피처리체를 에칭하는 방법
    2.
    发明公开
    피처리체를 에칭하는 방법 审中-实审
    蚀刻待处理物体的方法

    公开(公告)号:KR1020170048321A

    公开(公告)日:2017-05-08

    申请号:KR1020177001874

    申请日:2015-08-06

    CPC classification number: H01L43/12 H01L27/105 H01L43/00 H01L43/08 H01L43/10

    Abstract: 일실시형태에서는, 하부전극과, 그하부전극상에마련되는다층막이며, 제1 자성층, 제2 자성층, 및제1 자성층과제2 자성층의사이에개재하는절연층을포함하는그 다층막을포함하는피처리체를마스크를통하여에칭하는방법이제공된다. 이방법은, 제1 희가스, 및그 제1 희가스보다큰 원자번호를갖는제2 희가스를포함하고, 또한수소가스를포함하지않는제1 처리가스의플라즈마에피처리체를노출시키는공정을포함한다.

    Abstract translation: 在一个实施例中,下部电极,以及设置在所述下电极的多层膜,该第一磁性层,其包含含有所述第二磁性层之间的绝缘层的多层薄膜的特征,mitje第二磁性层中的第一磁性层分配片 提供了一种通过掩模进行蚀刻的方法。 并且该方法包括以下步骤,包括第一惰性气体,具有比第一mitgeu稀有气体的较大原子序数的第二惰性气体,并且进一步曝光所述工件到所述第一处理气体不含氢气体的等离子体。

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