公开(公告)号：KR1020150107648A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：KR1020150033901

申请日：2015-03-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 센바쇼헤이

IPC: H01L51/52 ,  H01L21/314 ,  H01L21/311 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L51/5237 ,  H01L21/31127 ,  H01L51/56 ,  H01L2924/12044

Abstract: 본 발명의 과제는, 수분에 의한 발광부의 유기 화합물의 열화를 방지할 수 있는 밀봉 구조의 형성 방법을 제공하는 것이다. 순서대로 적층된 애노드막(14), 유기 화합물을 포함하는 발광부(15) 및 캐소드막(16)으로 이루어지는 소자 적층부(12)를 ALD법에 의해 형성되는 산화알루미늄의 제1 배리어막(18)으로 덮고, 상기 제1 배리어막(18)을 CVD법에 의해 형성되는 유기막(19)으로 덮고, 상기 유기막(19)을 이방성 에칭하고, 또한 제1 배리어막(18)을 질화규소의 제2 배리어막(20)으로 덮는다.

Abstract translation: 本发明提供一种形成封装结构的方法，其可以防止由水分引起的发光单元的有机化合物的劣化。 形成封装结构的方法包括以下步骤：覆盖由阳极层（14）制成的器件堆叠部分（12），包括有机化合物的发光单元（12）和顺序堆叠的阴极层（16） 具有通过ALD法形成的氧化铝的第一阻挡膜（18）; 用通过CVD法形成的有机膜（19）覆盖第一阻挡膜（18）; 对有机膜（19）进行各向异性蚀刻; 并用氮化硅的第二阻挡膜（20）覆盖第一阻挡膜（18）。

公开(公告)号：KR1020160134552A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：KR1020160058385

申请日：2016-05-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 센바쇼헤이 ,  사토요시츠토무

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/78 ,  H01B3/44 ,  H01B3/46

Abstract: 본발명은화상을고휘도로표시할수 있는액정표시장치의제조방법을제공한다. 액정표시장치(10)는, 박막트랜지스터(15)의드레인전극(19)을덮는유기절연막(22)과, 해당유기절연막(22) 상에형성되는공통전극(23)과, 해당공통전극(23)을덮도록유기절연막(22) 상에형성되는무기절연막(24)과, 해당무기절연막(24) 상에형성되는화소전극(25)을구비하며, 액정표시장치(10)에서, 동일한마스크막(28)을이용하여무기절연막(24) 및유기절연막(22)이에칭되어무기절연막(24)을관통하는무기절연막관통구멍(29)과, 유기절연막(22)을관통하는유기절연막관통구멍(30)이동일얼라인먼트로형성되고, 무기절연막관통구멍(29) 및유기절연막관통구멍(30)은콘택트홀(31)을구성한다.

公开(公告)号：KR1020150067057A

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：KR1020140174955

申请日：2014-12-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 센바쇼헤이 ,  스에키히데히토

IPC: G02B1/11

Abstract: 본발명은기재상에얇은산화알루미늄막을균일하게형성하여균일한미세요철형상의반사방지구조를얻을수 있는반사방지기능을가지는부재및 그제조방법을제공한다. 반사방지기능을가지는부재(10)는기재(11)와, 기재(11)의표면에형성된반사방지막(13)을구비하고있다. 반사방지막(13)은원자층퇴적법에의해형성된산화알루미늄막을, 고온의열수또는수증기에의해수열처리하는것에의해, 미세요철구조가형성된것이다.

Abstract translation: 本发明提供一种具有防反射功能的部件及其制造方法，其可以通过在基材上均匀地形成薄的氧化铝膜而获得具有均匀微小凸起形状的防反射结构。 具有防反射功能的构件（10）包括：基材（11）; 以及形成在基材（11）的表面上的防反射膜（13）。 通过在原子层沉积形成的氧化铝膜上进行用热水或高温蒸汽的加热处理来形成防反射膜（13）的微小凸块结构。

公开(公告)号：KR101870511B1

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：KR1020160077818

申请日：2016-06-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토요시츠토무 ,  센바쇼헤이

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/56

Abstract: 막두께가얇고또한고밀봉성능을갖는적층밀봉막을, 생산성의저하나이물부착을억제하면서형성한다. 기판(101) 상에발광층인유기 EL층(102)이복수형성된유기 EL 소자 S 상에, 무기막(201)과유기막(202)이적층된구조의적층밀봉막(203)을형성할때, 원자층퇴적법에의해무기막(201)을형성하는공정과, 증착중합법에의해유기막(202)을형성하는공정을, 하나의처리용기(11) 내에서교대로복수회반복한다.

公开(公告)号：KR1020160150606A

公开(公告)日：2016-12-30

申请号：KR1020160077818

申请日：2016-06-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토요시츠토무 ,  센바쇼헤이

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L51/5256 ,  H01L51/5246 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/303 ,  H01L2251/558

Abstract: 막두께가얇고또한고밀봉성능을갖는적층밀봉막을, 생산성의저하나이물부착을억제하면서형성한다. 기판(101) 상에발광층인유기 EL층(102)이복수형성된유기 EL 소자 S 상에, 무기막(201)과유기막(202)이적층된구조의적층밀봉막(203)을형성할때, 원자층퇴적법에의해무기막(201)을형성하는공정과, 증착중합법에의해유기막(202)을형성하는공정을, 하나의처리용기(11) 내에서교대로복수회반복한다.

公开(公告)号：KR1020160001653A

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：KR1020150087469

申请日：2015-06-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 센바쇼헤이 ,  사토요시츠토무 ,  다나카세이지

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/02

Abstract: 가스공급량을증대시키는일 없이, 또한, 생산택트의저하를극히억제하고, 처리가스의이용효율을높여서, 배기경로에있어서의반응생성물의생성을억제하여, 배치식의 ALD 성막을실행한다. 배치식의성막장치(100)는복수의처리실(15)과, 가스공급유닛(2)과, 배기유닛(3)과, 제어부(4)를구비한다. 배기유닛(3)은제 1 처리가스및 제 2 처리가스의각각에대응한 2개의배기경로와, 2개의배기경로를전환하는배기경로전환부(34, 35)를갖고, 제어부(4)는, 가스공급유닛(2)으로부터처리실(15)에제 1 처리가스및 제 2 처리가스를공급할때에, 하나의처리가스에대해, 각처리실에시간차를두고순차공급되도록가스공급유닛(2)을제어하고, 또한각 처리실(15)에공급된처리가스에대응하는배기경로를거쳐서배기되도록배기경로전환부(34, 35)를제어한다.

Abstract translation: 在不增加气体供给量的情况下，通过抑制生产率的降低和处理气体的使用效率的提高，可以防止反应产物在排气路径中产生，从而进行分批式的ALD成膜工序。 分批式的成膜设备（100）包括多个处理室（15）; 气体供应单元（2）; 耗尽单元（3）; 和控制部（4）。 排气单元（3）分别具有对应于第一处理气体和第二处理气体的两个排气路径，以及转换两个排气路径的排气路径转换部（34,35）。 控制部分（4）控制气体供应单元（2），用于当从气体供应第一处理气体和第二处理气体时，以一定的时间间隔连续地供应到每个处理室中的一种处理气体 供给单元（2）到处理室（15），并且通过与供给到各处理室（15）的处理气体对应的排气通路来控制排气路径变换部（34,35）的排气。

公开(公告)号：KR1020130127370A

公开(公告)日：2013-11-22

申请号：KR1020130051702

申请日：2013-05-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 센바쇼헤이 ,  후키노야스히코

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/30621 ,  H01L21/02 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826

Abstract: Provided is a substrate processing method capable of shortening time of continuously processing a substrate with a plurality of processing gases. A substrate processing apparatus (10) includes a chamber (11) and an input pipe (19) of a processing gas input line (12) which receives the processing gas. When an etching process is continuously on a substrate S on which a first layer, a second layer, and a third layer are successively laminated, a first etching gas is compressed and discharged from the input pipe (19) or the chamber (11) by inputting a substitution gas to the input pipe (19) after the first layer is etched. After the second layer is etched, a second etching gas is compressed and discharged from the input pipe (19) or the chamber (11) by inputting the substitution gas to the input pipe (19). After the third layer is etched, a third etching gas is compressed and discharged from the input pipe (19) or the chamber (11) by inputting the substitution gas to the input pipe (19). [Reference numerals] (AA) Exchanging gas;(BB) First etchant;(CC) Second etchant;(DD) Third etchant;(EE) Postprocessing gas;(FF) RF power;(GG,PP) Vacuum suction;(HH) Pressure adjustment;(II) First etching;(JJ,LL,NN) Exchanging;(KK) Second etching;(MM) Third etching;(OO) Postprocessing

Abstract translation: 提供了能够缩短用多种处理气体连续处理基板的时间的基板处理方法。 基板处理装置（10）包括容纳处理气体的处理气体输入管线（12）的室（11）和输入管（19）。 当在连续层叠有第一层，第二层和第三层的基板S上连续蚀刻工艺时，第一蚀刻气体从输入管（19）或室（11）被压缩并排出， 在蚀刻第一层之后，向输入管（19）输入置换气体。 在第二层被蚀刻之后，通过将替代气体输入到输入管（19），第二蚀刻气体从输入管（19）或室（11）被压缩和排出。 在第三层被蚀刻之后，通过将替代气体输入到输入管（19），第三蚀刻气体从输入管（19）或室（11）被压缩和排出。 （AA）交换气体;（BB）第一蚀刻剂;（CC）第二蚀刻剂;（DD）第三蚀刻剂;（EE）后处理气体;（FF）RF功率;（GG，PP）真空吸力 ）压力调节;（II）第一蚀刻;（JJ，LL，NN）交换;（KK）第二蚀刻;（MM）第三蚀刻;（OO）后处理

公开(公告)号：KR101833586B1

公开(公告)日：2018-02-28

申请号：KR1020140174955

申请日：2014-12-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 센바쇼헤이 ,  스에키히데히토

IPC: G02B1/11

Abstract: 본발명은기재상에얇은산화알루미늄막을균일하게형성하여균일한미세요철형상의반사방지구조를얻을수 있는반사방지기능을가지는부재및 그제조방법을제공한다. 반사방지기능을가지는부재(10)는기재(11)와, 기재(11)의표면에형성된반사방지막(13)을구비하고있다. 반사방지막(13)은원자층퇴적법에의해형성된산화알루미늄막을, 고온의열수또는수증기에의해수열처리하는것에의해, 미세요철구조가형성된것이다.

Abstract translation: 本发明提供一种具有抗反射功能的部件及其制造方法，该部件能够在基板上均匀地形成薄的氧化铝膜以获得均匀的抗反射结构。 具有防反射功能的构件10包括基材11和形成在基材11的表面上的抗反射膜13。 防反射膜13通过利用热水或蒸汽对通过磁性层沉积法形成的氧化铝膜进行水热处理而形成。

公开(公告)号：KR101787825B1

公开(公告)日：2017-11-15

申请号：KR1020150087469

申请日：2015-06-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 센바쇼헤이 ,  사토요시츠토무 ,  다나카세이지

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/02

Abstract: 가스공급량을증대시키는일 없이, 또한, 생산택트의저하를극히억제하고, 처리가스의이용효율을높여서, 배기경로에있어서의반응생성물의생성을억제하여, 배치식의 ALD 성막을실행한다. 배치식의성막장치(100)는복수의처리실(15)과, 가스공급유닛(2)과, 배기유닛(3)과, 제어부(4)를구비한다. 배기유닛(3)은제 1 처리가스및 제 2 처리가스의각각에대응한 2개의배기경로와, 2개의배기경로를전환하는배기경로전환부(34, 35)를갖고, 제어부(4)는, 가스공급유닛(2)으로부터처리실(15)에제 1 처리가스및 제 2 처리가스를공급할때에, 하나의처리가스에대해, 각처리실에시간차를두고순차공급되도록가스공급유닛(2)을제어하고, 또한각 처리실(15)에공급된처리가스에대응하는배기경로를거쳐서배기되도록배기경로전환부(34, 35)를제어한다.

公开(公告)号：KR1020170108916A

公开(公告)日：2017-09-27

申请号：KR1020170118443

申请日：2017-09-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 센바쇼헤이 ,  사토요시츠토무

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/0228 ,  H01L21/02046

Abstract: 성막장치가대형화하더라도, 배기구조의대형화, 고비용화, 및복잡화를방지하면서, 배기경로로의반응생성물의퇴적을억제한다. 배기유닛(3)은, 처리용기(11) 내를배기하는전단진공펌프(32)와, 전단진공펌프(32)의배기측에분기하여마련되고, 처리용기(11)에공급되는제 1 처리가스및 제 2 처리가스에각각대응한배기경로를규정하는제 1 분기배관(33) 및제 2 분기배관(34)과, 제 1 분기배관(33) 및제 2 분기배관(34)의각각에마련된제 1 후단진공펌프(35) 및제 2 후단진공펌프(36)와, 배기경로를전환하는배기경로전환부(37, 38)와, 제 1 처리가스및 제 2 처리가스중 처리용기(11) 내에공급되는처리가스에대응한배기경로에배기가스가흐르도록, 배기경로전환부(37, 38)를제어하는배기제어기(41)를갖는다.

Abstract translation: 即使增大成膜装置，也能够抑制反应生成物向排气路径的沉积，同时防止排气结构变大，成本增加并且复杂化。 排气单元3中，处理容器11和前端，用于排出内部的真空泵32，被提供给分支到前真空的排气侧泵32，将被供给到处理室11中的第一处理 在每个第一分支管33设置mitje第二分支管34与第一分支管33 mitje第二支管（34），其限定相应的一个排气通道的气体与权利要求的所述第二处理气体 第一后端真空泵35 mitje第二后端真空泵36和废气路径切换单元，用于切换所述排气通道（37，38），所述第一处理气体和第二处理被供给到气体的处理容器11 以及排气控制单元41，用于控制排气路径切换单元37和38，使得排气在与待供应的处理气体对应的排气路径中流动。