公开(公告)号：KR1020160015288A

公开(公告)日：2016-02-12

申请号：KR1020157036805

申请日：2014-05-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 벤트젝페터엘.지. ,  고바야시유우키

IPC: H01L21/223 ,  H01L21/66 ,  H01J37/32 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/2236 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32412 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/32972 ,  H01L22/26

Abstract: 비-평탄표면또는불량뷰 팩터에영향을받는기판의표면을도핑하는방법이제공된다. 프로세싱챔버는산소-함유재료를가지는프로세싱챔버의윈도우, 벽및 바닥부를포함하고, 프로세스챔버는첨가물로서산소라디칼을하나이상의도핑재료에공급하도록구성된다. 하나이상의석영피스가프로세싱챔버내에배치되고, 여기서프로세싱챔버에근접한자석은프로세싱챔버내에로컬마그네트론플라즈마를생성하도록구성된다. 불활성가스, 승화된도핑재료및 선택적으로산소가스를함유하는프로세스가스가프로세싱챔버내로흐른다.

公开(公告)号：KR101762528B1

公开(公告)日：2017-07-27

申请号：KR1020157036805

申请日：2014-05-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 벤트젝페터엘.지. ,  고바야시유우키

IPC: H01L21/223 ,  H01L21/66 ,  H01J37/32 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/2236 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32412 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/32972 ,  H01L22/26

Abstract: 비-평탄표면또는불량뷰 팩터에영향을받는기판의표면을도핑하는방법이제공된다. 프로세싱챔버는산소-함유재료를가지는프로세싱챔버의윈도우, 벽및 바닥부를포함하고, 프로세스챔버는첨가물로서산소라디칼을하나이상의도핑재료에공급하도록구성된다. 하나이상의석영피스가프로세싱챔버내에배치되고, 여기서프로세싱챔버에근접한자석은프로세싱챔버내에로컬마그네트론플라즈마를생성하도록구성된다. 불활성가스, 승화된도핑재료및 선택적으로산소가스를함유하는프로세스가스가프로세싱챔버내로흐른다.

Abstract translation: 提供了一种掺杂受非平面表面或不良视角因素影响的衬底表面的方法。 处理室包括具有含氧材料的处理室的窗口，壁和底部，并且处理室构造成将氧自由基作为添加剂供应到至少一种掺杂材料。 至少一个石英片设置在处理室内，其中接近处理室的磁体被配置成在处理室内产生局部磁控管等离子体。 包含惰性气体，升华的掺杂材料和可选的氧气的处理气体流入处理室。