성막 방법, 성막 장치 및 기억 매체
    1.
    发明授权
    성막 방법, 성막 장치 및 기억 매체 有权
    成膜方法,成膜装置和存储介质

    公开(公告)号:KR101789863B1

    公开(公告)日:2017-10-25

    申请号:KR1020140139761

    申请日:2014-10-16

    Abstract: 원자층퇴적법에의한성막시에, 처리공간의가스의치환효율을양호하게해서양호한막 두께제어성을확보할수 있는성막방법및 성막장치를제공한다. 처리공간에, 복수의처리가스를차례로간헐적으로공급함과아울러, 각처리가스의공급후에처리가스를퍼지가스에의해퍼지해서피처리기판상에서이들복수의처리가스를반응시켜서얇은단위막을형성하는조작을, 복수회반복해서소정두께의막을형성하는원자층퇴적법에의해소정의막을성막할때, 처리공간에퍼지가스를상시공급하면서, 복수의처리가스를차례로간헐적으로공급하도록하고, 처리공간내에공급하는퍼지가스의유량을, 처리용기내의압력에관계없이, 얇은단위막이성막되는모드를주체로하는성막모드에의해성막한다.

    Abstract translation: 本发明提供一种成膜方法和成膜装置,其能够通过原子层沉积法提高成膜时的处理空间内的气体的置换效率,确保良好的膜厚控制性。 向处理空间依次间歇地供给多种处理气体,在供给各种处理气体之后利用净化气体净化处理气体,使这些处理气体在基板上反应而形成薄的单元膜的动作 在对形成预定厚度的膜的原子层沉积沉积溶液膜时,连续地向处理空间供应清洗气体,同时间歇地连续供应多种处理气体,其中多次重复形成预定厚度的膜, 净化气体的流量被设定为无论处理容器内的压力如何都主要形成薄单元膜的膜形成模式。

    성막 방법, 성막 장치 및 기억 매체
    2.
    发明公开
    성막 방법, 성막 장치 및 기억 매체 有权
    薄膜成型方法和薄膜成型装置

    公开(公告)号:KR1020150045372A

    公开(公告)日:2015-04-28

    申请号:KR1020140139761

    申请日:2014-10-16

    Abstract: 원자층퇴적법에의한성막시에, 처리공간의가스의치환효율을양호하게해서양호한막 두께제어성을확보할수 있는성막방법및 성막장치를제공한다. 처리공간에, 복수의처리가스를차례로간헐적으로공급함과아울러, 각처리가스의공급후에처리가스를퍼지가스에의해퍼지해서피처리기판상에서이들복수의처리가스를반응시켜서얇은단위막을형성하는조작을, 복수회반복해서소정두께의막을형성하는원자층퇴적법에의해소정의막을성막할때, 처리공간에퍼지가스를상시공급하면서, 복수의처리가스를차례로간헐적으로공급하도록하고, 처리공간내에공급하는퍼지가스의유량을, 처리용기내의압력에관계없이, 얇은단위막이성막되는모드를주체로하는성막모드에의해성막한다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种膜沉积方法和一种用于膜沉积的装置,其通过提高气体置换效率来增加膜沉积的形成厚度。 本发明间歇地将处理气体供给处理空间,并且在供给之后对处理气体进行清洗,使得待处理的基板重复地形成通过化学反应沉积的薄膜层。 通过这种原子层沉积方法,可以将清洗气体恒定地供应到处理空间,同时依次间歇地供应其它处理气体,使得在处理空间内供应的吹扫气体的量可以形成薄膜沉积,而与压力水平无关 在处理容器内。

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