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公开(公告)号：KR1020040035813A
公开(公告)日：2004-04-29
申请号：KR1020047003954
申请日：2002-09-19
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01J37/32623 , H01J37/32688
Abstract: 자장 형성 기구(21)의 각 자석 세그먼트(22)가 도 3a에 도시하는 바와 같이 각 자석 세그먼트(22)의 자극이 진공 챔버(1)측을 향한 상태로부터, 도 3b, 도 3c에 도시하는 바와 같이, 인접하는 자석 세그먼트(22)가 동기하여 반대 방향, 따라서 하나 건너 하나씩의 자석 세그먼트(22)가 동일한 방향으로 회전하여, 진공 챔버(1)내에 형성되는 반도체 웨이퍼(W)의 주위의 멀티폴 자장의 상태를 제어할 수 있도록 구성되어 있다. 이것에 의해서, 플라즈마 처리 프로세스의 종류에 따라서 적절한 멀티폴 자장의 상태를 용이하게 제어, 설정할 수 있어, 양호한 처리를 용이하게 실행할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020010080234A
公开(公告)日：2001-08-22
申请号：KR1020017004885
申请日：1999-10-22
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
Abstract: 에칭 장치(100)의 처리실(102)내에 배치된 하부 전극(106)상에 웨이퍼(W)를 탑재함과 동시에, 처리실(102)내에 C
4 F
8 를 포함하는 가스를 도입한다. 제어기(112)에 의해 플라즈마 생성용 전원(120)으로부터 27MHz의 전력을 상부 전극(114)에 인가함과 동시에, 바이어스용 전원(108)으로부터 800kHz의 전력을 하부 전극(106)에 간헐적으로 인가한다. 바이어스용 전력이 온일 때는 웨이퍼(W)의 SiO
2 로 이루어지는 절연막(202)이 에칭되고, 오프일 때는 포토레지스트막(206)에 폴리머(보호막)(208)가 형성된다. 이러한 구성에 의해, 포토레지스트막에 대한 절연막의 선택비를 향상시켜, 소정 형상의 콘택트 홀을 형성하는 것이 가능하다.-
公开(公告)号：KR1019920020614A
公开(公告)日：1992-11-21
申请号：KR1019920006390
申请日：1992-04-16
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/26
Abstract: 내용 없음
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公开(公告)号：KR1020170042489A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：KR1020160129760
申请日：2016-10-07
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/3213 , H01L21/02 , H05H1/46 , H01L21/67
CPC classification number: H01J37/32669 , H01J37/32091 , H01J37/3244 , H01J37/32715 , H01J2237/334 , H01L21/31116 , H01L21/67069
Abstract: [과제] 본발명은직경방향의막의에칭률의분포의제어성을높이는것을목적으로한다. [해결수단] 일실시형태에따른플라즈마에칭방법에서는, 용량결합형플라즈마처리장치의배치대상에배치된피처리체의단일의막에대한플라즈마에칭을위해서, 처리가스의플라즈마가생성된다. 상기플라즈마가생성되고있는기간에있어서, 중심축선에대해직경방향에있어서의단일의막의에칭률의분포를변화시키도록, 플라즈마처리장치의상부전극위의복수의전자석의코일에공급되는전류가제어된다.
Abstract translation: 本发明的目的在于改善膜的蚀刻速率沿径向分布的可控性。 解决问题的手段在根据一个实施方式的等离子体蚀刻方法中，产生处理气体的等离子体，用于等离子体蚀刻放置在电容耦合等离子体处理设备的物体中的待处理物体的单个膜。 向等离子体处理装置的上部电极上的多个电磁铁的线圈供给的电流被控制为，在产生等离子体的期间内，改变单一膜相对于中心轴的半径方向的蚀刻速度的分布 是的。
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公开(公告)号：KR100554645B1
公开(公告)日：2006-02-24
申请号：KR1020047008215
申请日：2002-11-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/18
CPC classification number: H01L21/6831 , H01J2237/2001 , H01L21/67069
Abstract: 열전달 가스의 방전을 막고 또한 피 처리체의 온도 제어를 높은 정밀도로 실행하는 것이 가능한 처리 장치를 제공한다. 기밀한 처리 용기(102)내에 대향하여 설치된 1쌍의 전극 중 하부 전극(110)에 고주파 전력을 인가하고, 전극 사이에 도입된 처리 가스를 플라즈마화하여, 피 처리체 표면에 소정의 처리를 실시하는 플라즈마 에칭 장치(100)에 있어서, 피 처리체를 흡착 유지하는 정전척(112)과 피 처리체와의 사이의 미소 공간(S)에 피 처리체를 소정의 온도로 제어하기 위한 열전달 가스를 공급하는 열전달 가스 공급부(120)를 전극에 공급되는 고주파 전력에 의해서 생기는 전계 방향에 대하여 경사시킨 열전달 가스 공급관(162) 및 열전달 가스 공급관용 코마부(164)로 구성한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100344967B1
公开(公告)日：2002-10-25
申请号：KR1019950009309
申请日：1995-04-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 도모야스마사유키 , 고시시아키라 , 니시가와히로시 , 다케나카히로토 , 사카모토요시오 , 다하라가즈히로 , 고미노미쯔아키 , 이마후쿠고스케 , 엔도쇼스코 , 나이토유키오 , 나가세키가즈야 , 히로세게이죠
IPC: H01L21/306
Abstract: 플라즈마 처리방법은, 프로세스 챔버내를 감압이 되도록 배기하고, 웨이퍼를 서셉터 위에 얹어놓고, 샤워전극 쪽으로부터 웨이퍼를 향하여 처리가스를 공급하며, 처리가스 고유의 아래끝단 이온 천이주파수보다도 낮은 제 1 주파수 f
1 의 고주파전력을 서셉터에 인가하고, 처리가스 고유의 윗끝단 이온 천이주파수보다도 높은 제 2 주파수 f
2 의 고주파전력을 샤워전극에 인가한다.-
公开(公告)号：KR100177590B1
公开(公告)日：1999-04-15
申请号：KR1019920006390
申请日：1992-04-16
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/26
CPC classification number: H01J37/3233
Abstract: 플라즈마 에칭장치는, 고감압상태로 조정가능한 처리실을 구비한다. 상기 처리실내에는 1쌍의 평행전극이 배설되고, 아래쪽 전극상에 반도체 웨이퍼가 재치된다. 상기 1쌍의 평행전극 사이에 고주파전압이 인가되고, 상기 처리실내에 상기 웨이퍼의 처리면과 직교하는 고주파전계가 형성된다.
상기 처리실내에는, 에칭가스가 도입되어, 플라즈마화된다.
상기 처리실에는, 전자발생용 필라멘트를 구비하는 전자공급실이 접속된다. 상기 전자공급실에서 생성된 전자는 유도자계의 의하여 상기 처리실내로 유도된다. 그리고, 에칭가스의 플라즈마화를 조장한다.-
公开(公告)号：KR102049117B1
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：KR1020130015821
申请日：2013-02-14
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
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公开(公告)号：KR1020130093566A
公开(公告)日：2013-08-22
申请号：KR1020130015821
申请日：2013-02-14
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/465 , C23C14/35 , C23C14/351 , C23C14/352 , H01J37/32091 , H01J37/3266 , H01J37/32669 , H01J37/32688 , H01J37/345 , H01J37/3452 , H01L21/32136
Abstract: PURPOSE: A substrate processing apparatus is provided to simultaneously prevent charges from being accumulated on a gate electrode and to suppress the quantity of charges passing through a gate oxide layer. CONSTITUTION: A substrate processing apparatus generates an electric field in a processing space between a top electrode and a bottom electrode. The frequency of high frequency power supplied to the bottom electrode is 60 MHz or greater. The substrate processing apparatus processes a substrate mounted on the bottom electrode by using plasma generated by the electric field. The substrate processing apparatus controls the distribution of plasma density by a magnetic field generated by controlling a plurality of electromagnets. The electromagnets are formed on the upper side of a surface which is opposite to the processing space. [Reference numerals] (AA) Ne distribution; (BB) Vdc distribution
Abstract translation: 目的：提供一种基板处理装置，以同时防止电荷积聚在栅电极上并抑制通过栅极氧化物层的电荷量。 构成：基板处理装置在顶部电极和底部电极之间的处理空间中产生电场。 提供给底部电极的高频功率的频率为60MHz或更大。 基板处理装置通过使用由电场产生的等离子体来处理安装在底部电极上的基板。 基板处理装置通过控制多个电磁体产生的磁场来控制等离子体密度的分布。 电磁体形成在与处理空间相对的表面的上侧。 （AA）Ne分布; （BB）Vdc分布
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公开(公告)号：KR1020110107286A
公开(公告)日：2011-09-30
申请号：KR1020110025701
申请日：2011-03-23
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/82 , H01L21/205 , C23C16/455 , H01L21/48
CPC classification number: H01L21/0203 , C23C16/45565 , H01L21/02 , H01L21/02063 , H01L21/0228 , H01L21/02315 , H01L21/0234 , H01L21/0273 , H01L21/205 , H01L21/30621 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/486 , H01L21/76825 , H01L21/76826 , H01L21/8213 , H05H1/46
Abstract: 작업 공수, 특히 구멍 가공 공수를 저감할 수 있는 기판 처리 장치용의 다공판의 제조 방법을 제공한다. 미리 다수의 제 1 관통 구멍(42)이 형성된 카본 기대(41)의 표면에 화학 증착(CVD)법에 의해 예컨대 두께 5㎜의 SiC 막(43)을 형성시키고, 그 후, 제 1 관통 구멍(42)에 대응하는 제 2 관통 구멍(44)이 다수 마련된 표층의 다공 SiC 막(43)을 절출하고, 가열해서 SiC 막(43)에 부착된 카본을 연소, 제거하고, 필요에 따라 표면을 연삭하며, 또한 표면 처리를 실시한다.
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