샤워 헤드 어셈블리 및 플라즈마 처리 장치
    3.
    发明公开
    샤워 헤드 어셈블리 및 플라즈마 처리 장치 审中-实审
    淋浴头组件和等离子体加工设备

    公开(公告)号:KR1020150054655A

    公开(公告)日:2015-05-20

    申请号:KR1020140144034

    申请日:2014-10-23

    Abstract: 본발명은열의응답성및 균열성(均熱性)이좋은샤워헤드어셈블리를제공하는것을목적으로한다. 본발명에의하면, 전극판과상기전극판을지지하는세라믹스의기체(基體)를가지며, 가스를공급하는샤워헤드어셈블리로서, 상기세라믹스의기체는, 상기기체의중심측및 주연(周緣)측에형성되는제1 및제2 가스확산공간과, 상기제1 및제2 가스확산공간의상방위치에형성되는제1 및제2 히터전극층과, 상기제1 및제2 가스확산공간의상방위치이며상기제1 및제2 히터전극층의상방또는하방의위치에형성되는제1 및제2 냉매유로와, 상기제1 및제2 가스확산공간을통해가스를공급하는제1 및제2 가스공급로를갖고, 상기기체의내부에접합면이없도록제작되어있는샤워헤드어셈블리가제공된다.

    Abstract translation: 本发明的目的是提供一种具有良好的热响应性和热均匀性的喷淋头组件。 根据本发明,淋浴头组件供应气体并且包括电极板和陶瓷基体以支撑电极板。 陶瓷基体包括:形成在基体的中间或周边上的第一和第二气体分散空间; 形成在第一和第二气体分散空间上的第一和第二加热电极层; 第一和第二制冷剂通道,其形成在第一和第二气体分散空间的上方,在第一和第二加热器电极层的上方或下方; 以及第一和第二气体供给通道,用于通过第一和第二气体分散空间供应气体。 淋浴头组件在基体内没有接触表面。

    정전척 및 그 제조 방법
    4.
    发明授权
    정전척 및 그 제조 방법 有权
    静电切割及其制造方法

    公开(公告)号:KR101163825B1

    公开(公告)日:2012-07-09

    申请号:KR1020090026291

    申请日:2009-03-27

    Abstract: 도전체층과 이것을 사이에 끼우는 절연체층으로 구성되는 적층 구조를 가지는 정전척의 주위에 형성된 세라믹스 용사막과 기재의 밀착성이 좋고, 또한 핸들링 시에 외부충격력이 작용해도, 용이하게 용사막이 파손하지 않는 정전척을 제공한다. 절연체층 사이에 끼워진 금속층을 포함하는 적층 구조의 정전척으로서, 상기 금속층의 주연의 노출 부분에 형성된 오목부가 절연성 용사막에 의해 피복되어 있다. 이 정전척의 용사막은, 적어도 상기 오목부의 내측에 노출하는 상기 금속층을 피복하고, 또한 상기 오목부보다 돌출하지 않도록 피복되어 있는 것이 바람직하다. 이에 의해, 금속층으로부터의 누전이나, 금속층의 부식을 방지할 수 있는 동시에, 핸들링 시에 용사막에 외부충격력이 작용해도, 용사막의 파손을 방지할 수 있다.

    플라즈마 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
    5.
    发明授权
    플라즈마 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 有权
    等离子体加工设备和半导体器件制造方法

    公开(公告)号:KR101695037B1

    公开(公告)日:2017-01-10

    申请号:KR1020110028709

    申请日:2011-03-30

    Abstract: 본발명은반도체웨이퍼등의기판과, 하부전극의기재또는그 주변의구조물과의사이에서방전이발생하는것을방지할수 있고, 양품률을향상시켜생산성의향상을도모할수 있는플라즈마처리장치및 반도체장치의제조방법을제공한다. 처리챔버와, 처리챔버내에마련되고, 고주파전력이인가되는도전성금속으로이루어지는기재를갖고, 피처리기판이탑재되는탑재대를겸한하부전극과, 처리챔버내에마련되고, 하부전극과대향하도록배치된상부전극과, 하부전극상에, 피처리기판의주위를둘러싸도록배치된포커스링을구비한플라즈마처리장치로서, 하부전극의기재와포커스링 사이에, 전류제어소자를거쳐서전기적인접속을실행하고전위차에따라직류전류를발생시키는전기적접속기구가배치된다.

    Abstract translation: 等离子体处理装置包括处理室; 设置在处理室中的下电极,具有由导电金属制成的基座,高频电源施加到该底座,下电极也用作用于安装目标衬底的安装台; 设置在所述处理室中以与所述下电极相对的上电极; 以及设置在所述下电极上方以围绕所述目标基板的聚焦环。 电连接机构设置在下电极的底座和聚焦环之间,通过电流控制元件将下电极的底座与聚焦环电连接,并根据电位差产生直流电流。

    정전척 및 그 제조 방법
    6.
    发明公开
    정전척 및 그 제조 방법 有权
    静电切割及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020090103815A

    公开(公告)日:2009-10-01

    申请号:KR1020090026291

    申请日:2009-03-27

    Abstract: PURPOSE: An electrostatic chuck and manufacturing method thereof are provided to prevent corrosion or leak, from the metal layer or the metal layer. CONSTITUTION: The electrostatic chuck(30) is the laminating structure including the metal layer inserted between the insulator layers. The electrostatic chuck is covered with the insulating property sprayed film. The sprayed film covers the metal layer which exposes to the inner side of the concave part. The sprayed film is coated not to be protruded from the concave part. The metal layer is the conductive layer or the cracking layer. The cross-sectional shape of the concave part is one among the funnel shape, the envelope shape and the dish-shaped.

    Abstract translation: 目的:提供一种静电卡盘及其制造方法,以防止金属层或金属层的腐蚀或泄漏。 构成:静电卡盘(30)是包括插入在绝缘体层之间的金属层的层压结构。 静电吸盘被绝缘性喷涂膜覆盖。 喷涂膜覆盖暴露于凹部内侧的金属层。 涂布不从凹部突出的喷涂膜。 金属层是导电层或裂纹层。 凹部的截面形状是漏斗形状,信封形状和盘状之一。

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