公开(公告)号：KR20210035218A

公开(公告)日：2021-03-31

申请号：KR1020217004556A

申请日：2019-07-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다쿠야 구보 ,  강송윤

IPC: H01L43/12 ,  H01L43/02

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01L43/02 ,  H01L43/12

Abstract: 하나의 예시적 실시 형태에 있어서, 기판을 처리하는 방법이 제공된다. 기판은, 에칭층과 마스크를 구비한다. 마스크는, 에칭층의 제1 표면 상에 마련된다. 이 방법은, 제1 공정, 제2 공정 및 제3 공정을 구비한다. 제1 공정은, 마스크의 제2 표면에 제1 막을 형성한다. 제2 공정은, 에칭층의 제1 표면을 에칭함으로써, 에칭층의 재료를 갖는 제2 막을 제1 막 상에 형성한다. 제3 공정은, 제2 공정 후의 기판을 처리 가스의 플라스마에 노출시킴으로써, 제1 막 및 제2 막을 제거한다. 제1 막은, 전극 재료를 갖는다. 처리 가스는, 산소를 갖는다.

公开(公告)号：KR1020170048321A

公开(公告)日：2017-05-08

申请号：KR1020177001874

申请日：2015-08-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모리모토다모츠 ,  강송윤

IPC: H01L21/3065 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

CPC classification number: H01L43/12 ,  H01L27/105 ,  H01L43/00 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

Abstract: 일실시형태에서는, 하부전극과, 그하부전극상에마련되는다층막이며, 제1 자성층, 제2 자성층, 및제1 자성층과제2 자성층의사이에개재하는절연층을포함하는그 다층막을포함하는피처리체를마스크를통하여에칭하는방법이제공된다. 이방법은, 제1 희가스, 및그 제1 희가스보다큰 원자번호를갖는제2 희가스를포함하고, 또한수소가스를포함하지않는제1 처리가스의플라즈마에피처리체를노출시키는공정을포함한다.

Abstract translation: 在一个实施例中，下部电极，以及设置在所述下电极的多层膜，该第一磁性层，其包含含有所述第二磁性层之间的绝缘层的多层薄膜的特征，mitje第二磁性层中的第一磁性层分配片 提供了一种通过掩模进行蚀刻的方法。 并且该方法包括以下步骤，包括第一惰性气体，具有比第一mitgeu稀有气体的较大原子序数的第二惰性气体，并且进一步曝光所述工件到所述第一处理气体不含氢气体的等离子体。

公开(公告)号：KR1020120062896A

公开(公告)日：2012-06-14

申请号：KR1020127009381

申请日：2010-08-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사와다이쿠오 ,  강송윤 ,  마츠쿠마마사아키 ,  가사이시게루 ,  모리시마마사토

IPC: H01L21/205 ,  H01L31/04 ,  C23C16/50

CPC classification number: C23C16/4412 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45502 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/509 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32431 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32633

Abstract: 기밀한 처리 용기(10)내에 반응 가스를 반응시켜 기판 S에 박막을 성막하는 성막 장치(1a)에 있어서, 간막이벽(41)은 기판(S)의 위쪽 공간을 플라즈마 생성 공간(401)과 배기 공간(402)으로 횡방향으로 분할하는 동시에, 처리 용기(10)의 천정부에서 아래쪽으로 신장하여 그 하단과 기판 S의 사이에, 플라즈마 생성 공간(401)으로부터 배기 공간(402)에 가스를 흘리는 간극을 형성한다. 활성화 기구(42, 43)는 플라즈마 생성 공간(401)에 공급된 제 1 반응 가스를 활성화하여 플라즈마를 생성한다. 제 2 반응 가스 공급부(411, 412)는 플라즈마 생성 공간(401)의 하부측에 제 1 반응 가스의 활성종과 반응하여 기판상에 박막을 성막하는 제 2 반응 가스를 공급하고, 진공 배기구(23)는 간막이벽(41)의 하단보다 높은 위치에서 배기 공간(402)을 배기한다.

公开(公告)号：KR101439717B1

公开(公告)日：2014-09-12

申请号：KR1020127021262

申请日：2011-01-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈키아유타 ,  강송윤 ,  모리야츠요시 ,  데라사와노부토시 ,  오카베요시아키

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/4404 ,  B29C59/14 ,  H01J37/32467 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32642 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/68757 ,  Y10S156/915

Abstract: 처리 용기 내에 기판을 반입해서 탑재대에 탑재하는 공정과, 적어도 표면부의 주성분이 기판의 피에칭막의 주성분과 동일한 재질인 링 부재를 기판을 둘러싸도록 배치한 상태에서, 기판에 대향하는 가스 공급부로부터 처리 가스를 샤워 형상으로 토출함과 아울러, 처리 가스를 플라즈마화해서 피에칭막을 에칭하는 공정과, 상기 처리 용기 내를 배기로를 거쳐서 진공 배기하는 공정을 포함하도록, 에칭을 실행한다. 이것에 의해, 기판의 둘레 가장자리 부근에서의 플라즈마의 활성종 분포의 불균일함을 억제한다.

公开(公告)号：KR101257985B1

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：KR1020107000195

申请日：2008-07-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카하시데츠로 ,  후지노유타카 ,  도시마히로유키 ,  구보아츠시 ,  강송윤 ,  벤트젝피터 ,  세가와스미에

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/3145 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01L21/318 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68742

Abstract: 챔버 내에 웨이퍼를 배치하고, 챔버 내에 플라즈마 생성 공간을 형성하여, 그 플라즈마 생성 공간에 적어도 웨이퍼의 표면을 접촉시킨 상태로 웨이퍼의 표면에 플라즈마 처리를 실시함에 있어서, 웨이퍼의 이면측의 적어도 외주 부분에 플라즈마 생성 공간이 접촉하도록 하여 플라즈마 처리를 실시한다.

公开(公告)号：KR101196075B1

公开(公告)日：2012-11-01

申请号：KR1020107005342

申请日：2008-09-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오타료사쿠 ,  아다치히카루 ,  나카니시도시오 ,  우에다아츠시 ,  강송윤 ,  모로즈파울 ,  벤트젝피터

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/31

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32229

Abstract: 슬롯 안테나 방식의 마이크로파 플라즈마 처리 장치(100)는, 편평한 도파관을 구성하는 평면 안테나판(31) 및 도전성 부재로 이루어지는 커버(34)를 구비한다. 커버(34)에, 편평한 도파관 내의 전계 분포를 조정하기 위한 제2 도파관으로서의 스터브(43)를 구비하고 있다. 스터브(43)에는, 도전성 부재로 이루어지는 커버(34)가 설치되어 있다. 스터브(43)는, 평면에서 보아, 평면 안테나판(31)의 최외주에 배열된 슬롯쌍을 구성하는 슬롯(32)과 겹쳐지는 위치에 배치되어 있다. 스터브(43)의 적정한 배치에 의해, 편평한 도파관 내의 전계 분포를 제어하여 균일한 플라즈마를 생성할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020040084795A

公开(公告)日：2004-10-06

申请号：KR1020040020177

申请日：2004-03-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미츠오카가즈유키 ,  혼다미노루 ,  강송윤 ,  사이토유스케

IPC: H01L21/26

CPC classification number: H01L21/31058 ,  Y10S430/143

Abstract: PURPOSE: An electron beam processing method and apparatus are provided to prevent the degradation of a k-value and chemical-resistance in an SOD(Spin On Dielectric) film by irradiating electron beams on the SOD film through a methane gas. CONSTITUTION: An organic material film is formed on a wafer(W). The organic material film is treated by irradiating electron beams thereon. At this time, the electron beams are irradiated through a hydrocarbon radical generating gas. The hydrocarbon radical generating gas is a low molecular weight hydrocarbon-based gas. The low molecular weight hydrocarbon-based gas is a methane gas. The organic material film is a low-k film.

Abstract translation: 目的：提供一种电子束处理方法和装置，用于通过甲烷气体在SOD膜上照射电子束来防止SOD（旋转介质）膜中的k值和耐化学腐蚀性降低。 构成：在晶片（W）上形成有机材料膜。 通过在其上照射电子束来处理有机材料膜。 此时，通过产生烃基的气体照射电子束。 产生烃基的气体是低分子量烃类气体。 低分子量烃类气体是甲烷气体。 有机材料膜是低k膜。

公开(公告)号：KR1020170135709A

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：KR1020170064916

申请日：2017-05-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 구보다쿠야 ,  강송윤

IPC: H01L43/12 ,  H01L43/08 ,  H01L43/02 ,  H01L43/10

CPC classification number: H01L43/12 ,  H01L43/08

Abstract: 일실시형태의자기저항소자의제조방법은, 기판상에, 실리콘, 산소, 및탄소를포함하는하지막을형성하는공정과, 산소함유가스의플라즈마를이용하여하지막에대하여플라즈마애싱을실행하는공정과, 애싱된하지막상에금속층및 자성층을포함하는다층막을형성하는공정과, 수소함유가스의플라즈마를이용하여다층막에대하여플라즈마에칭을실행하는공정을포함한다.

Abstract translation: 磁阻元件的一个实施例的制造方法，不使用任何步骤中，含氧气体的等离子体以在基板上形成的膜，包含硅，氧和碳处理实施相对于等离子体灰化至膜 在灰化的基膜上形成包括金属层和磁性层的多层膜的步骤，以及利用含氢气体的等离子体对多层膜进行等离子体蚀刻的步骤。

公开(公告)号：KR101361955B1

公开(公告)日：2014-02-13

申请号：KR1020127009381

申请日：2010-08-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사와다이쿠오 ,  강송윤 ,  마츠쿠마마사아키 ,  가사이시게루 ,  모리시마마사토

IPC: H01L21/205 ,  H01L31/04 ,  C23C16/50

CPC classification number: C23C16/4412 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45502 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/509 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32431 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32633

Abstract: 기밀한 처리 용기(10)내에 반응 가스를 반응시켜 기판 S에 박막을 성막하는 성막 장치(1a)에 있어서, 간막이벽(41)은 기판(S)의 위쪽 공간을 플라즈마 생성 공간(401)과 배기 공간(402)으로 횡방향으로 분할하는 동시에, 처리 용기(10)의 천정부에서 아래쪽으로 신장하여 그 하단과 기판 S의 사이에, 플라즈마 생성 공간(401)으로부터 배기 공간(402)에 가스를 흘리는 간극을 형성한다. 활성화 기구(42, 43)는 플라즈마 생성 공간(401)에 공급된 제 1 반응 가스를 활성화하여 플라즈마를 생성한다. 제 2 반응 가스 공급부(411, 412)는 플라즈마 생성 공간(401)의 하부측에 제 1 반응 가스의 활성종과 반응하여 기판상에 박막을 성막하는 제 2 반응 가스를 공급하고, 진공 배기구(23)는 간막이벽(41)의 하단보다 높은 위치에서 배기 공간(402)을 배기한다.

Abstract translation: 用于通过在密封处理容器10中反应气体反应而在基板S上沉积薄膜的分隔装置1a的特征在于，分隔壁41将基板S上方的空间划分为等离子体产生空间401， 该气体在横向方向上被分成空间402并从处理容器10的顶部向下延伸并处于处理容器10的下端与基板S之间， 形式。 激活机构42和43激活供应到等离子体产生空间401的第一反应气体以产生等离子体。 第二反应气体供应单元411和412在等离子体生成空间401的下侧与第一反应气体的活性物质反应，以在基板上供应用于形成薄膜的第二反应气体， 在比分隔壁41的下端高的位置处排出排气空间402。

公开(公告)号：KR1020120107514A

公开(公告)日：2012-10-02

申请号：KR1020127021262

申请日：2011-01-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈키아유타 ,  강송윤 ,  모리야츠요시 ,  데라사와노부토시 ,  오카베요시아키

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/4404 ,  B29C59/14 ,  H01J37/32467 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32642 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/68757 ,  Y10S156/915

Abstract: 처리 용기 내에 기판을 반입해서 탑재대에 탑재하는 공정과, 적어도 표면부의 주성분이 기판의 피에칭막의 주성분과 동일한 재질인 링 부재를 기판을 둘러싸도록 배치한 상태에서, 기판에 대향하는 가스 공급부로부터 처리 가스를 샤워 형상으로 토출함과 아울러, 처리 가스를 플라즈마화해서 피에칭막을 에칭하는 공정과, 상기 처리 용기 내를 배기로를 거쳐서 진공 배기하는 공정을 포함하도록, 에칭을 실행한다. 이것에 의해, 기판의 둘레 가장자리 부근에서의 플라즈마의 활성종 분포의 불균일함을 억제한다.