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公开(公告)号：KR101672856B1
公开(公告)日：2016-11-04
申请号：KR1020100090004
申请日：2010-09-14
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32834 , H01J37/32091
Abstract: 종래에비해처리의면내균일성의향상을도모할수 있고또한, 처리챔버내의불필요한공간을삭감하여장치의소형화를도모할수 있는플라즈마처리장치를제공한다. 재치대와대향하는대향면에복수설치된가스토출홀로부터기판을향하여가스를샤워형상으로공급하는샤워헤드를구비하며, 대향면에형성된배기를위한복수의배기홀과, 재치대의주연부를따라설치되어상하이동가능하게된 고리형상부재이며, 상승위치에서재치대와샤워헤드와당해고리형상부재에의해둘러싸인처리공간을형성하는고리형상부재와, 고리형상부재의내벽부분에개구되어처리공간내로가스를공급하기위한복수의고리형상부재측가스토출홀과, 고리형상부재의내벽부분에개구되어처리공간내를배기하기위한복수의고리형상부재측배기홀을구비한플라즈마처리장치가제공된다.
Abstract translation: 一种等离子体处理装置，包括：喷淋头，其通过设置在面对安装台的淋浴头的面对面上的多个气体排出孔向喷射模式的基板供给气体; 多个排气孔设置在淋浴喷头的相对面上; 沿着所述安装台的圆周安装的可垂直移动的环形构件，所述可垂直移动的环形构件被构造成在升高位置形成由所述安装台，所述淋浴喷头和所述环形构件包围的处理空间; 多个气体供给孔，其在所述环状部件的内壁上开口，向所述处理空间供给气体; 以及在所述环状构件的内壁上开口的多个排气孔，以对所述处理空间进行抽真空。
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公开(公告)号：KR101514098B1
公开(公告)日：2015-04-21
申请号：KR1020100009300
申请日：2010-02-01
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/66 , H01L21/3065
Abstract: 기판 등의 온도를 정밀도 높게 측정 할 수 있고, 보다 정밀도 높고 효율적으로 기판의 플라즈마 처리를 실행하는 것이 가능한 플라즈마 처리 장치, 온도 측정 방법 및 온도 측정 장치를 제공한다. 진공 챔버(2)와, 탑재대(3)와, 탑재대(3)의 하방에, 탑재대(3)와 간격을 두고 마련된 베이스 플레이트(9)와, 온도 측정 수단을 구비하고, 탑재대(3)의 상방이 진공 분위기로 되고, 탑재대(3)와 베이스 플레이트(9) 사이의 간격이 상압 분위기로 되는 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 탑재대(3)의 상면과 하면을 온도 측정 수단의 측정광이 투과 가능하도록 광학적으로 연통하고, 또한 기밀 밀봉된 온도 측정용 윈도우(12 내지 15)를 마련하는 동시에, 탑재대(3)와 베이스 플레이트(9)와의 사이에, 이들을 연결하는 연결 부재(30)가 마련된다.
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公开(公告)号：KR1020120042775A
公开(公告)日：2012-05-03
申请号：KR1020120011804
申请日：2012-02-06
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/32091 , H01J37/32146 , H01J37/32165
Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus is provided to improve the stability and reliability of a plasma process by efficiently preventing the generation of charging damage. CONSTITUTION: An upper electrode(38) and a bottom electrode(12) are arranged in parallel facing each other in a processing container(10) which is vacuum exhaustible. A first radio frequency is applied to the bottom electrode passing through a first adapter(34) rather than a first radio frequency power(32). A controller(68) controls the first radio frequency power. A first period has first amplitude in which the first radio frequency contributing to plasma generation produces plasma. A second period has second amplitude in which the plasma is materially not produced. The first and second periods are alternatively repeated at a certain cycle.
Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置，通过有效地防止产生充电损伤来提高等离子体工艺的稳定性和可靠性。 构成：在真空可耗尽的处理容器（10）中，上部电极（38）和下部电极（12）相互平行地排列。 第一射频被施加到穿过第一适配器（34）而不是第一射频功率（32）的底部电极。 控制器（68）控制第一射频功率。 第一时段具有第一幅度，其中有助于等离子体产生的第一射频产生等离子体。 第二时段具有第二幅度，其中等离子体实质上不产生。 交替地，在一个周期重复第一和第二周期。
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公开(公告)号：KR1020110030360A
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：KR1020100090004
申请日：2010-09-14
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32834 , H01J37/32091
Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus is provided to enhance the miniaturization of the device by reducing the unnecessary space within the process chamber. CONSTITUTION: A plurality of gas discharge holes(11) is installed on the opposite side facing a placement table(202). A shower head(100) supplies the gas from a gas discharge hole to a substrate in the showering manner. A plurality of discharge holes(13) for discharging is formed on the opposite side. A hook-shaped member(220) forms the process space with the placement table and the shower head.
Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置，通过减少处理室内的不必要的空间来增强装置的小型化。 构成：多个气体排出孔（11）安装在面向放置台（202）的相对侧。 喷淋头（100）以喷淋方式将气体从气体排出孔供给到基板。 在相对侧形成有用于排出的多个排出孔（13）。 钩状构件（220）与放置台和淋浴头形成处理空间。
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公开(公告)号：KR101439580B1
公开(公告)日：2014-09-11
申请号：KR1020100028811
申请日：2010-03-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/02 , H01J37/32091 , H01J37/32146 , H01J37/32165
Abstract: 기판 처리 방법은 기판을 수용하는 수용실과, 상기 수용실내에 배치되어 상기 기판을 보지하도록 형성된 하부 전극과, 상기 수용실내에 플라즈마 생성용 고주파 전력을 인가하는 전력 인가부와, 상기 하부 전극에 바이어스용 고주파 전력을 인가하는 바이어스 전력 인가부를 포함하는 기판 처리 장치를 사용한다. 상기 기판 처리 방법에 있어서, 상기 여기 전력 인가부의 출력을 소정의 타이밍으로 변경해서 상기 가스 여기용 고주파 전력이 간헐적으로 변화되도록 제어하고, 또한, 상기 여기 전력 인가부의 제어에 의해 상기 수용실내에 플라즈마가 없는 상태 또는 애프터글로우 상태인 때에는, 상기 바이어스 전력 인가부를 오프로 하거나 또는 그 출력이, 상기 여기 전력 인가부의 출력이 설정 출력인 경우에 있어서의 상기 바이어스 전력 인가부의 출력보다 감소하도록 제어한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020100109513A
公开(公告)日：2010-10-08
申请号：KR1020100028811
申请日：2010-03-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/02 , H01J37/32091 , H01J37/32146 , H01J37/32165
Abstract: PURPOSE: The substrate processing apparatus and the method for treating substrates using this. The generation of heat caused by the direct current voltage can be shirked. The damage of the bias voltage impressing part by the load increase can be prevented tellingly. CONSTITUTION: The substrate processing apparatus(60) and the method for treating substrates using this. The accepting chamber, bottom electrode, activating electricity application portion, bias power application portion is included. The accepting chamber accepts substrate. In order to be arranged within the accepting chamber and it preserves substrate the bottom electrode is formed.
Abstract translation: 目的：使用该基板处理装置及其处理基板的方法。 由直流电压产生的热量可以推出。 可以有效地防止偏置电压施加部分的负载增加的损坏。 构成：基板处理装置（60）及其处理基板的方法。 包括接收室，底部电极，激活电力施加部分，偏置电力施加部分。 接收室接受基板。 为了布置在接收室内并且保持基板，形成底部电极。
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公开(公告)号：KR1020090018582A
公开(公告)日：2009-02-20
申请号：KR1020080079816
申请日：2008-08-14
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/32091 , H01J37/32146 , H01J37/32165
Abstract: A plasma processing apparatus, and the plasma processing method and a storage media are provided to effectively prevent generation of charging damage and to realize stability and reliability of plasma processing. An object to be processed is mounted on a first electrode in a processing chamber(10). A second electrode faces parallel to the first electrode in processing chamber. A processing gas supply unit(62) supplies a processing gas to a processing space between the first and second electrodes. A first radio frequency feeding unit applies the first radio frequency contributing to a plasma generation of the processing gas. A controller(68) controls the first radio frequency feeding unit to alternate the first and second periods. In a first period, the first radio frequency of a first amplitude creates plasma. In a second period, the first radio frequency does not create plasma substantially.
Abstract translation: 提供等离子体处理装置，等离子体处理方法和存储介质，以有效地防止产生充电损坏并实现等离子体处理的稳定性和可靠性。 要处理的物体安装在处理室（10）中的第一电极上。 第二电极在处理室中平行于第一电极。 处理气体供给单元（62）将处理气体供给到第一和第二电极之间的处理空间。 第一射频馈送单元施加有助于处理气体的等离子体产生的第一射频。 控制器（68）控制第一射频馈送单元交替第一和第二周期。 在第一时段中，第一幅度的第一射频产生等离子体。 在第二时段中，第一射频不产生等离子体。
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公开(公告)号：KR101434015B1
公开(公告)日：2014-08-25
申请号：KR1020120011804
申请日：2012-02-06
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/32091 , H01J37/32146 , H01J37/32165
Abstract: 본 발명의 과제는, 플라즈마 처리 장치에 있어서, 차징 대미지의 발생을 대폭 개선하고, 플라즈마 처리의 안정성 및 신뢰성의 향상을 실현하는 것이다.
본 발명의 플라즈마 처리 장치에 따르면, 진공배기 가능한 처리용기(10)내에 상부 전극(38)과 하부 전극(12)이 대향해서 평행으로 배치되어, 하부 전극(12)에는 제 1 고주파 전원(32)으로부터 제 1정합기(34)을 거쳐서 제 1 고주파가 인가된다. 제어부(68)은, 플라즈마 생성에 기여하는 제 1 고주파가, 플라즈마를 생성시키는 제 1의 진폭을 가지는 제 1의 기간과, 플라즈마를 실질적으로 생성시키지 않는 제 2의 진폭을 가지는 제 2의 기간을 소정의 주기로 교대로 반복되도록, 제 1 고주파 전원(32)을 제어한다.-
公开(公告)号：KR101181023B1
公开(公告)日：2012-09-07
申请号：KR1020080079816
申请日：2008-08-14
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/32091 , H01J37/32146 , H01J37/32165
Abstract: 본 발명의 과제는, 플라즈마 처리 장치에 있어서, 차징 대미지의 발생을 대폭 개선하고, 플라즈마 처리의 안정성 및 신뢰성의 향상을 실현하는 것이다.
본 발명의 플라즈마 처리 장치에 따르면, 진공배기 가능한 처리용기(10)내에 상부 전극(38)과 하부 전극(12)과가 대향해서 평행으로 배치되어, 하부 전극(12)에는 제 1 고주파 전원(32)보다 제 1정합기(34)을 거쳐서 제 1 고주파가 인가된다. 제어부(68)은, 플라즈마 생성에 기여하는 제 1 고주파가, 플라즈마를 생성시키는 제 1의 진폭을 가지는 제 1의 기간과, 플라즈마를 실질적으로 생성시키지 않는 제 2의 진폭을 가지는 제 2의 기간을 소정의 주기로 교대로 반복되도록, 제 1 고주파 전원(32)을 제어한다.-
公开(公告)号：KR101069972B1
公开(公告)日：2011-10-04
申请号：KR1020090018798
申请日：2009-03-05
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: G01K11/00 , G01K11/125
Abstract: 종래에비해더욱정밀도좋게온도를측정할수 있고, 더욱정밀도좋고또한효율좋게기판처리등을실행할수 있는온도측정장치및 온도측정방법을제공한다. 광원(110)으로부터의광을측정광과참조광으로나누기위한제 1 스플리터(120)와, 참조광을반사하기위한참조광반사수단(140)과, 참조광의광로길이를변화시키기위한광로길이변화수단(150)과, 참조광반사수단(140)으로부터의반사참조광을나누기위한제 2 스플리터(121)와, 온도측정대상물(10)로부터의반사측정광과반사참조광의간섭을측정하기위한제 1 광검출기(160)와, 반사참조광만의강도를측정하기위한제 2 광검출기(161)와, 제 1 광검출기(160)의출력에서제 2 광검출기(161)의출력을감산한후, 간섭위치를산출하고온도를산출하는콘트롤러(170)를구비한온도측정장치.
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