公开(公告)号：KR1020110110006A

公开(公告)日：2011-10-06

申请号：KR1020110028709

申请日：2011-03-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마모토다카시 ,  미즈카미슌스케 ,  오타니류지 ,  히구치기미히로

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32 ,  H01L21/683 ,  H01L21/67 ,  C23C16/507 ,  C23C16/509 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01L21/6831 ,  C23C16/507 ,  C23C16/509 ,  C23C16/5093 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32642 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  Y10T29/41 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/205 ,  H01L21/302 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826

Abstract: 본 발명은 반도체 웨이퍼 등의 기판과, 하부 전극의 기재 또는 그 주변의 구조물과의 사이에서 방전이 발생하는 것을 방지할 수 있고, 양품률을 향상시켜 생산성의 향상을 도모할 수 있는 플라즈마 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다.
처리 챔버와, 처리 챔버내에 마련되고, 고주파 전력이 인가되는 도전성 금속으로 이루어지는 기재를 갖고, 피처리 기판이 탑재되는 탑재대를 겸한 하부 전극과, 처리 챔버내에 마련되고, 하부 전극과 대향하도록 배치된 상부 전극과, 하부 전극상에, 피처리 기판의 주위를 둘러싸도록 배치된 포커스 링을 구비한 플라즈마 처리 장치로서, 하부 전극의 기재와 포커스 링 사이에, 전류 제어 소자를 거쳐서 전기적인 접속을 실행하고 전위차에 따라 직류 전류를 발생시키는 전기적 접속 기구가 배치된다.

Abstract translation: 等离子体处理装置包括处理室; 设置在处理室中的下电极，具有由导电金属制成的基座，高频电源施加到该底座，下电极也用作用于安装目标衬底的安装台; 设置在所述处理室中以与所述下电极相对的上电极; 以及设置在所述下电极上方以围绕所述目标基板的聚焦环。 电连接机构设置在下电极的底座和聚焦环之间，通过电流控制元件将下电极的底座与聚焦环电连接，并根据电位差产生直流电流。

公开(公告)号：KR101695037B1

公开(公告)日：2017-01-10

申请号：KR1020110028709

申请日：2011-03-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마모토다카시 ,  미즈카미슌스케 ,  오타니류지 ,  히구치기미히로

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32 ,  H01L21/683 ,  H01L21/67 ,  C23C16/507 ,  C23C16/509 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01L21/6831 ,  C23C16/507 ,  C23C16/509 ,  C23C16/5093 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32642 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  Y10T29/41

Abstract: 본발명은반도체웨이퍼등의기판과, 하부전극의기재또는그 주변의구조물과의사이에서방전이발생하는것을방지할수 있고, 양품률을향상시켜생산성의향상을도모할수 있는플라즈마처리장치및 반도체장치의제조방법을제공한다. 처리챔버와, 처리챔버내에마련되고, 고주파전력이인가되는도전성금속으로이루어지는기재를갖고, 피처리기판이탑재되는탑재대를겸한하부전극과, 처리챔버내에마련되고, 하부전극과대향하도록배치된상부전극과, 하부전극상에, 피처리기판의주위를둘러싸도록배치된포커스링을구비한플라즈마처리장치로서, 하부전극의기재와포커스링 사이에, 전류제어소자를거쳐서전기적인접속을실행하고전위차에따라직류전류를발생시키는전기적접속기구가배치된다.

Abstract translation: 等离子体处理装置包括处理室; 设置在处理室中的下电极，具有由导电金属制成的基座，高频电源施加到该底座，下电极也用作用于安装目标衬底的安装台; 设置在所述处理室中以与所述下电极相对的上电极; 以及设置在所述下电极上方以围绕所述目标基板的聚焦环。 电连接机构设置在下电极的底座和聚焦环之间，通过电流控制元件将下电极的底座与聚焦环电连接，并根据电位差产生直流电流。