlayer insulation film is reduced or edged so as to remove oxygen on the surface of the copper wiring. Then, by supplying an organic metal compound containing manganese and containing no oxygen, generation of manganese oxide as a self-forming barrier film is selectively allowed on an area containing oxygen, such as a sidewall of the recess and a surface of the interlayer insulation film, while generation of the manganese oxide is not allowed on the surface of the copper wiring. Thereafter, copper is embedded in the recess.

公开(公告)号：KR1020100109966A

公开(公告)日：2010-10-11

申请号：KR1020107018727

申请日：2009-02-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토히로시 ,  이토히토시 ,  마츠모토겐지

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/67207 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76861 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 본 발명은, 기판 표면에 형성된 층간 절연막에, 하층측 도전로에 전기적으로 접속되는 구리를 주성분으로 하는 상층측 도전로를 매립하기 위한 오목부를 형성하는 공정과, 망간의 유기 화합물을 함유하는 가스를 공급하여, 층간 절연막의 노출면을 덮도록, 상기 층간 절연막으로의 구리의 확산을 억제하기 위한 망간의 화합물로 이루어진 배리어층을 형성하는 공정과, 상기 배리어층을 형성한 후, 배리어층을 구성하는 망간의 화합물 중의 망간의 비율을 높이기 위해 그 배리어층에 유기산을 공급하는 공정과, 유기산 공급 공정후, 상기 배리어층의 표면에 구리를 주성분으로 하는 시드층을 형성하는 공정과, 시드층 형성 공정후, 배리어층의 표면 또는 층 속의 망간을 시드층의 표면에 석출시키기 위해 상기 기판을 가열 처리하는 공정과, 가열에 의해 시드층의 표면에 석출된 망간을 제거하기 위해 그 시드층에 세정액을 공급하는 공정과, 세정액 공급 공정후, 구리를 주성분으로 하는 상층측 도전로를 상기 오목부 내에 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다.

公开(公告)号：KR1020100039850A

公开(公告)日：2010-04-16

申请号：KR1020107001252

申请日：2008-08-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토겐지 ,  이토히토시

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/455 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/448 ,  C23C16/45561 ,  Y10T137/7837 ,  Y10T137/8593

Abstract: A treating-gas supply system (2) which supplies a treating gas diluted with a diluent gas to a gas use system (4). The treating-gas supply system (2) comprises a treating-gas tank (10), a diluent gas tank (12), a main gas passage (14) connecting the treating-gas tank (10) to the gas use system (4), and a diluent gas passage connecting the diluent gas tank (12) to the main gas passage.The main gas passage (14) and the diluent gas passage have flow controllers (FC1), (FC2), and (FC5) disposed therein. The diluent gas passage is connected to that part of the main gas passage which is located immediately downstream from the flow controllers except the flow controller located on the most downstream side. The system further includes an excess gas discharge passage (24) for discharging any excess diluted treating gas, the passage (24) being connected to that part of the main gas passage which is located immediately upstream from the flow controllers except the flow controller located on the most upstream side.

Abstract translation: 一种处理气体供应系统（2），其将用稀释气体稀释的处理气体供应到气体使用系统（4）。 处理气体供应系统（2）包括处理气罐（10），稀释气罐（12），将处理气罐（10）连接到气体使用系统（4）的主气体通道（14） ）和将稀释气罐（12）连接到主气体通道的稀释气体通道。主气体通道（14）和稀释气体通道具有设置在其中的流量控制器（FC1），（FC2）和（FC5） 。 除了位于最下游侧的流量控制器之外，稀释气体通道与位于流量控制器的紧邻下游的主气体通道的部分连接。 该系统还包括用于排出任何多余的稀释处理气体的过量气体排出通道（24），该通道（24）连接到位于紧邻流量控制器的上游的主气体通道的除了位于 最上游侧

公开(公告)号：KR1020090116817A

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：KR1020097020415

申请日：2008-03-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이토히토시

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4481 ,  C23C16/18 ,  C23C16/448 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45593 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76877

Abstract: This invention provides a method for film formation, which can significantly suppress the amount of a starting gas consumed in the formation of a metallic copper film on a substrate by supplying a gas of a metallic starting material complex, for example, copper acetate, produced by the sublimation of a solid starting material, as a starting gas to the substrate to cause a chemical reaction of the starting gas. A starting gas produced by the sublimation of a solid starting material is supplied into a treatment vessel, and the starting material is adsorbed as a solid onto an adsorption/desorption member within the treatment vessel. Next, the starting gas supply and evacuation are stopped, and the treatment vessel is brought to the state of a closed space. Thereafter, the substrate is heated, and the starting material is desorbed from the adsorption/desorption member, and this starting material is chemically reacted on the substrate to form a thin film on the substrate.

Abstract translation: 本发明提供一种成膜方法，其可以通过供给由金属原料络合物例如乙酸铜制成的气体，显着抑制在基板上形成金属铜膜时所消耗的起始气体的量， 固体起始材料作为起始气体升华到基板以引起起始气体的化学反应。 将通过固体原料的升华产生的起始气体供给到处理容器中，将原料作为固体吸附到处理容器内的吸附/解吸构件上。 接下来，停止起始供气和排气，使处理容器处于封闭空间的状态。 然后，对基板进行加热，将原料从吸附解吸部件脱离，使该原料在基板上发生化学反应，在基板上形成薄膜。

公开(公告)号：KR101422982B1

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：KR1020127027017

申请日：2011-03-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미요시히데노리 ,  이토히토시 ,  사토히로시

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/76814 ,  C23C16/045 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76844 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 성막 방법은 성막 장치(100)의 처리용기(1) 내에, 절연막이 마련된 웨이퍼(W)를 배치하는 공정과, 처리용기(1) 내에, TEOS 등의 실리콘 원자를 포함하는 화합물의 가스와 수증기 등의 OH기 공여성 가스를 공급하고, 상기 절연막의 표면에 Si-OH기를 형성시키는 표면 개질 공정과, 처리용기(1) 내에 망간함유 재료를 포함하는 성막 가스를 공급하고, CVD법에 의해 Si-OH기가 형성된 절연막의 표면에 망간함유막을 성막하는 성막 공정을 구비하고 있다. 표면 개질 공정에서는 실리콘 원자를 포함하는 화합물의 가스와, OH기 공여성 가스를, 처리 용기 내에 동시에 공급해도 좋고, 교대로 공급해도 좋다.

Abstract translation: 沉积在成膜装置100的处理室1中进行，包括以下步骤：将晶片（W），绝缘膜设置，所述化合物的过程中容器（1）中，TEOS气体和水蒸汽含有硅原子，如，如 OH的阴气体，在绝缘膜的表面形成Si-OH基的工序;向处理容器1内供给含有含锰材料的成膜气体的工序， 以及在其上形成有OH基的绝缘膜的表面上形成含锰膜的膜形成步骤。 在表面改性步骤中，可以在处理容器中同时或同时供应含有硅原子和含OH基团的气体的化合物的气体。