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公开(公告)号：KR1020150138369A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：KR1020157031579
申请日：2014-04-03
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/223 , H01L29/66 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/2236 , H01J37/32412 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01L29/66803
Abstract: 본발명은도펀트로기판의표면을도핑하기위한방법및 장치에관한것으로, 도펀트는예를들어, 포스핀또는아르신이다. 도핑은낮은농도의도펀트로주로헬륨또는아르곤과같은불활성가스로수행된다. 등각의도핑을제공하기위해, 바람직하게도펀트의모노층(monolayer)을형성하기위해, 가스흐름유입위치는도핑프로세스동안스위칭되고, 가스혼합물은주로제 1 시간주기동안프로세스챔버에서중심최상부포트를통해유입된다음에제 2 시간주기동안주로주변또는에지분사포트를통해가스혼합물이유입되고, 스위칭은플라즈마프로세스로서교번방식으로계속한다.
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公开(公告)号：KR1020140083882A
公开(公告)日：2014-07-04
申请号：KR1020130159409
申请日：2013-12-19
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01J37/32192 , H01J21/22 , H01J37/3222 , H01J37/32449 , H01J37/32972 , H01J37/3299 , H01L21/22
Abstract: An objective of the present invention is to provide a plasma doping apparatus for stably doping a substrate to be treated, and to increase surface uniformity of dopant on the substrate to be treated. A plasma generation device (39) provided in the plasma doping apparatus (31) includes a microwave generation unit (35) to generate a microwave for plasma excitation; a dielectric window (36) allowing the microwave generated from the microwave generation unit (35) to be transmitted into a processing vessel (32); and a radial line slot antenna (37) provided thereon with a plurality of slots to radiate the microwave to the dielectric window (36). A control unit (28) controls a gas supplying unit (33) to supply a doping gas and a gas for the plasma excitation into the processing vessel (32) while positioning a substrate (W) to be treated on a supporting unit (34), and controls the plasma generation device (39) to generate the plasma after the doping gas and the gas for the plasma excitation are supplied by the gas supplying unit (33) so that doping is performed on the substrate (W) such that a density of a dopant implanted into the substrate (W) to be treated is less than 1X1013atoms/cm2.
Abstract translation: 本发明的目的是提供一种用于稳定地掺杂待处理衬底的等离子体掺杂装置，并且增加待处理衬底上的掺杂剂的表面均匀性。 设置在等离子体掺杂装置（31）中的等离子体产生装置（39）包括产生用于等离子体激发的微波的微波产生单元（35） 允许从微波产生单元（35）产生的微波被传送到处理容器（32）中的电介质窗（36）; 以及设置有多个槽的径向线缝隙天线（37），以将所述微波辐射到所述电介质窗口（36）。 控制单元（28）控制气体供给单元（33），以将待处理的基板（W）定位在支撑单元（34）上以将等离子体激发的掺杂气体和气体供给到处理容器（32） 并且在气体供给单元（33）供给掺杂气体和等离子体激发用气体之后，控制等离子体产生装置（39）产生等离子体，使得在基板（W）上进行掺杂，使得密度 注入到待处理的基板（W）中的掺杂剂小于1×10 13原子/ cm 2。
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公开(公告)号：KR101815746B1
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：KR1020157031579
申请日：2014-04-03
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/223 , H01L29/66 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/2236 , H01J37/32412 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01L29/66803
Abstract: 본발명은도펀트로기판의표면을도핑하기위한방법및 장치에관한것으로, 도펀트는예를들어, 포스핀또는아르신이다. 도핑은낮은농도의도펀트로주로헬륨또는아르곤과같은불활성가스로수행된다. 등각의도핑을제공하기위해, 바람직하게도펀트의모노층(monolayer)을형성하기위해, 가스흐름유입위치는도핑프로세스동안스위칭되고, 가스혼합물은주로제 1 시간주기동안프로세스챔버에서중심최상부포트를통해유입된다음에제 2 시간주기동안주로주변또는에지분사포트를통해가스혼합물이유입되고, 스위칭은플라즈마프로세스로서교번방식으로계속한다.
Abstract translation: 本发明涉及用掺杂剂掺杂衬底表面的方法和设备，其中掺杂剂例如是膦或胂。 用低浓度的掺杂剂掺杂惰性气体，如氦气或氩气。 为了提供共形掺杂，优选形成掺杂剂的单层，在掺杂过程期间切换气流入口位置，并且气体混合物主要在第一时间段期间流过处理室中的中央顶端口 在引入之后的第二时间段内，气体混合物主要通过外围或边缘注入口引入，并且开关作为等离子体工艺以交替方式继续。
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公开(公告)号：KR1020140113663A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：KR1020147018379
申请日：2012-10-19
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/265 , H05H1/46
CPC classification number: H01L21/2236 , C23C16/452 , H01L29/66803 , H01L29/7833
Abstract: 플라즈마 도핑 장치(31)는, 피처리 기판(W)에 도펀트를 주입하여 도핑을 하는 플라즈마 도핑 장치(31)로서, 그 내부에서 피처리 기판(W)에 도펀트를 주입시키는 처리 용기(32)와, 처리 용기(32) 내에 도핑 가스 및 플라즈마 여기용의 불활성 가스를 공급하는 가스 공급부(33)와, 처리 용기(32) 내에 배치되고, 그 위에서 피처리 기판(W)을 유지하는 유지대(34)와, 마이크로파를 이용하여, 처리 용기(32) 내에 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생 기구(39)와, 처리 용기(32) 내의 압력을 조정하는 압력 조정 기구와, 플라즈마 도핑 장치(31)를 제어하는 제어부(28)를 구비한다. 제어부(28)는, 처리 용기(32) 내의 압력을 100 mTorr 이상 500 mTorr 미만으로 하도록 압력 조정 기구를 제어하고, 플라즈마 발생 기구(39)에 의해 발생시킨 플라즈마에 의해 피처리 기판(W)에 플라즈마 처리를 한다.
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公开(公告)号：KR1020170095887A
公开(公告)日：2017-08-23
申请号：KR1020177017101
申请日：2015-12-14
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/22 , H01L29/78 , H01L21/265 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/2236 , H01J37/32192 , H01J37/32266 , H01J37/32403 , H01J37/3244 , H01J37/32715 , H01J2237/335 , H01J2237/3365 , H01L21/02057 , H01L29/66803 , H01L21/22 , H01L21/02315 , H01L21/265 , H01L29/785
Abstract: 피처리기판에도펀트를주입하여도핑을행하는도핑방법이다. 상기도핑방법에따르면, 플라즈마도핑처리시에공급하는바이어스전력의값을, 플라즈마도핑후에실시하는세정처리를전제로한 소정값으로설정하여, 마이크로파를이용하여처리용기내에플라즈마를발생시킴으로써처리용기내의유지대에유지된피처리기판에대하여플라즈마도핑처리를행한다.
Abstract translation: 并且通过将掺杂剂注入到待处理的衬底中来执行掺杂。 根据掺杂法，偏置功率的值，以通过设置预定的值被提供给等离子体掺杂处理，以在假设等离子体掺杂之后执行清洗过程时，在处理室中，从而生成所述处理容器使用微波范围内的等离子 并且，对保持在保持台上的被处理基板实施等离子体掺杂处理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160015288A
公开(公告)日：2016-02-12
申请号：KR1020157036805
申请日：2014-05-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/223 , H01L21/66 , H01J37/32 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/2236 , H01J37/32192 , H01J37/32412 , H01J37/32935 , H01J37/32972 , H01L22/26
Abstract: 비-평탄표면또는불량뷰 팩터에영향을받는기판의표면을도핑하는방법이제공된다. 프로세싱챔버는산소-함유재료를가지는프로세싱챔버의윈도우, 벽및 바닥부를포함하고, 프로세스챔버는첨가물로서산소라디칼을하나이상의도핑재료에공급하도록구성된다. 하나이상의석영피스가프로세싱챔버내에배치되고, 여기서프로세싱챔버에근접한자석은프로세싱챔버내에로컬마그네트론플라즈마를생성하도록구성된다. 불활성가스, 승화된도핑재료및 선택적으로산소가스를함유하는프로세스가스가프로세싱챔버내로흐른다.
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公开(公告)号：KR1020150077367A
公开(公告)日：2015-07-07
申请号：KR1020140190968
申请日：2014-12-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/265 , H05H1/46 , H01L21/324 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/2236 , H01J37/32192 , H01J37/32412 , H01L29/66803
Abstract: 플라즈마도핑방법은, 피처리기판에도펀트를주입하여도핑을행하는플라즈마도핑방법이다. 플라즈마도핑방법은, 실시형태의일례에있어서, 마이크로파를이용하여처리용기내에플라즈마를발생시킴으로써, 처리용기내의유지대에유지된피처리기판에대하여플라즈마도핑처리를행하는플라즈마도핑처리공정을포함한다. 또한, 플라즈마도핑방법은, 실시형태의일례에있어서, 플라즈마도핑처리가행해진피처리기판에대하여어닐링처리를행하는어닐링처리공정을포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种半导体器件的掺杂方法，掺杂装置和制造方法。 等离子体掺杂法通过将掺杂剂插入未处理衬底来进行掺杂。 等离子体掺杂方法包括等离子体掺杂工艺，以通过在一个实施例中通过使用微波在等离子体内在处理容器内产生等离子体来对保持在处理容器内的维持台上的未处理衬底进行等离子体掺杂。 此外，等离子体掺杂方法包括对在其中在一个实施例中执行等离子体掺杂工艺的未处理衬底执行取消处理的废止处理过程。
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公开(公告)号：KR101762528B1
公开(公告)日：2017-07-27
申请号：KR1020157036805
申请日：2014-05-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/223 , H01L21/66 , H01J37/32 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/2236 , H01J37/32192 , H01J37/32412 , H01J37/32935 , H01J37/32972 , H01L22/26
Abstract: 비-평탄표면또는불량뷰 팩터에영향을받는기판의표면을도핑하는방법이제공된다. 프로세싱챔버는산소-함유재료를가지는프로세싱챔버의윈도우, 벽및 바닥부를포함하고, 프로세스챔버는첨가물로서산소라디칼을하나이상의도핑재료에공급하도록구성된다. 하나이상의석영피스가프로세싱챔버내에배치되고, 여기서프로세싱챔버에근접한자석은프로세싱챔버내에로컬마그네트론플라즈마를생성하도록구성된다. 불활성가스, 승화된도핑재료및 선택적으로산소가스를함유하는프로세스가스가프로세싱챔버내로흐른다.
Abstract translation: 提供了一种掺杂受非平面表面或不良视角因素影响的衬底表面的方法。 处理室包括具有含氧材料的处理室的窗口，壁和底部，并且处理室构造成将氧自由基作为添加剂供应到至少一种掺杂材料。 至少一个石英片设置在处理室内，其中接近处理室的磁体被配置成在处理室内产生局部磁控管等离子体。 包含惰性气体，升华的掺杂材料和可选的氧气的处理气体流入处理室。
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公开(公告)号：KR1020160078880A
公开(公告)日：2016-07-05
申请号：KR1020150179284
申请日：2015-12-15
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/223 , H01L21/265 , H01J37/32 , H01L21/225 , H01L29/78 , H01L21/8234
CPC classification number: H01L21/2236 , H01L21/2256
Abstract: 본발명은도핑직후에피처리기판의열처리를할 수없는경우라도, 컨포멀도핑을실현하는것을그 과제로한다. 본발명에따른도핑방법은피처리기판에도펀트를주입하여도핑을행하는도핑방법이다. 우선, 산화막형성공정에있어서, 도핑처리를실시하기전에, 피처리기판상에산화막을형성한다. 그리고, 피처리기판상에산화막을형성한후에, 해당산화막의위로부터플라즈마도핑처리를행한다.
Abstract translation: 本发明的目的是进行适形掺杂，即使在掺杂后不能立即对待处理的基板进行热处理。 根据本发明，掺杂方法通过将掺杂剂注入待处理的基板来进行掺杂。 首先，在氧化膜形成工序中，在掺杂处理前的基板上形成氧化膜。 此外，在待处理的基板上形成氧化膜之后，从相应的氧化膜的顶部进行等离子体掺杂处理。
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公开(公告)号：KR101544938B1
公开(公告)日：2015-08-17
申请号：KR1020130159409
申请日：2013-12-19
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01J37/32192 , H01J21/22 , H01J37/3222 , H01J37/32449 , H01J37/32972 , H01J37/3299 , H01L21/22
Abstract: 본발명은피처리기판에대한안정된도핑을행할수 있고, 피처리기판에대한도우즈량의면내균일성을높일수 있는플라즈마도핑장치를제공하는것을과제로한다. 이러한플라즈마도핑장치(31)에구비되는플라즈마발생기구(39)는, 플라즈마여기용의마이크로파를발생시키는마이크로파발생기(35)와, 마이크로파발생기(35)에의해발생시킨마이크로파를처리용기(32) 내에투과시키는유전체창(36)과, 복수의슬롯이마련되어있고, 마이크로파를유전체창(36)에방사하는레이디얼라인슬롯안테나(37)를포함한다. 제어부(28)는, 유지대(34) 상에피처리기판(W)을배치시킨상태로, 처리용기(32) 내에가스공급부(33)에의해도핑가스및 플라즈마여기용의가스를공급하고, 가스공급부(33)에의해도핑가스및 플라즈마여기용의가스를공급한후에플라즈마발생기구(39)에의해플라즈마를발생시켜피처리기판(W)에도핑을행하며, 피처리기판(W)에주입되는도펀트의농도가 1×10atoms/㎠미만이되도록제어한다.
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