公开(公告)号：KR102010633B1

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：KR1020160077604

申请日：2016-06-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미우라,시게히로 ,  사토,쥰

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/60 ,  H01L21/687

公开(公告)号：KR101743321B1

公开(公告)日：2017-06-02

申请号：KR1020140004097

申请日：2014-01-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 무라카미,히로키 ,  이케우치,도시유키 ,  사토,쥰 ,  모로즈미,유이치로

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/321 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/02238 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/32105 ,  H01L21/67757

Abstract: 본발명은, 적어도계면조도가양호한실리콘산화물막을얻는것이가능한실리콘산화물막의성막방법을제공한다. 본발명에따른실리콘산화물막의성막방법은, 피처리체의피처리면인하지상에실리콘막(3)을형성하는공정(스텝 2)과, 실리콘막(3)을산화하여, 하지상에실리콘산화물막(5)을형성하는공정(스텝 4)을포함하고, 스텝 2과스텝 4 사이에, 실리콘막(3)을산화하기전에, 실리콘막(3)이형성된피처리체를, 적어도산화성분을포함하는분위기중에폭로하는공정(스텝 3)을포함한다.

Abstract translation: 本发明提供一种形成氧化硅膜的方法，其能够获得至少具有良好界面
度的氧化硅膜。 根据本发明的用于形成氧化硅膜的方法包括：在待处理对象的待处理表面上形成硅膜3的步骤（步骤2）;氧化硅膜3以形成氧化硅膜的步骤 （步骤4），在硅膜3被氧化之前，在步骤2和步骤4之间，将具有硅膜3的待处理物体注入至少包含氧化组分 （步骤3）。

公开(公告)号：KR1020170003408A

公开(公告)日：2017-01-09

申请号：KR1020160077604

申请日：2016-06-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미우라,시게히로 ,  사토,쥰

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/60 ,  H01L21/687

CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45551

Abstract: 본발명은, 회전테이블의하방에간극이발생하는프로세스라도, 제1 및제2 배기구에서각각독립된배기를행할수 있는기판처리방법및 기판처리장치를제공하는것을목적으로한다. 제1 처리가스공급영역(P1)과, 상기제1 처리가스공급영역에공급되는제1 처리가스를배기하기위해서형성된제1 배기구와, 제2 처리가스공급영역과, 상기제2 처리가스공급영역에공급되는제2 처리가스를배기하기위해서형성된제2 배기구와, 상기제1 배기구와상기제2 배기구를연통하는연통공간을갖는처리실을사용한기판처리방법으로서, 상기제1 배기구의배기압력을상기제2 배기구의배기압력보다도소정압력높게하여, 상기제1 배기구에의상기제2 처리가스의혼입을방지해서기판처리를행한다.

Abstract translation: 提供了一种使用处理室的基板处理方法，该处理室设置有第一处理气体供给区域，供给第一处理气体供应区域的第一处理气体通过该第一排出口排出的第一处理气体供给区域， 提供给第二处理气体供应区域的第二处理气体通过其排出的第二排气口和第一排气口和第二排气口相互连通的连通空间，其中第一排气口中的排气压力 被设定为高于第二排气口中的排气压力预定压力，以便执行基板处理，同时防止第二处理气体渗入第一排气口。

公开(公告)号：KR1020140092772A

公开(公告)日：2014-07-24

申请号：KR1020140004097

申请日：2014-01-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 무라카미,히로키 ,  이케우치,도시유키 ,  사토,쥰 ,  모로즈미,유이치로

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/321 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/02238 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/32105 ,  H01L21/67757

Abstract: The present invention provides a method of forming a silicon oxide film which enables to obtain a silicon oxide film having at least a satisfactory interface roughness. According to the present invention, a method of forming a silicon oxide film (3) includes the following processes of: forming a silicon film on a base; the base being a surface to be processed of an object to be processed (step 2); and forming a silicon oxide film (5) on the base by oxidizing the silicon film (3) (step 4), and exposing the object to be processed having the silicon film (3) formed thereon to an atmosphere containing at least an oxidizing component before oxidizing the silicon film (3) between steps 2 and 4 (step 3).

Abstract translation: 本发明提供一种形成氧化硅膜的方法，其能够获得至少具有令人满意的界面粗糙度的氧化硅膜。 根据本发明，形成氧化硅膜（3）的方法包括以下工序：在基材上形成硅膜; 所述基底是待处理物体的待处理表面（步骤2）; 通过氧化硅膜（3）在基体上形成氧化硅膜（5）（步骤4），将形成有硅膜（3）的待处理物体暴露在至少含有氧化成分 在步骤2和4之间氧化硅膜（3）之前（步骤3）。