기판 처리 장치
    2.
    发明公开
    기판 처리 장치 审中-实审
    基板加工设备

    公开(公告)号:KR1020160057338A

    公开(公告)日:2016-05-23

    申请号:KR1020150159042

    申请日:2015-11-12

    Abstract: 본발명은, 배치대의회전중심으로부터배치대의직경방향에있어서의피처리기판의막 두께의균일성을향상시키는것을목적으로한다. 개시하는기판처리장치(10)는, 기판(W)을배치하고, 축선(X)을중심으로회전하는배치대(14)와, 제1 영역(R1)에설치된안테나(22a)와, 제1 영역(R1)에반응가스를공급하는반응가스공급부를구비한다. 반응가스공급부는, 내측분사구(50b) 및외측분사구(51b)를갖는다. 내측분사구(50b)는, 축선(X) 방향에서보았을경우에, 안테나(22a)의영역보다도축선(X)에가까운위치에마련되고, 축선(X)으로부터멀어지는방향으로반응가스를분사한다. 외측분사구(51b)는, 축선(X) 방향에서보았을경우에, 안테나(22a)의영역보다도축선(X)으로부터먼 위치에마련되고, 축선(X)에근접하는방향으로, 내측분사구(50b)로부터분사되는반응가스의유량과는독립적으로제어된유량의반응가스를분사한다.

    Abstract translation: 本发明的目的是提高从布置台的旋转中心沿着布置台的直径方向加工的基板的膜的厚度均匀性。 公开的基板处理装置(10)包括:布置基板(W)并围绕轴线(X)旋转的布置台(14); 安装在第一区域(R1)中的天线(22a); 以及用于将反应气体供给到第一区域(R1)的反应气体供给部。 反应气体供给部具有内侧喷孔(50b)和外侧喷孔(51b)。 当沿着轴线方向(X)观察时,内侧喷孔(50b)布置在比天线(22a)的区域更靠近轴线(X)的位置,并将反应气体喷射到 变得远离轴线(X)的方向。 当从轴线(X)的方向观察时,外侧喷孔(51b)布置在比天线(22a)的区域更远离轴线(X)的位置,并且将反应气体与 流量,其独立于从内侧喷孔(50b)喷射的反应气体的流量在接近轴线(X)的方向上被控制。

Patent Agency Ranking