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公开(公告)号：KR101973233B1
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：KR1020150135683
申请日：2015-09-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 고치켄 고리쯔 다이가쿠호진
IPC: H01L29/786 , H01L21/02 , H01L27/32 , H01L51/52
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公开(公告)号：KR101902095B1
公开(公告)日：2018-09-27
申请号：KR1020170007848
申请日：2017-01-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01J37/32
Abstract: (과제) 기판에대한플라즈마처리의균일성을향상시킨플라즈마처리장치를제공한다. (해결수단) 플라즈마처리장치(11)는, 기판 G가탑재되는탑재대(21)를내부에수용하는챔버(20)와, 챔버(20)의내부에배치된격벽부(22)와, 격벽부(22)의상면에배치된고주파안테나(50)와, 격벽부(22)의하면에배치된가스도입유닛을갖고, 고주파안테나(50)에의해형성된전계에의해처리가스를플라즈마화하여기판 G를플라즈마처리한다. 가스도입유닛은, 길고기판탑재면과대략직교하는방향으로처리가스를분출하는복수의가스분출구멍(25b)을갖는제 1 샤워플레이트(24a~24d)와, 길고기판탑재면과대략평행한방향으로처리가스를분출하는복수의가스분출구멍(55b)을갖는제 2 샤워플레이트(54a~54d)가, 긴방향이방사상으로연장되는방향이되도록배치된구성을갖는다.
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公开(公告)号：KR101851431B1
公开(公告)日：2018-06-11
申请号：KR1020150034341
申请日：2015-03-12
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 고치켄 고리쯔 다이가쿠호진
IPC: H01L29/786 , H01L21/02 , H01L21/318 , H01L21/027 , G03F7/20
Abstract: 본발명은산화물반도체의특성변화를방지하고, 또한기생용량이작은반도체디바이스및 그제조방법을제공한다. 본발명은, 아래쪽으로부터게이트전극(12), IGZO막(40) 및채널보호막(17)이적층된적층구조를구비하는 TFT(10)에서는, 게이트전극(12)의폭이반영된폭을가지는포토레지스트마스크(41a)를마스크로서이용하여채널보호막(17)을부분적으로제거하는것에의해, IGZO막(40)을부분적으로노출시키고(도 3(h)), 노출된 IGZO막(40) 및잔존하는채널보호막(17)을, 불화규소가스및 질소가스가혼합되고, 또한수소를포함하지않는처리가스로부터생긴플라즈마에노출시켜형성되는불소함유질화규소막으로이루어지는패시베이션막(18)으로덮고(도 4(b)), 패시베이션막(18)을형성할때, 노출된 IGZO막(40)에패시베이션막(18)으로부터불소원자를확산시켜소스영역(15)이나드레인영역(16)을형성한다.
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公开(公告)号：KR1020160148471A
公开(公告)日：2016-12-26
申请号：KR1020160074532
申请日：2016-06-15
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L51/56 , H01L51/00 , C23C16/458 , C23C16/46 , H01L21/205 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/203
CPC classification number: H01L51/56 , C23C16/4585 , C23C16/4586 , C23C16/46 , H01L21/203 , H01L21/205 , H01L21/67098 , H01L21/67248 , H01L21/683 , H01L51/001
Abstract: 균일한막을형성할수 있고, 또한기판에만막을형성할수 있는성막장치및 그것에사용하는기판적재대를제공한다. 성막장치(100)는, 기판적재대(1)와, 기판(G)에성막처리를실시하는처리실(10)과, 처리가스공급기구(13)를갖는다. 기판적재대(1)는, 그상면이기판(G)을적재하는적재면(4a)으로되는적재부(4)와, 적재부(4)의외주를둘러싸도록설치된외주링(5)과, 적재부(4)를, 처리가스에의해성막가능한제1 온도로온도조절하는제1 온도조절부(20a)와, 외주링(5)을, 처리가스에의해성막되지않는제2 온도로온도조절하는제2 온도조절부(20b)를갖고, 적재부(4)와외주링(5) 사이에는, 전체주위에걸쳐단열부로서기능하는간극(6)이형성되어있고, 적재면(4a)은, 기판(G)보다작게형성되고, 간극(6)은, 적재면(4a)에기판(G)이적재되었을때, 기판(G)의비어져나옴부분이전체주위에걸쳐외주링(5)에걸리도록형성되어있다.
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公开(公告)号：KR1020160140420A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：KR1020160063265
申请日：2016-05-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01J9/42 , H01J9/24 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J9/42 , H01J9/24 , H01L21/3065
Abstract: (과제) 플라즈마처리중의이상방전의발생을검지함으로써기판의박리를신속하게검지한다. (해결수단) 기판(G)이탑재되는기판탑재면을가진탑재대(21)가챔버(20)의내부에배치된플라즈마처리장치(11)에있어서, 기판탑재면에기판(G)이탑재된상태로기판(G)에덮혀지는위치에서도전성핀(60)을기판탑재면에노출되도록탑재대(21)에배치하고, 기판(G)에대한플라즈마처리중에직류전원(63)으로부터도전성핀(60)에직류전압을인가하고, 도전성핀(60)의전위와도전성핀(60)을흐르는전류중 적어도한쪽을감시한다. 플라즈마처리장치(11)를제어하는장치콘트롤러(44)는, 도전성핀(60)의전위가변화했을때 또는도전성핀(60)을흐르는전류가변화했을때에기판(G)의박리가발생했다고판단하여플라즈마의생성을중지한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101662364B1
公开(公告)日：2016-10-04
申请号：KR1020130002780
申请日：2013-01-10
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/67 , C23C16/455
Abstract: (과제) 가스공급의균일성이높고, 의도하지않은영역에불필요한퇴적물이생기는것을억제할수 있는가스공급헤드를제공하는것. (해결수단) 복수의가스토출구멍으로구성되는제 1 가스구멍열(102a)과, 그제 1 가스구멍열(102a)과동일면에있어서그 제 1 가스구멍열(102a)과병렬배치되고, 다른복수의가스토출구멍으로구성되는제 2 가스구멍열(102b)과, 제 1 가스구멍열(102a)을구성하는가스토출구멍만이각각가스유로를통해연통하는 1개또는 2개이상의가스확산실(101a)과, 제 2 가스구멍열(102b)을구성하는가스토출구멍만이각각가스유로를통해연통하는 1개또는 2개이상의가스확산실(101b)을갖고, 제 1 가스확산실(101a)과, 제 2 가스확산실(101b)에는, 다른종류의가스가공급된다.
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公开(公告)号：KR1020140136886A
公开(公告)日：2014-12-01
申请号：KR1020140058971
申请日：2014-05-16
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: C23C16/44 , C23C16/455 , H01L21/205 , H05B33/10
Abstract: 피처리 기판의 대형화에 대응하여 처리실 내로의 가스 공급의 균일성을 개선할 수 있고, 또한, 정밀도 양호하고 용이하게 제조가 가능하고 유지보수성도 양호한 가스 공급 헤드, 가스 공급 기구 및 기판 처리 장치를 제공한다. 기판(G)을 탑재하는 스테이지(4)를 갖는 기판 처리 장치(1)가 구비하는 가스 공급 기구는, 가스 공급 헤드(6), 제 1 스테이지 내 가스 공급 구멍(8a) 및 제 1 가스 공급 라인(9a)을 갖는다. 제 1 가스 공급 라인(9a)은, 제 1 가스 공급원으로부터 하류측을 향해 2
n (n; 자연수)개로 등장 분기하고, 말단의 2
n 개의 분기관의 가스 토출구가 일직선 상에 등간격으로 늘어선 상태로 제 1 스테이지 내 가스 공급 구멍(8a)과 연통하고, 가스 공급 헤드(6)는, 제 1 가스 공급 라인(9a) 및 제 1 스테이지 내 가스 공급 구멍(8a)을 통해 공급되는 가스를 긴 홈 형상의 제 1 가스 확산실(42a)을 통해 복수의 제 1 가스 토출 구멍(45a)으로부터 균일하게 토출한다.Abstract translation: 提供气体供给头，气体供给机构和基板处理装置。 根据本发明，可以将处理室中的气体供给均匀性提高到对应于加工对象基板的尺寸的增加，并且可以提高精密度，易于制造和修理和维护。 具有安装基板（G）的台（4）的基板处理装置（1）的气体供给机构具有供气头（6），第一段气体供给孔（8a）和第一气体供给管线 图9a）。 第一气体供给管线（9a）从第一气体供给源向下游侧以相同长度分支成2n（n：自然数），并且2n个末端分支管道气体出口与第一级气体供给孔（8a ）处于在直线上以规则间隔排列的状态。 气体供给头（6）通过长槽状的第一气体扩散室（42a）从多个第一气体均匀排出通过第一气体供给管线（9a）供给的气体和第一阶段气体供给孔（8a） 排出孔（45a）。
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公开(公告)号：KR1020130096653A
公开(公告)日：2013-08-30
申请号：KR1020130017341
申请日：2013-02-19
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/67 , C23C16/455
CPC classification number: H01L21/67207 , C23C16/45517 , H01L21/6719
Abstract: PURPOSE: A substrate processing device is provided to improve the sealability of a processing process by preventing the degradation of the sealability for a bonding part. CONSTITUTION: A feeding head (3) is arranged on one end of a stage (2) and has multiple gas holes (4) emitting raw gas to a mounting surface. A cover (6) accommodates the gas feeding head and an object to be processed, forms a processing space (7) on the mounting surface, and is detachably bonded to the stage. A sealing member (21) is arranged on a bonding part between the cover and the stage and seals the gap between the cover and the stage. A purge gas groove (22) is arranged on the bonding part between the cover and the stage and also arranged between the sealing member and the processing space.
Abstract translation: 目的：提供一种基板处理装置，用于通过防止粘合部分的密封性降低来提高加工工艺的密封性。 构成：在台（2）的一端配置有进料头（3），并且在安装面上具有多个将原料气体排放到安装面上的气孔（4）。 盖（6）容纳供气头和待处理物体，在安装面上形成处理空间（7），并且可拆卸地结合在台面上。 密封构件（21）布置在盖和台之间的接合部分上，并且密封盖和台之间的间隙。 吹扫气体槽（22）设置在盖和台之间的接合部分上，并且还设置在密封构件和处理空间之间。
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公开(公告)号：KR101019818B1
公开(公告)日：2011-03-04
申请号：KR1020030049342
申请日：2003-07-18
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 사토요시츠토무
IPC: H05H1/26
Abstract: 본 발명은 유전체 벽의 지지 부분을 크게 하지 않으면서 유전체 벽을 두껍게 하지 않고도 유전체 벽을 포함하는, 처리실과 안테나실의 사이를 구획하는 구획 구조의 휨을 억제할 수 있는 유도 결합 플라즈마 처리 장치를 제공한다.
기판(G)에 플라즈마 처리를 실시하는 처리실(4)과, 처리실(4)내에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급계(20)와, 처리실(4)내를 배기하는 배기계(30)와, 처리실(4)의 상부 벽을 구성하는 유전체 벽(2)과, 유전체 벽(2)의 상방에 설치된 고주파 안테나(15)와, 처리실(4)의 상방에 설치되고, 유전체 벽(2)에 의해 저벽이 형성되고, 고주파 안테나(15)를 수용하는 안테나실(3)과, 안테나실(3)을 복수의 소실(6)로 구획하고, 안테나실(3)의 측벽(3a)에 지지되는 수직 벽(5)으로 유도 결합 플라즈마 처리 장치가 구성된다. 유전체 벽(2)은 복수의 소실(6)에 대응하여 복수로 분할되고, 유전체 벽(2)의 각 분할편(2a)은 안테나실(3)의 측벽(3a)과 수직 벽(5)으로 지지된다.-
公开(公告)号：KR1020050041926A
公开(公告)日：2005-05-04
申请号：KR1020040086768
申请日：2004-10-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 사토요시츠토무
Abstract: 본 발명은 절연체의 기판을 이상 방전이나 절연 파괴를 일으키지 않고 안정적으로 확실하게 흡착하여 유지하기 위한 것이다. 절연 기판(G)이 탑재되는 탑재대(10)는 베이스 부재(12)상에 전도체 예컨대 알루미늄으로 이루어지는 장방형 블록 형상의 서셉터(14)와, 이 서셉터(14)의 주위를 둘러싸는 절연체, 예컨대 석영으로 이루어지는 장방형 프레임 형상의 포커스 링(16)을 설치하며, 서셉터(14)의 주면(상면)상에 각각 용사법에 의해 형성되는 하부 유전체층(18), 전극층(20) 및 상부 유전체층(22)의 상층 구조로 이루어지는 정전 흡착부(24)를 설치하고 있다. 하부 유전체층(18) 및 상부 유전체층(22)은 체적 고유 저항이 1×10
14 Ω·㎝ 이상인 알루미나(Al
2 O
3 ), 지르코니아(ZrO
2 )의 세라믹스로 이루어진다. 전극층(20)에는, 직류(DC) 전류(34)의 출력 단자가 전기적으로 접속되어 있다.
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