기판 처리 장치
    1.
    发明公开
    기판 처리 장치 有权
    基板加工设备

    公开(公告)号:KR1020100131354A

    公开(公告)日:2010-12-15

    申请号:KR1020100048565

    申请日:2010-05-25

    CPC classification number: H01L21/67115 H01L21/67103 H01L21/68714

    Abstract: PURPOSE: A substrate processing apparatus is provided to prevent the generation of abnormal discharges by forming an infrared radiation body and a glass body in which the infrared radiation body is sealed. CONSTITUTION: A processing space(S) is arranged at the internal upper side of a processing chamber(11). A cylindrical susceptor(12) is arranged in the processing chamber. A shower head(27) is installed to the ceiling of the processing chamber in order to oppose the susceptor. A focus ring(24) is arranged on the external upper circumference of the susceptor. A ring shaped heater(26) is arranged around the focus ring.

    Abstract translation: 目的:提供一种基板处理装置,用于通过形成红外辐射体和红外辐射体被密封的玻璃体来防止产生异常放电。 构成:处理空间(S)布置在处理室(11)的内部上侧。 圆柱形基座(12)布置在处理室中。 淋浴头(27)安装在处理室的天花板上,以便与基座相对。 焦点环(24)布置在基座的外部上圆周上。 环形加热器(26)围绕聚焦环设置。

    기판 처리 장치
    2.
    发明授权
    기판 처리 장치 有权
    基板处理设备

    公开(公告)号:KR101676334B1

    公开(公告)日:2016-11-15

    申请号:KR1020100048565

    申请日:2010-05-25

    CPC classification number: H01L21/67115 H01L21/67103

    Abstract: 이상방전등을발생시키지않고각 구성부재를효율적으로가열할수 있는기판처리장치를제공한다. 기판처리장치(10)는, 감압가능한챔버(11)와챔버(11) 내에설치된서셉터(12)와서셉터(12)와대향하도록챔버(11)의천장부분에설치된샤워헤드(27)와서셉터(12)의상면외주부에배치된포커스링(24)을구비하고, 포커스링(24)의근방에배치된적외선복사식의링 형상의히터(26)를구비하고, 히터(26)는적외선복사체(26a) 및적외선복사체(26a)가봉입된석영제링(26b)으로이루어지고, 포커스링(24) 및히터(26)의사이에적외선의복사를저해하는부재를존재시키지않도록했다.

    Abstract translation: 一种基板处理装置,其能够在不引起异常放电灯的情况下有效地加热每个构成构件 基板处理装置10包括设置在腔室11内的可减压室11和基座12,以及与该基座12相对地设置在腔室11的中央的喷淋头27, 另外,配置在聚焦环24的附近且具有配置在聚焦环24的外周面的外周部的聚焦环24的红外线辐射式环形加热器26, 聚焦环24和加热器26不具有阻碍红外线辐射的部件,红外线辐射部件26a和红外线辐射部件26a由石英环26b制成。

    플라즈마 처리 장치
    3.
    发明授权
    플라즈마 처리 장치 有权
    等离子体加工设备

    公开(公告)号:KR101672856B1

    公开(公告)日:2016-11-04

    申请号:KR1020100090004

    申请日:2010-09-14

    CPC classification number: H01J37/32834 H01J37/32091

    Abstract: 종래에비해처리의면내균일성의향상을도모할수 있고또한, 처리챔버내의불필요한공간을삭감하여장치의소형화를도모할수 있는플라즈마처리장치를제공한다. 재치대와대향하는대향면에복수설치된가스토출홀로부터기판을향하여가스를샤워형상으로공급하는샤워헤드를구비하며, 대향면에형성된배기를위한복수의배기홀과, 재치대의주연부를따라설치되어상하이동가능하게된 고리형상부재이며, 상승위치에서재치대와샤워헤드와당해고리형상부재에의해둘러싸인처리공간을형성하는고리형상부재와, 고리형상부재의내벽부분에개구되어처리공간내로가스를공급하기위한복수의고리형상부재측가스토출홀과, 고리형상부재의내벽부분에개구되어처리공간내를배기하기위한복수의고리형상부재측배기홀을구비한플라즈마처리장치가제공된다.

    Abstract translation: 一种等离子体处理装置,包括:喷淋头,其通过设置在面对安装台的淋浴头的面对面上的多个气体排出孔向喷射模式的基板供给气体; 多个排气孔设置在淋浴喷头的相对面上; 沿着所述安装台的圆周安装的可垂直移动的环形构件,所述可垂直移动的环形构件被构造成在升高位置形成由所述安装台,所述淋浴喷头和所述环形构件包围的处理空间; 多个气体供给孔,其在所述环状部件的内壁上开口,向所述处理空间供给气体; 以及在所述环状构件的内壁上开口的多个排气孔,以对所述处理空间进行抽真空。

    플라즈마 처리 장치
    4.
    发明公开
    플라즈마 처리 장치 有权
    等离子体加工设备

    公开(公告)号:KR1020110030360A

    公开(公告)日:2011-03-23

    申请号:KR1020100090004

    申请日:2010-09-14

    CPC classification number: H01J37/32834 H01J37/32091

    Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus is provided to enhance the miniaturization of the device by reducing the unnecessary space within the process chamber. CONSTITUTION: A plurality of gas discharge holes(11) is installed on the opposite side facing a placement table(202). A shower head(100) supplies the gas from a gas discharge hole to a substrate in the showering manner. A plurality of discharge holes(13) for discharging is formed on the opposite side. A hook-shaped member(220) forms the process space with the placement table and the shower head.

    Abstract translation: 目的:提供等离子体处理装置,通过减少处理室内的不必要的空间来增强装置的小型化。 构成:多个气体排出孔(11)安装在面向放置台(202)的相对侧。 喷淋头(100)以喷淋方式将气体从气体排出孔供给到基板。 在相对侧形成有用于排出的多个排出孔(13)。 钩状构件(220)与放置台和淋浴头形成处理空间。

Patent Agency Ranking