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公开(公告)号：KR1020150045372A
公开(公告)日：2015-04-28
申请号：KR1020140139761
申请日：2014-10-16
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: C23C16/52 , C23C16/34 , C23C16/4412 , C23C16/45525 , C23C16/45544 , H01L21/28194 , H01L21/0228
Abstract: 원자층퇴적법에의한성막시에, 처리공간의가스의치환효율을양호하게해서양호한막 두께제어성을확보할수 있는성막방법및 성막장치를제공한다. 처리공간에, 복수의처리가스를차례로간헐적으로공급함과아울러, 각처리가스의공급후에처리가스를퍼지가스에의해퍼지해서피처리기판상에서이들복수의처리가스를반응시켜서얇은단위막을형성하는조작을, 복수회반복해서소정두께의막을형성하는원자층퇴적법에의해소정의막을성막할때, 처리공간에퍼지가스를상시공급하면서, 복수의처리가스를차례로간헐적으로공급하도록하고, 처리공간내에공급하는퍼지가스의유량을, 처리용기내의압력에관계없이, 얇은단위막이성막되는모드를주체로하는성막모드에의해성막한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种膜沉积方法和一种用于膜沉积的装置，其通过提高气体置换效率来增加膜沉积的形成厚度。 本发明间歇地将处理气体供给处理空间，并且在供给之后对处理气体进行清洗，使得待处理的基板重复地形成通过化学反应沉积的薄膜层。 通过这种原子层沉积方法，可以将清洗气体恒定地供应到处理空间，同时依次间歇地供应其它处理气体，使得在处理空间内供应的吹扫气体的量可以形成薄膜沉积，而与压力水平无关 在处理容器内。
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公开(公告)号：KR101789863B1
公开(公告)日：2017-10-25
申请号：KR1020140139761
申请日：2014-10-16
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: C23C16/52 , C23C16/34 , C23C16/4412 , C23C16/45525 , C23C16/45544
Abstract: 원자층퇴적법에의한성막시에, 처리공간의가스의치환효율을양호하게해서양호한막 두께제어성을확보할수 있는성막방법및 성막장치를제공한다. 처리공간에, 복수의처리가스를차례로간헐적으로공급함과아울러, 각처리가스의공급후에처리가스를퍼지가스에의해퍼지해서피처리기판상에서이들복수의처리가스를반응시켜서얇은단위막을형성하는조작을, 복수회반복해서소정두께의막을형성하는원자층퇴적법에의해소정의막을성막할때, 처리공간에퍼지가스를상시공급하면서, 복수의처리가스를차례로간헐적으로공급하도록하고, 처리공간내에공급하는퍼지가스의유량을, 처리용기내의압력에관계없이, 얇은단위막이성막되는모드를주체로하는성막모드에의해성막한다.
Abstract translation: 本发明提供一种成膜方法和成膜装置，其能够通过原子层沉积法提高成膜时的处理空间内的气体的置换效率，确保良好的膜厚控制性。 向处理空间依次间歇地供给多种处理气体，在供给各种处理气体之后利用净化气体净化处理气体，使这些处理气体在基板上反应而形成薄的单元膜的动作 在对形成预定厚度的膜的原子层沉积沉积溶液膜时，连续地向处理空间供应清洗气体，同时间歇地连续供应多种处理气体，其中多次重复形成预定厚度的膜， 净化气体的流量被设定为无论处理容器内的压力如何都主要形成薄单元膜的膜形成模式。
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公开(公告)号：KR1020130049743A
公开(公告)日：2013-05-14
申请号：KR1020120123505
申请日：2012-11-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/316 , H01L21/205
Abstract: PURPOSE: A method for forming a ruthenium oxide layer and a storage medium are provided to reduce incubation time by forming the ruthenium oxide layer with a high rate. CONSTITUTION: A chamber(1) is cylindrical. A susceptor(2) horizontally supports the wafer and is supported by a support member. A heater(5) is buried in the susceptor. A heater power source is connected to a heater. [Reference numerals] (23) Exhaust device; (51) Process controller; (52) User interface; (53) Memory unit; (53a) Memory medium; (6) Heater power; (8) Heater controller
Abstract translation: 目的：提供一种用于形成氧化钌层和存储介质的方法，以通过以高速率形成氧化钌层来减少孵育时间。 构成：室（1）为圆柱形。 感受器（2）水平地支撑晶片并由支撑构件支撑。 加热器（5）埋在基座中。 加热器电源连接到加热器。 （附图标记）（23）排气装置; （51）过程控制器; （52）用户界面; （53）存储单元; （53a）存储介质; （6）加热器功率; （8）加热器控制器
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公开(公告)号：KR1020210006499A
公开(公告)日：2021-01-18
申请号：KR1020210003399
申请日：2021-01-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/324 , C23C16/455
Abstract: 본발명은 ALD를베이스로한 성막방법을이용하여양호한막질의질화막을보다저온에서성막할수 있는성막방법및 성막장치를제공하는것을과제로한다. 챔버내에서기판상에질화막을성막하는성막방법은, 기판상에질화막을구성하는금속원소를포함하는원료가스를공급하는단계및 잔류가스를퍼지하는단계를포함하는원료가스흡착공정과, 기판상에질화가스를공급하는단계및 잔류가스를퍼지하는단계를포함하는질화공정을반복해서행하고, 질화가스의일부또는전부로서히드라진계화합물가스를공급한다.
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公开(公告)号：KR1020090026186A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：KR1020097000522
申请日：2007-07-10
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: C23C16/44 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/08 , C23C16/4405
Abstract: A treatment gas is supplied to form a Ti-based film on a predetermined number of wafers (W) while setting a temperature of a susceptor (2) in a chamber (1) to a predetermined temperature. After this, the interior of the chamber (1) containing no wafers (W) is cleaned by discharging Cl2 gas as a cleaning gas from a shower head (10) into the chamber (1). During this cleaning, the temperature of each of the susceptor (2), the shower head (10), and the wall portion of the chamber (1) is independently controlled so that the temperature of the susceptor (2) is not lower than the decomposition start temperature of Cl2 gas and the temperature of the shower head (10) and the wall portion of the chamber (1) is not higher than the decomposition start temperature.
Abstract translation: 供给处理气体以在将室（1）中的基座（2）的温度设定在预定温度的同时在预定数量的晶片（W）上形成Ti基膜。 之后，通过将作为清洗气体的Cl 2气体从淋浴喷头（10）排出到室（1）中来清洁不含晶片（W）的室（1）的内部。 在这种清洁过程中，独立地控制基座（2），淋浴头（10）和室（1）的壁部分的温度，使得基座（2）的温度不低于 Cl 2气体的分解开始温度和喷淋头（10）的温度和室（1）的壁部分的温度不高于分解开始温度。
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公开(公告)号：KR1020040037079A
公开(公告)日：2004-05-04
申请号：KR1020047003562
申请日：2003-07-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/34 , C23C16/4404
Abstract: 반도체 처리용의 성막 방법은 피처리 기판(W)을 처리실내에 반입하기 전에 탑재대(32)를 프리코팅으로 피복하는 프리코팅 공정, 및 프리코팅 공정 후, 피처리 기판(W)을 처리실(21)내에 반입하여 피처리 기판(W) 상에 주요막을 형성하는 성막 공정을 포함한다. 프리코팅 공정은 제 1 및 제 2 공정을 여러회 반복함으로써, 복수의 세그먼트막을 적층하여 프리코팅을 형성한다. 제 1 공정에서는 제 1 및 제 2 처리 가스를 처리실(21)내에 공급하여, 탑재대(32) 상에 금속 원소를 포함하는 세그먼트막을 형성한다. 제 2 공정에서는, 금속 원소를 포함하지 않는 제 2 처리 가스를 처리실(21)내에 공급하여, 제 1 공정에서 생성된 세그먼트막을 형성하는 성분 이외의 부 생성물을 배기에 의해 처리실(21)로부터 제거한다.
Abstract translation: 用于半导体加工的成膜方法包括：预涂覆步骤，用于在将待处理的衬底（W）输送至处理室之前通过预涂覆来涂覆载置台（32）;以及用于输送衬底（W）的步骤， 在预涂层步骤之后加工到处理室（21）中并在待处理的衬底（W）上形成主膜。 预涂层步骤多次重复第一和第二步骤，使得多个分段膜叠加以形成预涂层。 在第一步骤中，将第一和第二处理气体供应到处理室（21）中，并且在载置台（32）上形成包含金属元素的分段膜。 在第二步骤中，将不含金属元素的第二处理气体供给到处理室（21）中，并且将第一步骤中生成的用于形成节段膜的组件以外的副产物从处理室（21）中移除 排气。
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公开(公告)号：KR101493130B1
公开(公告)日：2015-02-12
申请号：KR1020120123505
申请日：2012-11-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/316 , H01L21/205
Abstract: CVD법에 의해, 인큐베이션 시간이 짧고 또한 고성막 레이트로 성막 가능하며, 또한 스텝 커버리지가 높아, 50 이상의 높은 어스펙트비의 오목부에의 성막이 가능한 산화루테늄막의 성막 방법을 제공하는 것이다.
처리 용기 내에 기판을 수용하고, Ru에 2개의 β-디케톤, 및 올레핀, 아민, 니트릴 및 카르보닐로부터 선택되는 2개의 기가 배위된 이하의 화학식 1의 구조를 가지는 루테늄 화합물을 기상 상태로 기판 상에 공급하고, 또한 산소 가스를 기판 상에 공급하여, 상기 루테늄 화합물 가스와 산소 가스의 반응에 의해 기판 상에 산화루테늄막을 성막한다.
(화학식 1)
단, R
1 , R
2 는 총 탄소수가 2∼5인 알킬기이며, R
3 은 올레핀기, 아민기, 니트릴기 및 카르보닐기로부터 선택되는 기이다.-
公开(公告)号：KR100606398B1
公开(公告)日：2006-07-31
申请号：KR1020047003562
申请日：2003-07-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/34 , C23C16/4404
Abstract: A film formation method for semiconductor processing includes a pre-coat step for coating a placing table (32) by a pre-coat before conveying a substrate (W) to be processed into a processing chamber and a step for conveying the substrate (W) to be processed into the processing chamber (21) after the pre-coat step and forming a main film on the substrate (W) to be processed. The pre-coat step repeats a first and a second step a plurality of times so that a plurality of segment films are superimposed to form a pre-coat. In the first step, a first and a second processing gas are supplied into a processing chamber (21) and a segment film containing a metal element is formed on the placing table (32). In the second step, a second processing gas not containing a metal element is supplied into the processing chamber (21) and a byproduct other than the component to form the segment film generated in the first step is removed from the processing chamber (21) by exhaust of air.
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