公开(公告)号：KR1020070086130A

公开(公告)日：2007-08-27

申请号：KR1020077013321

申请日：2005-12-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이와나가슈지 ,  사타노부유키

IPC: H01L21/027 ,  B05C9/14

CPC classification number: H01L21/67248 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67178 ,  B05C9/14

Abstract: The temperature of a heat plate is set to uniformly heat a wafer when heat treatment is actually performed. The temperatures of the wafer for temperature measurement are measured during a heat treatment period from a time just after the wafer is placed on the heat plate until a time when actual heat treatment time is passed. Whether temperature uniformity within a wafer plane is conforming or not is judged from the temperatures of the wafer during the heat treatment period, and when a negative judgment result is obtained, a correction value of a heat plate temperature setting parameter is calculated based on the measurement results by using a correction value calculating model, and the temperature setting parameter is changed.

Abstract translation: 在实际进行热处理时，将加热板的温度设定为均匀地加热晶片。 用于温度测量的晶片的温度在从晶片放置在加热板上直到实际热处理时间过去的时间内的热处理期间被测量。 在热处理期间，从晶片的温度判断晶片平面内的温度均匀性是否一致，当得到否定判断结果时，基于测量值来计算加热板温度设定参数的修正值 通过使用校正值计算模型的结果，并且改变温度设置参数。

公开(公告)号：KR100955561B1

公开(公告)日：2010-04-30

申请号：KR1020040018865

申请日：2004-03-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사타노부유키

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67248

Abstract: [과제] 기판을 가열플레이트의 위에 얹어 놓고 가열처리, 예를 들면 도포막에 대한 베이크처리를 하는데 있어서, 기판을 신속히 목표온도까지 승온하고, 또한 승온공정중에서의 기판의 표면온도에 대해서 높은 면내균일성을 확보한다.
[해결수단] 기판의 표면 온도를 검출하는 방사온도측정부로부터의 온도측정치와 그 때의 기판표면의 온도목표치와의 온도차와, 그 때의 온도측정치 또는 가열플레이트에 기판을 얹어 놓았을 때를 기준으로 한 시간과, 공급전력의 보정량을 대응시킨 데이터를 기억부에 기억해 둔다. 그리고 기판표면온도가 미리 설정한 승온패턴으로 승온하도록 가열수단의 공급전력의 지령치를 출력함과 동시에, 상기 온도차를 구하여, 그 온도차와 온도측정치 또는 시간을 바탕으로 상기 데이터로부터 공급전력의 보정량을 읽어 내어, 이 보정량에 의해 공급전력의 지령치를 보정한다.

公开(公告)号：KR100912295B1

公开(公告)日：2009-08-17

申请号：KR1020077013321

申请日：2005-12-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이와나가슈지 ,  사타노부유키

IPC: H01L21/027 ,  B05C9/14

CPC classification number: H01L21/67248 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67178

Abstract: 본 발명은 실제의 열처리시에 웨이퍼가 균일하게 가열되도록 열판의 온도 설정을 실시하는 것을 목적으로 하고 있다. 온도 측정용 웨이퍼가 열판상에 재치된 직후부터 실제의 열처리 시간이 경과할 때까지의 열처리 기간의 웨이퍼의 온도가 측정된다. 열처리 기간내에서의 웨이퍼의 온도로부터 웨이퍼면내의 온도의 균일성의 적부를 판정해, 부정적인 판정 결과의 경우에는 측정 결과로부터 보정값산출 모델을 이용해 열판의 온도 설정 파라미터의 보정값을 산출해 온도 설정 파라미터를 변경하는 기술을 제공한다.

公开(公告)号：KR1020040108537A

公开(公告)日：2004-12-24

申请号：KR1020040018865

申请日：2004-03-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사타노부유키

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67248 ,  G03F7/168 ,  H01L21/67103

Abstract: PURPOSE: A heat treatment apparatus and method are provided to increase quickly a substrate temperature to an aiming temperature and to achieve the uniformity of the substrate temperature. CONSTITUTION: A heat treatment apparatus includes a heat plate(3) with heaters(32) for loading a substrate(G), a first controller, a non-contact thermometer, a temperature difference measuring part, a memory part, a correcting part. The first controller(64) is used for controlling the substrate to be heated according to a pre-setting temperature rising pattern. The non-contact thermometer(4) measures the substrate temperature. The temperature difference measuring part(63) measures the difference between the measured temperature of the thermometer and an aiming temperature of the substrate. The memory part(62) stores data corresponding to the temperature difference, the measured temperature or a loading time of the substrate, and a correcting amount of power supply. The correcting part is used for correcting temperature of the substrate according to the data.

Abstract translation: 目的：提供一种热处理设备和方法，以快速地将衬底温度提高到瞄准温度并实现衬底温度的均匀性。 构成：热处理装置包括具有用于加载基板（G）的加热器（32）的加热板（3），第一控制器，非接触式温度计，温度差测量部件，存储部件，校正部件。 第一控制器（64）用于根据预设温度升高模式控制待加热的基板。 非接触式温度计（4）测量基板温度。 温度差测量部（63）测量温度计的测量温度与基板的瞄准温度之间的差。 存储器部分（62）存储与温度差，测量温度或基板的加载时间相对应的数据和电源的校正量。 校正部分用于根据数据校正衬底的温度。