公开(公告)号：KR1020110138189A

公开(公告)日：2011-12-26

申请号：KR1020110058945

申请日：2011-06-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아사리신지 ,  오카다미츠히로

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/67 ,  H01L21/673 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  H01L21/683 ,  H01L21/22

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/4583 ,  H01L21/67309 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/205 ,  H01L21/22 ,  H01L21/683

Abstract: PURPOSE: A support structure and a processing device are provided to increase uniformity in a plane whose thickness is the same as the thickness of a film of a processed object placed on the top or the bottom of the support structure. CONSTITUTION: A wafer boat(46) is made of a top plate part(48), a bottom part(50), and a support pillar(60). An opening in the lower part of a processing container(44) is sealed by a cover part(62) made of quartz. A seal member(64) is placed between the lower part of the processing container and a part around the cover part. A table(68) is supported onto the top of a rotation axis(70) which penetrates the cover part. The rotation axis is attached to the leading end of an arm(74A) which is supported in an elevation machine(74).

Abstract translation: 目的：提供支撑结构和处理装置，以增加其厚度与放置在支撑结构的顶部或底部上的加工对象的膜的厚度相同的平面中的均匀性。 构成：晶片舟（46）由顶板部分（48），底部部分（50）和支柱（60）制成。 处理容器（44）的下部的开口由石英制的盖部分（62）密封。 密封构件（64）被放置在处理容器的下部和覆盖部分周围的部分之间。 工作台（68）支撑在穿过盖部的旋转轴线（70）的顶部。 旋转轴线附接到支撑在升降机（74）中的臂（74A）的前端。

公开(公告)号：KR1020120092022A

公开(公告)日：2012-08-20

申请号：KR1020120011750

申请日：2012-02-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모로즈미유이치로 ,  사토이즈미 ,  아사리신지

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C16/405 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45546

Abstract: PURPOSE: A film forming device is provided to improve a coating property by preventing processing gases from reacting each other. CONSTITUTION: A first gas injector(51a) includes a gas outlet(52) to supply a first processing gas to a substrate. A second gas injector(51b) supplies a second processing gas which reacts with the first processing gas. A third gas injector(51c) includes a slit(50) which supplies purge gas. An exhaust pipe exhausts an atmosphere in a reaction tube. A control unit outputs a control signal to replace the atmosphere of the reaction tube.

Abstract translation: 目的：提供一种成膜装置，通过防止处理气体彼此反应来改善涂布性能。 构成：第一气体注入器（51a）包括用于将第一处理气体提供给基板的气体出口（52）。 第二气体喷射器（51b）提供与第一处理气体反应的第二处理气体。 第三气体喷射器（51c）包括供给吹扫气体的狭缝（50）。 排气管排出反应管中的气氛。 控制单元输出控制信号来代替反应管的气氛。

公开(公告)号：KR101504910B1

公开(公告)日：2015-03-23

申请号：KR1020120011750

申请日：2012-02-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모로즈미유이치로 ,  사토이즈미 ,  아사리신지

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C16/405 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45546

Abstract: (과제) 기판 보유지지(保持)구에 선반 형상으로 적재된 복수매의 기판에 대하여, 서로 반응하는 복수 종류의 처리 가스를 순서대로 공급하여 성막 처리를 행할 때에, 처리 가스를 전환할 때의 분위기를 용이하게 치환하는 것.
(해결 수단) Zr계 가스나 O
3 가스 등의 처리 가스를 반응관(12) 내에 공급하기 위한 가스 토출구(52)가 각각 형성된 제1 및 제2 가스 인젝터(51a, 51b)와는 별도로, 반응관(12)의 길이 방향을 따르도록 슬릿(50)이 형성된 제3 가스 인젝터(51c)를 설치하고, 처리 가스를 전환할 때에는, 이 슬릿(50)으로부터 반응관(12) 내에 퍼지 가스를 공급하여 당해 반응관(12) 내의 분위기를 치환한다.

Abstract translation: （要解决的问题）当相互反应的多种处理气体被顺序地供应到在基板上保持（保持）的基板上以层状堆叠的多个基板时， 轻松。

公开(公告)号：KR1020110138190A

公开(公告)日：2011-12-26

申请号：KR1020110058946

申请日：2011-06-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와무라유 ,  모로즈미유이치로 ,  사토이즈미 ,  아사리신지

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/67 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  H01L21/673 ,  H01L21/683 ,  H01L21/60

CPC classification number: C23C16/4412 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/52 ,  H01L21/67303 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/205 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/683 ,  H01L2021/60187

Abstract: PURPOSE: A processing device and a film forming method are provided to install an exhaust unit with exhaust systems, thereby quickly maintaining reduced pressure in a processing container. CONSTITUTION: A cover part(36) blocks an opening in a lower part of a processing container structure. A support object structure(38) supports a plurality of processed objects. A gas taking unit(40) includes a gas nozzle in a nozzle receiving area. An exhaust unit(41) includes a plurality of exhaust systems(41A,41B). A heating unit(42) heats the processed objects.

Abstract translation: 目的：提供一种处理装置和成膜方法来安装具有排气系统的排气单元，从而在处理容器中快速保持减压。 构成：盖部分（36）阻挡处理容器结构的下部的开口。 支撑对象结构（38）支撑多个处理对象。 采气单元（40）包括在喷嘴接收区域中的气体喷嘴。 排气单元（41）包括多个排气系统（41A，41B）。 加热单元（42）加热被处理物体。

公开(公告)号：KR101814478B1

公开(公告)日：2018-01-04

申请号：KR1020110056739

申请日：2011-06-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아사리신지 ,  사토이즈미 ,  모로즈미유이치로

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/673 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67303 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67309

Abstract: 처리가스를일측으로부터타측을향하여수평방향으로흐르도록한 처리용기구조내에서처리해야할 복수매의웨이퍼(W)를지지하는지지체구조에있어서, 천판부(92)와, 저부(底部; 94)와, 천판부와저부를연결하고, 피처리체를지지하는복수의지지부(100)가그의길이방향을따라서소정의피치로형성됨과함께복수의지지부중의최상단의지지부와천판부(92)와의사이의거리와, 복수의지지부중의최하단의지지부와저부(94)와의사이의거리가모두지지부간의피치이하의길이로설정되어있는복수의지지지주(96)를구비한다. 이에따라, 지지체구조에있어서의상하의양단부측에있어서의가스의난류발생을억제한다.

Abstract translation: 在该支撑结构用于支撑晶片（W）的多个它处理朝向从处理容器结构内的一侧上的另一侧上的工艺气体在水平方向上流动，并且在顶板92中，底部（底部; 94）和 和连接到所述顶板部和所述底部之间的距离，设有多个支撑件100的支撑和多个支撑件的最上段的与形成的以规定的间距的顶板部92之间支撑所述片沿其纵向方向 并设置有多个保持支撑96与两个之间的距离被设置为间距小于所述支撑和所述多个支撑件的最下段的底部94之间的支撑件的长度。 因此，支撑结构的上端部和下端部处的气体的湍流被抑制。

公开(公告)号：KR101731144B1

公开(公告)日：2017-04-27

申请号：KR1020140042243

申请日：2014-04-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오야마가츠히코 ,  다케우치야스시 ,  아사리신지

IPC: H01L21/673 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/67389 ,  H01L21/67379 ,  H01L21/67769 ,  H01L21/67772

Abstract: FOUP 등의기판의수납용기내를, 고속으로불활성가스로치환할수 있는수납용기내의분위기관리방법을제공한다. 개폐도어(5)에의해개폐되는반송구(20)를구비한격벽(2)으로구획된기판반송영역(S1)과용기반송영역(S2)을구비하고, 상기용기반송영역에마련되며, 덮개의개폐에의해복수의기판(W)을밀폐수납가능한수납용기(C)를일시배치하여대기시키는용기보관선반(18)과, 상기개폐도어에마련되고, 상기반송구의입구가장자리에밀착된상기수납용기의상기덮개를제거하면서상기수납용기내를불활성가스로치환가능한덮개개폐기구(6)를구비한처리장치(1, 10)에있어서의상기수납용기내의분위기관리방법으로서, 상기덮개개폐기구를이용하여, 미처리의상기기판을수납한상기수납용기내를, 상기불활성가스로치환하는공정과, 상기불활성가스로내부가치환된상기수납용기를, 상기용기보관선반에반송하여배치하는공정과, 상기수납용기를상기용기보관선반에서대기시키는공정을포함한다.

Abstract translation: 一种控制储存容器中的气氛的方法，所述储存容器能够用惰性气体高速替换诸如FOUP的基板的储存容器的内部。 基板承载区域S1由分隔壁2隔开，该分隔壁2具有由开闭门5和敷贴器承载区域S2开闭的承载口20， 容器收纳架18，用于临时放置并保持通过容器W的开闭而能够气密地收纳多个基板W的收纳容器C; 一种用于控制储存容器（1,10）中的气氛的方法，所述储存容器（1,10）具有能够在移除容器的盖的同时用惰性气体替换储存容器的内部的盖打开/关闭机构（6） 将惰性气体置换为容纳有未处理基板的惰性气体的容器内部的工序;以及将内部更换为惰性气体的容器输送到容器收纳架的工序， 在容器存储架上等待的过程 它包括。

公开(公告)号：KR101753736B1

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：KR1020110058946

申请日：2011-06-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와무라유 ,  모로즈미유이치로 ,  사토이즈미 ,  아사리신지

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/67 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  H01L21/673 ,  H01L21/683 ,  H01L21/60

CPC classification number: C23C16/4412 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/52 ,  H01L21/67303

Abstract: 복수매의피(被)처리체에소정의처리를행하기위한처리장치는, 처리공간의일측에노즐수용에어리어가형성됨과함께타측에노즐수용에어리어로부터수평방향으로방출된가스를배기시키기위한배기구가형성된처리용기를갖는처리용기구조와, 처리용기구조의하단의개구부측을막는덮개부와, 피처리체를지지함과함께, 처리용기구조내로삽입및 이탈가능하게이루어진지지체구조와, 노즐수용에어리어내에수용되어가스를도입하는가스노즐을갖는가스도입수단과, 처리용기구조내의분위기를배기하기위한복수의배기계를갖는배기수단과, 피처리체를가열하기위한가열수단과, 장치전체를제어하는제어수단을구비한다.

Abstract translation: 处理装置中，在形成于在从喷嘴接收区域到另一个用于在多个的血液（被）处理体进行规定的处理的水平方向发出的废气处理空间的一侧的排气口用于与喷嘴容纳区域 本发明提供一种支撑被加工物的支撑构造体，该支撑构造体能够插拔于处理容器的结构体和支撑被加工体的支撑构造体， 排气装置，其具有用于排出处理容器的结构中的气氛的多个排气系统，用于加热待处理物体的加热装置，用于控制整个装置的控制 和手段。

公开(公告)号：KR1020140123425A

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：KR1020140042243

申请日：2014-04-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오야마가츠히코 ,  다케우치야스시 ,  아사리신지

IPC: H01L21/673 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/67389 ,  H01L21/67379 ,  H01L21/67769 ,  H01L21/67772 ,  H01L21/67766

Abstract: Provided is a method for managing atmosphere in a storage container capable of filling the inside of a container for a substrate such as FOUP with inert gas at a high speed. The present invention includes a container return area (S2) and a substrate return area (S1) separated by a partition (2) having a return part (20) which is opened or closed by an opening/closing door (5). Processing devices (1, 10) include; a container storage shelf (18) for arranging storage containers (C) capable of containing a plurality of substrates (W) airtight by the opening or closing of a cover and keeping the same, arranged in the container return area; and a cover opening device (6) capable of filling the inside of container with inert gas by removing the cover of a storage container attached on the edge of the entrance of a returning part, arranged at the opening/closing door. The method comprises the following steps: a step of filling the inside of storage container storing the unprocessed substrate with inert gas using the cover opening device; a step of returning the storage container in which the inside is filled with inert gas to the container storage shelf and arranging the same; and a step of arranging the storage containers on the container storage shelf.

Abstract translation: 本发明提供一种用于管理能够以惰性气体高速填充用于诸如FOUP的基板的容器的内部的存储容器中的气氛的方法。 本发明包括容器返回区域（S2）和由具有由打开/关闭门（5）打开或关闭的返回部件（20）的分隔件（2）分开的基板返回区域（S1）。 处理装置（1,10）包括： 用于布置在容器返回区域中的能够通过打开或关闭盖并保持盖子而容纳多个基板（W）的多个基板（W）的容纳储存架（18）; 以及盖子打开装置（6），其能够通过移除安装在打开/关闭门上的返回部件的入口的边缘上的存储容器的盖子而用惰性气体填充容器的内部。 该方法包括以下步骤：使用盖打开装置用惰性气体填充未处理的基板的储存容器的内部; 将内部填充有惰性气体的储存容器返回到容器储存架并将其排列的步骤; 以及将储存容器布置在容器储存架上的步骤。

公开(公告)号：KR1020110136722A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：KR1020110056739

申请日：2011-06-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아사리신지 ,  사토이즈미 ,  모로즈미유이치로

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/673 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67303 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67309 ,  H01L21/6875 ,  H01L21/205

Abstract: PURPOSE: A supporting structure, a processing container structure, and a processing apparatus are provided to improve the in-plane uniformity of a film thickness by controlling the turbulence generation of a gas. CONSTITUTION: A processing container structure(34) accepts a semiconductor wafer(W). A lid part(36) tightly blocks up a aperture part in the bottom portion of the processing container structure. A gas introduction portion(40) introduces a necessary gas within the processing container structure. An exhausting portion(41) exhausts atmosphere within the processing container structure. A heating portion(42) heats the semiconductor wafer.

Abstract translation: 目的：提供支撑结构，加工容器结构和加工装置，以通过控制气体的湍流产生来提高膜厚的面内均匀性。 构成：处理容器结构（34）接受半导体晶片（W）。 盖部分（36）将加工容器结构的底部中的孔部紧紧地堵住。 气体导入部（40）在处理容器结构内引入必要的气体。 排气部分（41）排出处理容器结构内的气氛。 加热部分（42）加热半导体晶片。