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公开(公告)号：KR1020160084449A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：KR1020167015423
申请日：2014-11-10
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 브라운이안제이.
CPC classification number: B08B7/0057 , B08B3/08 , B08B3/10 , C11D11/0047 , H01L21/67051 , H01L21/67115 , H01L21/6715 , H01L21/02054
Abstract: 기판을세정하는시스템및 방법은과산화수소및 UV(ultraviolet) 조사의조합처리를포함한다. 특정실시형태는묽은과산화수소액의액막아래에잠긴회전기판에대한 185/254 nm UV를이용한조사를포함한다. 이러한세정처리로 UV 노광없는동일한과산화수소액을이용한처리와비교해서 TiN 박리율이약 100% 개선될수 있다. 본방법은실온에서도실행되며, 여전히개선된세정효율을제공할수 있다.
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1020170113282A
公开(公告)日：2017-10-12
申请号：KR1020170038514
申请日：2017-03-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 브라운이안제이.
IPC: H01L21/02 , H01L21/027 , H01L21/67 , H01L21/205 , H01L21/324 , H01L21/3065 , G03F7/20
CPC classification number: H01L21/0206 , B08B7/0057 , G03F7/42 , G03F7/423 , H01L21/02063 , H01L21/31058 , H01L21/31138 , H01L21/3115 , H01L21/324
Abstract: 기판을처리하기위한방법은, 기판의표면상에불소화폴리머잔류물을갖는기판을수용하는단계를포함한다. 불소화폴리머잔류물이처리되어전자기(EM) 방사선노출에대해증가된민감도를갖는처리된불소화폴리머잔류물을제공한다. 처리된불소화폴리머잔류물이산소함유환경에서 EM 방사선으로처리되어기판으로부터불소화폴리머잔류물을제거하기위한세정공정을용이하게한다.
Abstract translation: 用于处理基板的方法包括在基板的表面上接收具有氟化聚合物残余物的基板。 处理氟化聚合物残余物以提供对电磁（EM）辐射曝光具有增加的敏感度的经处理的氟化聚合物残余物。 用含氧环境中的EM辐射处理经处理的氟化聚合物残余物以促进清洁过程以从基材去除氟化聚合物残余物。
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公开(公告)号：KR1020170105439A
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：KR1020170030064
申请日：2017-03-09
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , H01L21/68 , H01L21/67 , C23C16/40 , C23C16/452
CPC classification number: H01L21/0206 , B08B5/00 , B08B7/0057 , B08B7/04 , H01L21/31122 , H01L21/31138 , H01L21/67023
Abstract: 기판을프로세싱하기위한장치및 방법. 방법은기판프로세싱시스템의프로세싱챔버내에기판을배치하는단계를포함한다. 기판은기판의작업표면상에탄소함유물질의층을포함한다. 방법은또한기판프로세싱시스템의증기처리영역에서과산화수소증기를수용하는단계, 증기처리영역에서과산화수소증기를처리함으로써히드록실라디칼증기를생성하는단계, 및히드록실라디칼증기및 남아있는과산화수소증기를기판의작업표면으로지향시키는단계로서, 이는탄소함유물질이화학적으로변성되게하는것인, 지향단계를포함한다.
Abstract translation: 一种处理基板的设备和方法。 该方法包括将衬底放置在衬底处理系统的处理室中。 衬底包括在衬底的工作表面上的含碳材料层。 方法还可以在从基板处理系统的蒸汽处理区域接收所述过氧化氢蒸气，其包含的步骤工作：通过在蒸气处理区处理所述过氧化氢蒸汽产生羟基自由基蒸气，和羟基自由基蒸气和剩余的过氧化氢蒸汽在基板 指向表面，其包括引导含碳材料化学变性。
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公开(公告)号：KR101695111B1
公开(公告)日：2017-01-10
申请号：KR1020157003337
申请日：2013-07-09
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 브라운이안제이.
CPC classification number: H01L21/67057 , G03F7/42 , H01L21/02076 , H01L21/31133 , H01L21/67051 , H01L21/67086 , H01L21/67115 , H01L21/6715
Abstract: 단일기판툴을이용하여이온주입레지스트를스트립핑하거나포스트-애시클린을수행하기위한방법및 시스템이제공된다. 클리닝목표들및 클리닝동작변수들이최적화를위해선택된다. 제 1 단계는동시에 UV 광으로기판을조사하면서제 1 처리화학물에기판을침지하며, 프로세스는기판의제 1 프로세스시간, 제 1 유량및 제 1 회전속도로완료된다. 제 2 단계는제 2 온도및 제 2 조성에서제 2 처리화학물을기판상에제공하며, 제 2 처리화학물은제공온도로제공되며제 2 프로세스시간및 제 2 회전속도로완료된다. 2개이상의선택클리닝동작변수들은 UV 파장, UV 파워, 제 1 농도, 제 1 회전속도, 제 1 유량, 제 2 프로세스시간, 제 2 회전속도, 잔여물제거의퍼센티지및 제공온도를포함한다.
Abstract translation: 提供了一种用于剥离离子植入的抗蚀剂或使用单个基底工具执行后灰分清洁的方法和系统。 选择清洁目标和清洁操作变量进行优化。 第一步骤将基板浸入第一处理化学品中，同时用UV光照射基板，该工艺在基板的第一工艺时间，第一流速和第一转速下完成。 第二步骤在第二温度和第二组合物的基础上分配第二处理化学品，第二处理化学品在分配温度下分配，并在第二处理时间和第二转速下完成。 两个或更多个选择的清洁操作变量包括UV波长，UV功率，第一浓度，第一转速，第一流量，第二处理时间，第二转速，残渣去除的百分比和分配温度。
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公开(公告)号：KR1020150038022A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：KR1020157003337
申请日：2013-07-09
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 브라운이안제이.
CPC classification number: H01L21/67057 , G03F7/42 , H01L21/02076 , H01L21/31133 , H01L21/67051 , H01L21/67086 , H01L21/67115 , H01L21/6715
Abstract: 단일기판툴을이용하여이온주입레지스트를스트립핑하거나포스트-애시클린을수행하기위한방법및 시스템이제공된다. 클리닝목표들및 클리닝동작변수들이최적화를위해선택된다. 제 1 단계는동시에 UV 광으로기판을조사하면서제 1 처리화학물에기판을침지하며, 프로세스는기판의제 1 프로세스시간, 제 1 유량및 제 1 회전속도로완료된다. 제 2 단계는제 2 온도및 제 2 조성에서제 2 처리화학물을기판상에제공하며, 제 2 처리화학물은제공온도로제공되며제 2 프로세스시간및 제 2 회전속도로완료된다. 2개이상의선택클리닝동작변수들은 UV 파장, UV 파워, 제 1 농도, 제 1 회전속도, 제 1 유량, 제 2 프로세스시간, 제 2 회전속도, 잔여물제거의퍼센티지및 제공온도를포함한다.
Abstract translation: 提供了一种用于剥离离子植入的抗蚀剂或使用单个基底工具执行后灰分清洁的方法和系统。 选择清洁目标和清洁操作变量进行优化。 第一步骤将基板浸入第一处理化学品中，同时用UV光照射基板，该工艺在基板的第一工艺时间，第一流速和第一转速下完成。 第二步骤在第二温度和第二组合物的基础上分配第二处理化学品，第二处理化学品在分配温度下分配，并在第二处理时间和第二转速下完成。 两个或更多个选择的清洁操作变量包括UV波长，UV功率，第一浓度，第一转速，第一流量，第二处理时间，第二转速，残渣去除的百分比和分配温度。
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