公开(公告)号：KR1020140092772A

公开(公告)日：2014-07-24

申请号：KR1020140004097

申请日：2014-01-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 무라카미,히로키 ,  이케우치,도시유키 ,  사토,쥰 ,  모로즈미,유이치로

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/321 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/02238 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/32105 ,  H01L21/67757

Abstract: The present invention provides a method of forming a silicon oxide film which enables to obtain a silicon oxide film having at least a satisfactory interface roughness. According to the present invention, a method of forming a silicon oxide film (3) includes the following processes of: forming a silicon film on a base; the base being a surface to be processed of an object to be processed (step 2); and forming a silicon oxide film (5) on the base by oxidizing the silicon film (3) (step 4), and exposing the object to be processed having the silicon film (3) formed thereon to an atmosphere containing at least an oxidizing component before oxidizing the silicon film (3) between steps 2 and 4 (step 3).

Abstract translation: 本发明提供一种形成氧化硅膜的方法，其能够获得至少具有令人满意的界面粗糙度的氧化硅膜。 根据本发明，形成氧化硅膜（3）的方法包括以下工序：在基材上形成硅膜; 所述基底是待处理物体的待处理表面（步骤2）; 通过氧化硅膜（3）在基体上形成氧化硅膜（5）（步骤4），将形成有硅膜（3）的待处理物体暴露在至少含有氧化成分 在步骤2和4之间氧化硅膜（3）之前（步骤3）。

公开(公告)号：KR1020140097034A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：KR1020140010458

申请日：2014-01-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 무라카미,히로키 ,  사사키,고지 ,  스즈키,게이스케 ,  모로즈미,유이치로

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/30 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/30 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45544 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02219

Abstract: The present invention provides a film forming method which can lower relative dielectric constant and improve etching durability by improving concentrations of oxygen and carbon in a thin film. The present invention provides a film forming method of forming a thin film comprising an SiOCN layer containing at least silicon (Si), oxygen (O), carbon (C), and nitrogen (N) on the surface of a body to be treated in a processing container which can be vacuumed using a silane based gas, a hydrocarbon gas, a nitride gas, and an oxidation gas if necessary, wherein a first step of forming a first film comprising at least Si, C, and N, and a second step of forming a second film comprising at least Si, C, and O form one cycle, and the cycle is performed at least one time. Accordingly, the method can lower relative dielectric constant and improve etching durability by improving concentrations of oxygen and carbon in a thin film.

Abstract translation: 本发明提供一种能够通过改善薄膜中的氧和碳的浓度来降低相对介电常数并提高蚀刻耐久性的成膜方法。 本发明提供了一种薄膜形成方法，该薄膜形成方法包括在被处理体的表面上至少包含硅（Si），氧（O），碳（C）和氮（N）的SiOCN层） 如果需要，可以使用硅烷类气体，烃类气体，氮化物气体和氧化气体进行抽真空的处理容器，其中形成至少包含Si，C和N的第一膜的第一工序和第二工序 形成至少包含Si，C和O的第二膜的步骤形成一个循环，并且循环进行至少一次。 因此，该方法可以通过改善薄膜中的氧和碳的浓度来降低相对介电常数并提高蚀刻耐久性。

公开(公告)号：KR101743321B1

公开(公告)日：2017-06-02

申请号：KR1020140004097

申请日：2014-01-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 무라카미,히로키 ,  이케우치,도시유키 ,  사토,쥰 ,  모로즈미,유이치로

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/321 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/02238 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/32105 ,  H01L21/67757

Abstract: 본발명은, 적어도계면조도가양호한실리콘산화물막을얻는것이가능한실리콘산화물막의성막방법을제공한다. 본발명에따른실리콘산화물막의성막방법은, 피처리체의피처리면인하지상에실리콘막(3)을형성하는공정(스텝 2)과, 실리콘막(3)을산화하여, 하지상에실리콘산화물막(5)을형성하는공정(스텝 4)을포함하고, 스텝 2과스텝 4 사이에, 실리콘막(3)을산화하기전에, 실리콘막(3)이형성된피처리체를, 적어도산화성분을포함하는분위기중에폭로하는공정(스텝 3)을포함한다.

Abstract translation: 本发明提供一种形成氧化硅膜的方法，其能够获得至少具有良好界面
度的氧化硅膜。 根据本发明的用于形成氧化硅膜的方法包括：在待处理对象的待处理表面上形成硅膜3的步骤（步骤2）;氧化硅膜3以形成氧化硅膜的步骤 （步骤4），在硅膜3被氧化之前，在步骤2和步骤4之间，将具有硅膜3的待处理物体注入至少包含氧化组分 （步骤3）。

公开(公告)号：KR101682273B1

公开(公告)日：2016-12-05

申请号：KR1020140010458

申请日：2014-01-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 무라카미,히로키 ,  사사키,고지 ,  스즈키,게이스케 ,  모로즈미,유이치로

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/30 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/30 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45544 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02219

Abstract: 본발명은박막중의산소농도및 탄소농도도향상시켜, 비유전율을저하시키는동시에에칭내성을향상시키는것이가능한성막방법을제공한다. 본발명에따른성막방법은, 실란계가스와탄화수소가스와질화가스와산화가스를필요에따라서이용하여진공화가능하게이루어진처리용기내에서피처리체의표면에적어도실리콘(Si)과산소(O)와탄소(C)와질소(N)를포함하는 SiOCN층으로이루어지는박막을형성하는성막방법에있어서, 적어도 Si와 C와 N을포함하는제1막을형성하는제1 스텝과, 적어도 Si와 C와 O를포함하는제2막을형성하는제2 스텝을 1사이클로하여상기사이클을 1회이상행하도록한다. 이에의해, 박막중의산소농도및 탄소농도도향상시켜, 비유전율을저하시키는동시에에칭내성을향상시킨다.

Abstract translation: 一种用于在可抽空处理容器内的工件表面上形成由至少含有硅（Si），氧（O），碳（C）和氮（N）的SiOCN层构成的薄膜的成膜方法， 硅烷类气体，烃类气体，氮化气体或氧化性气体，包括形成至少包含Si，C和N的第一膜，形成至少包含Si，C和O的第二膜。形成第一膜和 形成第二膜被设置为循环，并且循环执行一次或多次。