公开(公告)号：KR100590370B1

公开(公告)日：2006-06-15

申请号：KR1020017004885

申请日：1999-10-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사이토다케시 ,  나가세키가즈야

IPC: H01L21/3065

Abstract: 에칭 장치(100)의 처리실(102)내에 배치된 하부 전극(106)상에 웨이퍼(W)를 탑재함과 동시에, 처리실(102)내에 C
4 F
8 를 포함하는 가스를 도입한다. 제어기(112)에 의해 플라즈마 생성용 전원(120)으로부터 27MHz의 전력을 상부 전극(114)에 인가함과 동시에, 바이어스용 전원(108)으로부터 800kHz의 전력을 하부 전극(106)에 간헐적으로 인가한다. 바이어스용 전력이 온일 때는 웨이퍼(W)의 SiO
2 로 이루어지는 절연막(202)이 에칭되고, 오프일 때는 포토레지스트막(206)에 폴리머(보호막)(208)가 형성된다. 이러한 구성에 의해, 포토레지스트막에 대한 절연막의 선택비를 향상시켜, 소정 형상의 콘택트 홀을 형성하는 것이 가능하다.

Abstract translation: 晶片W安装在设置在蚀刻装置100的处理室102内的下部电极106上，

公开(公告)号：KR1020010080234A

公开(公告)日：2001-08-22

申请号：KR1020017004885

申请日：1999-10-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사이토다케시 ,  나가세키가즈야

IPC: H01L21/3065

Abstract: 에칭 장치(100)의 처리실(102)내에 배치된 하부 전극(106)상에 웨이퍼(W)를 탑재함과 동시에, 처리실(102)내에 C
4 F
8 를 포함하는 가스를 도입한다. 제어기(112)에 의해 플라즈마 생성용 전원(120)으로부터 27MHz의 전력을 상부 전극(114)에 인가함과 동시에, 바이어스용 전원(108)으로부터 800kHz의 전력을 하부 전극(106)에 간헐적으로 인가한다. 바이어스용 전력이 온일 때는 웨이퍼(W)의 SiO
2 로 이루어지는 절연막(202)이 에칭되고, 오프일 때는 포토레지스트막(206)에 폴리머(보호막)(208)가 형성된다. 이러한 구성에 의해, 포토레지스트막에 대한 절연막의 선택비를 향상시켜, 소정 형상의 콘택트 홀을 형성하는 것이 가능하다.