公开(公告)号：KR100588888B1

公开(公告)日：2006-06-13

申请号：KR1020010028047

申请日：2001-05-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 호소다게이조 ,  무라키유수케

IPC: H01G9/00

Abstract: 본 발명은 하부 도전막에 증착시켜 산화 탄탈막을 형성시킨 다음, 이를 활성 산소종으로 처리하고, 상기 처리된 막을 불활성 분위기에서 산화 탄탈의 결정화 온도보다 10 내지 80℃ 낮은 온도에서 어닐링(annealing)한 다음, 상기 어닐링된 산화 탄탈막에 상부 도전막을 형성시키는 것을 포함하는 커패시터의 제조방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR1020010107645A

公开(公告)日：2001-12-07

申请号：KR1020010028047

申请日：2001-05-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 호소다게이조 ,  무라키유수케

IPC: H01G9/00

Abstract: 본 발명은 하부 도전막에 증착시켜 산화 탄탈막을 형성시킨 다음, 이를 활성 산소종으로 처리하고, 상기 처리된 막을 불활성 분위기에서 산화 탄탈의 결정화 온도보다 10 내지 80℃ 낮은 온도에서 어닐링한 다음, 상기 어닐링된 산화 탄탈막에 상부 도전막을 형성시키는 것을 포함하는 커패시터의 제조방법에 관한 것이다.