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公开(公告)号：KR101515095B1
公开(公告)日：2015-04-24
申请号：KR1020120063197
申请日：2012-06-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , H01L21/22
Abstract: (과제) 온도 측정부가 삽입되고, 반응관의 내면을 따라서 연장되는 보호관이 반응관의 내면에 붙는 것을 피한다.
(해결 수단) 복수의 기판이 간격을 두고 겹치도록 당해 복수의 기판을 보유지지하는 기판 보유지지구와, 기판 보유지지구를 수용하는 반응관과, 반응관에 수용되는 기판 보유지지구에 보유지지되는 복수의 기판에 대하여, 복수의 기판 상에 성막되는 박막의 원료 가스를 공급하는 원료 가스 공급관과, 반응관을 지지하는 지지부와, 반응관의 외측에 배치되어, 복수의 기판을 가열하는 가열부와, 지지부에 일단부(一端部)에서 고정되고, 기판 보유지지구와 반응관과의 사이에 있어서 복수의 기판의 배열 방향을 따라서 연장되며, 내부에 온도 측정부가 삽입되는 보호관과, 보호관의 외면과 반응관의 내면과의 적어도 한쪽에 설치되고, 보호관의 외면과 반응관의 내면과의 사이에 공극을 형성하는 돌기부를 구비하는 성막 장치에 의해 상기의 과제가 해결� �다.Abstract translation: （问题）插入温度测量部件，防止沿着反应管的内表面延伸的保护管粘附到反应管的内表面。
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公开(公告)号：KR1020120092022A
公开(公告)日：2012-08-20
申请号：KR1020120011750
申请日：2012-02-06
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/67109 , C23C16/405 , C23C16/4412 , C23C16/45546
Abstract: PURPOSE: A film forming device is provided to improve a coating property by preventing processing gases from reacting each other. CONSTITUTION: A first gas injector(51a) includes a gas outlet(52) to supply a first processing gas to a substrate. A second gas injector(51b) supplies a second processing gas which reacts with the first processing gas. A third gas injector(51c) includes a slit(50) which supplies purge gas. An exhaust pipe exhausts an atmosphere in a reaction tube. A control unit outputs a control signal to replace the atmosphere of the reaction tube.
Abstract translation: 目的：提供一种成膜装置，通过防止处理气体彼此反应来改善涂布性能。 构成：第一气体注入器（51a）包括用于将第一处理气体提供给基板的气体出口（52）。 第二气体喷射器（51b）提供与第一处理气体反应的第二处理气体。 第三气体喷射器（51c）包括供给吹扫气体的狭缝（50）。 排气管排出反应管中的气氛。 控制单元输出控制信号来代替反应管的气氛。
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公开(公告)号：KR101504910B1
公开(公告)日：2015-03-23
申请号：KR1020120011750
申请日：2012-02-06
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/67109 , C23C16/405 , C23C16/4412 , C23C16/45546
Abstract: (과제) 기판 보유지지(保持)구에 선반 형상으로 적재된 복수매의 기판에 대하여, 서로 반응하는 복수 종류의 처리 가스를 순서대로 공급하여 성막 처리를 행할 때에, 처리 가스를 전환할 때의 분위기를 용이하게 치환하는 것.
(해결 수단) Zr계 가스나 O
3 가스 등의 처리 가스를 반응관(12) 내에 공급하기 위한 가스 토출구(52)가 각각 형성된 제1 및 제2 가스 인젝터(51a, 51b)와는 별도로, 반응관(12)의 길이 방향을 따르도록 슬릿(50)이 형성된 제3 가스 인젝터(51c)를 설치하고, 처리 가스를 전환할 때에는, 이 슬릿(50)으로부터 반응관(12) 내에 퍼지 가스를 공급하여 당해 반응관(12) 내의 분위기를 치환한다.Abstract translation: （要解决的问题）当相互反应的多种处理气体被顺序地供应到在基板上保持（保持）的基板上以层状堆叠的多个基板时， 轻松。
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公开(公告)号：KR1020110138190A
公开(公告)日：2011-12-26
申请号：KR1020110058946
申请日：2011-06-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/67 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/52 , H01L21/673 , H01L21/683 , H01L21/60
CPC classification number: C23C16/4412 , C23C16/45546 , C23C16/52 , H01L21/67303 , H01L21/0228 , H01L21/02274 , H01L21/205 , H01L21/67109 , H01L21/683 , H01L2021/60187
Abstract: PURPOSE: A processing device and a film forming method are provided to install an exhaust unit with exhaust systems, thereby quickly maintaining reduced pressure in a processing container. CONSTITUTION: A cover part(36) blocks an opening in a lower part of a processing container structure. A support object structure(38) supports a plurality of processed objects. A gas taking unit(40) includes a gas nozzle in a nozzle receiving area. An exhaust unit(41) includes a plurality of exhaust systems(41A,41B). A heating unit(42) heats the processed objects.
Abstract translation: 目的：提供一种处理装置和成膜方法来安装具有排气系统的排气单元，从而在处理容器中快速保持减压。 构成：盖部分（36）阻挡处理容器结构的下部的开口。 支撑对象结构（38）支撑多个处理对象。 采气单元（40）包括在喷嘴接收区域中的气体喷嘴。 排气单元（41）包括多个排气系统（41A，41B）。 加热单元（42）加热被处理物体。
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公开(公告)号：KR101814478B1
公开(公告)日：2018-01-04
申请号：KR1020110056739
申请日：2011-06-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/687 , H01L21/673 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/67303 , H01L21/67109 , H01L21/67309
Abstract: 처리가스를일측으로부터타측을향하여수평방향으로흐르도록한 처리용기구조내에서처리해야할 복수매의웨이퍼(W)를지지하는지지체구조에있어서, 천판부(92)와, 저부(底部; 94)와, 천판부와저부를연결하고, 피처리체를지지하는복수의지지부(100)가그의길이방향을따라서소정의피치로형성됨과함께복수의지지부중의최상단의지지부와천판부(92)와의사이의거리와, 복수의지지부중의최하단의지지부와저부(94)와의사이의거리가모두지지부간의피치이하의길이로설정되어있는복수의지지지주(96)를구비한다. 이에따라, 지지체구조에있어서의상하의양단부측에있어서의가스의난류발생을억제한다.
Abstract translation: 在该支撑结构用于支撑晶片（W）的多个它处理朝向从处理容器结构内的一侧上的另一侧上的工艺气体在水平方向上流动，并且在顶板92中，底部（底部; 94）和 和连接到所述顶板部和所述底部之间的距离，设有多个支撑件100的支撑和多个支撑件的最上段的与形成的以规定的间距的顶板部92之间支撑所述片沿其纵向方向 并设置有多个保持支撑96与两个之间的距离被设置为间距小于所述支撑和所述多个支撑件的最下段的底部94之间的支撑件的长度。 因此，支撑结构的上端部和下端部处的气体的湍流被抑制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101753736B1
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：KR1020110058946
申请日：2011-06-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/67 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/52 , H01L21/673 , H01L21/683 , H01L21/60
CPC classification number: C23C16/4412 , C23C16/45546 , C23C16/52 , H01L21/67303
Abstract: 복수매의피(被)처리체에소정의처리를행하기위한처리장치는, 처리공간의일측에노즐수용에어리어가형성됨과함께타측에노즐수용에어리어로부터수평방향으로방출된가스를배기시키기위한배기구가형성된처리용기를갖는처리용기구조와, 처리용기구조의하단의개구부측을막는덮개부와, 피처리체를지지함과함께, 처리용기구조내로삽입및 이탈가능하게이루어진지지체구조와, 노즐수용에어리어내에수용되어가스를도입하는가스노즐을갖는가스도입수단과, 처리용기구조내의분위기를배기하기위한복수의배기계를갖는배기수단과, 피처리체를가열하기위한가열수단과, 장치전체를제어하는제어수단을구비한다.
Abstract translation: 处理装置中，在形成于在从喷嘴接收区域到另一个用于在多个的血液（被）处理体进行规定的处理的水平方向发出的废气处理空间的一侧的排气口用于与喷嘴容纳区域 本发明提供一种支撑被加工物的支撑构造体，该支撑构造体能够插拔于处理容器的结构体和支撑被加工体的支撑构造体， 排气装置，其具有用于排出处理容器的结构中的气氛的多个排气系统，用于加热待处理物体的加热装置，用于控制整个装置的控制 和手段。
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公开(公告)号：KR101445562B1
公开(公告)日：2014-09-29
申请号：KR1020110097662
申请日：2011-09-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/324 , H01L21/31 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/67109 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/0228 , H01L21/67303
Abstract: 복수의 기판을 선반 형상으로 보지(保持)하고, 기판에 대하여 열처리를 행하는 기판 보지구를 갖고, 주위에 가열부가 배치된 종형의 반응관; 상기 반응관의 길이 방향으로 설치되고, 상기 기판 보지구에 보지되는 각 기판에 처리 가스를 공급하기 위해, 각 기판에 대응하는 높이 위치에 가스 토출구가 형성된 처리 가스 공급부; 및 상기 반응관의 중심에 대하여 상기 가스 토출구와 반대측의 위치에서 상기 반응관에 형성된 배기구; 를 구비하고, 상기 기판 보지구는, 각각 복수의 기판 재치 영역이 형성되고, 서로 적층된 복수의 원형 형상의 보지판; 및 각 보지판을 관통하여 그의 둘레 방향으로 복수 설치된 지주(支柱)로서, 상기 반응관의 지름 방향에 있어서 상기 지주의 외측 부위를 상기 각 보지판의 외연과 동일한 위치 또는 내측 가까운 위치에서 관통시켜 상기 각 보지판을 지지하는 상기 지주; 를 갖는 종형 열처리 장치가 제공된다.
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公开(公告)号：KR1020130007428A
公开(公告)日：2013-01-18
申请号：KR1020120063197
申请日：2012-06-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , H01L21/22
Abstract: PURPOSE: A film forming apparatus is provided to prevent damage to a protection pipe by preventing the outer surface of the protection pipe from being attached to the inner surface of a reaction pipe. CONSTITUTION: A reaction pipe(22) receives a substrate support therein. A raw gas supply pipe supplies raw gas to multiple substrates supported to the substrate support. A protection pipe(26) is extended along the arrangement direction of the substrates and comprises a temperature measurement unit. A protrusion(26a) is formed to form an air gap between the outer surface of the protection pipe and the inner surface of the reaction pipe.
Abstract translation: 目的：提供一种成膜装置，通过防止保护管的外表面附着到反应管的内表面来防止对保护管的损坏。 构成：反应管（22）在其中容纳衬底支撑体。 原料气体供给管将原料气体供给到支撑于基板支撑体上的多个基板。 保护管（26）沿基板的布置方向延伸，并包括温度测量单元。 形成突起（26a）以在保护管的外表面和反应管的内表面之间形成气隙。
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公开(公告)号：KR1020120033259A
公开(公告)日：2012-04-06
申请号：KR1020110097662
申请日：2011-09-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/324 , H01L21/31 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/67109 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/0228 , H01L21/67303
Abstract: PURPOSE: A vertical heat treatment apparatus is provided to improve process gas usage efficiency by suppressing an amount of process gas passing the outside of a retention plate. CONSTITUTION: A reaction tube(12) comprises an outer tube(12a) and an inner tube(12b) stored inside of the outer tube. An exhaust pipe(16) is arranged on an opposite side of a gas injector(51) with respect to the center of the reaction tube. An exhaust pipe(21) is connected to an exhaust duct(22) by placing an exhaust port(21a). The exhaust duct is connected to a vacuum pump(24) by placing a pressure controller(23). A cover(25) of a disc shape is installed on a flange surface of a flange part(17).
Abstract translation: 目的：提供一种垂直热处理装置，通过抑制通过保持板外部的处理气体的量来提高处理气体的使用效率。 构成：反应管（12）包括外管（12a）和存储在外管内部的内管（12b）。 排气管（16）相对于反应管的中心配置在气体喷射器（51）的相对侧。 排气管（21）通过放置排气口（21a）连接到排气管道（22）。 通过放置压力控制器（23）将排气管连接到真空泵（24）。 盘形的盖（25）安装在凸缘部分（17）的凸缘表面上。
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公开(公告)号：KR1020110136722A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：KR1020110056739
申请日：2011-06-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/687 , H01L21/673 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/67303 , H01L21/67109 , H01L21/67309 , H01L21/6875 , H01L21/205
Abstract: PURPOSE: A supporting structure, a processing container structure, and a processing apparatus are provided to improve the in-plane uniformity of a film thickness by controlling the turbulence generation of a gas. CONSTITUTION: A processing container structure(34) accepts a semiconductor wafer(W). A lid part(36) tightly blocks up a aperture part in the bottom portion of the processing container structure. A gas introduction portion(40) introduces a necessary gas within the processing container structure. An exhausting portion(41) exhausts atmosphere within the processing container structure. A heating portion(42) heats the semiconductor wafer.
Abstract translation: 目的：提供支撑结构，加工容器结构和加工装置，以通过控制气体的湍流产生来提高膜厚的面内均匀性。 构成：处理容器结构（34）接受半导体晶片（W）。 盖部分（36）将加工容器结构的底部中的孔部紧紧地堵住。 气体导入部（40）在处理容器结构内引入必要的气体。 排气部分（41）排出处理容器结构内的气氛。 加热部分（42）加热半导体晶片。
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