公开(公告)号：KR1020160126018A

公开(公告)日：2016-11-01

申请号：KR1020167026114

申请日：2015-02-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 카르카시마이클에이. ,  소머벨마크에이치.

IPC: G03F7/20 ,  G03F7/40

CPC classification number: G03F7/2022 ,  G03F7/2002 ,  G03F7/40

Abstract: 광민감형화학적증폭레지스트(PS-CAR)의극자외선(EUV) 리소그래피및 패터닝에있어서산탄잡음을완화하기위한방법이설명된다. 이방법은감광제를생성하기위한제1 EUV 패턴노출과, 제1 EUV 패턴노출동안노출된영역들내에산을생성하기위해, 제1 EUV 패턴노출의파장과상이한파장에서의제2 전면노출을포함하고, 감광제는산 생성을증폭하고콘트라스트를향상시키도록작용한다. 레지스트는제1 EUV 패턴노출동안축적될수 있는감광제농도상의 EUV 산탄잡음의영향을완화하기위해열, 액체용매, 용매분위기, 또는진공에노출될수 있다.

Abstract translation: 描述了一种用于减轻极紫外（EUV）光刻中的散粒噪声和光敏化学放大抗蚀剂（PS-CAR）的图案化的方法。 该方法包括第一EUV图案化曝光以产生光敏剂和在与第一EUV图案化曝光的波长不同的波长处的第二次泛光曝光，以在第一次EUV图案曝光期间暴露的区域产生酸，其中光敏剂用于放大 酸生成和改善对比度。 抗蚀剂可以暴露于热，液体溶剂，溶剂气氛或真空中，以减轻EUV喷射噪声对在第一次EUV图案曝光期间可能产生的光敏剂浓度的影响。

公开(公告)号：KR101691321B1

公开(公告)日：2016-12-29

申请号：KR1020157028220

申请日：2014-03-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 소머벨마크에이치. ,  라스색벤자멘엠.

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027 ,  C23C14/22 ,  C23C16/455 ,  H01J37/317 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L21/0271 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C23C14/221 ,  C23C16/45525 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/40 ,  G03F7/405 ,  H01J37/317 ,  H01L21/0272

Abstract: 기판을코터-디벨로퍼프로세싱시스템에로딩하는단계(410); 포토레지스트재료로기판을코팅하는단계(420); 포토레지스트재료층을패터닝하는단계(430); 기판을증착프로세싱시스템에전달하는단계(440); 및기판의포토레지스트패턴및 노출부분위에중립층을증착하는단계(450)를포함하는층형기판을패터닝하기위한방법(400)이제공된다. 중립층은최소의토포그래피를가지는가스클러스터이온빔(GCIB) 프로세스또는원자층 증착(ALD) 프로세스를사용하여증착될수 있다. 방법은중립층 템플릿을노출시키기위해포토레지스트패턴위에증착되는중립층의일부분을리프팅오프하는단계(510); 중립층 템플릿위에 DSA 재료층을증착하는단계(520); DSA 패턴을형성하기위해 DSA 재료층을베이킹하는단계(530); 및후속하는피처에칭을위한최종 DSA 패턴을노출시키기위해 DSA 재료층을디벨로핑하는단계(540)를더 포함할수 있다.

Abstract translation: 提供了一种用于图案化层状基板的方法，其包括将基板装载到涂布机显影剂处理系统中; 用光致抗蚀剂材料层涂覆基材; 图案化光致抗蚀剂材料层以形成光致抗蚀剂图案; 将衬底转移到沉积处理系统; 以及在光致抗蚀剂图案和衬底的暴露部分上沉积中性层。 使用气体簇离子束（GCIB）工艺或原子层沉积（ALD）工艺沉积中性层，其具有最小的形貌。 该方法可以进一步包括提起沉积在光致抗蚀剂图案上的中性层的一部分以暴露中性层模板以用于随后的定向自组装（DSA）图案化; 在中性层模板上沉积DSA材料层; 烘烤DSA材料层以形成DSA图案; 并开发DSA材料层以暴露最终的DSA图案用于随后的特征蚀刻。

公开(公告)号：KR101845188B1

公开(公告)日：2018-04-03

申请号：KR1020167026114

申请日：2015-02-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 카르카시마이클에이. ,  소머벨마크에이치.

IPC: G03F7/20 ,  G03F7/40

CPC classification number: G03F7/2022 ,  G03F7/2002 ,  G03F7/40

Abstract: 광민감형화학적증폭레지스트(PS-CAR)의극자외선(EUV) 리소그래피및 패터닝에있어서산탄잡음을완화하기위한방법이설명된다. 이방법은감광제를생성하기위한제1 EUV 패턴노출과, 제1 EUV 패턴노출동안노출된영역들내에산을생성하기위해, 제1 EUV 패턴노출의파장과상이한파장에서의제2 전면노출을포함하고, 감광제는산 생성을증폭하고콘트라스트를향상시키도록작용한다. 레지스트는제1 EUV 패턴노출동안축적될수 있는감광제농도상의 EUV 산탄잡음의영향을완화하기위해열, 액체용매, 용매분위기, 또는진공에노출될수 있다.

公开(公告)号：KR1020150131133A

公开(公告)日：2015-11-24

申请号：KR1020157028220

申请日：2014-03-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 소머벨마크에이치. ,  라스색벤자멘엠.

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027 ,  C23C14/22 ,  C23C16/455 ,  H01J37/317 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L21/0271 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C23C14/221 ,  C23C16/45525 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/40 ,  G03F7/405 ,  H01J37/317 ,  H01L21/0272

Abstract: 기판을코터-디벨로퍼프로세싱시스템에로딩하는단계(410); 포토레지스트재료로기판을코팅하는단계(420); 포토레지스트재료층을패터닝하는단계(430); 기판을증착프로세싱시스템에전달하는단계(440); 및기판의포토레지스트패턴및 노출부분위에중립층을증착하는단계(450)를포함하는층형기판을패터닝하기위한방법(400)이제공된다. 중립층은최소의토포그래피를가지는가스클러스터이온빔(GCIB) 프로세스또는원자층 증착(ALD) 프로세스를사용하여증착될수 있다. 방법은중립층 템플릿을노출시키기위해포토레지스트패턴위에증착되는중립층의일부분을리프팅오프하는단계(510); 중립층 템플릿위에 DSA 재료층을증착하는단계(520); DSA 패턴을형성하기위해 DSA 재료층을베이킹하는단계(530); 및후속하는피처에칭을위한최종 DSA 패턴을노출시키기위해 DSA 재료층을디벨로핑하는단계(540)를더 포함할수 있다.

Abstract translation: 提供了一种用于图案化层状基板的方法，其包括将基板装载到涂布机显影剂处理系统中; 用光致抗蚀剂材料层涂覆基材; 图案化光致抗蚀剂材料层以形成光致抗蚀剂图案; 将衬底转移到沉积处理系统; 以及在光致抗蚀剂图案和衬底的暴露部分上沉积中性层。 使用气体簇离子束（GCIB）工艺或原子层沉积（ALD）工艺沉积中性层，其具有最小的形貌。 该方法可以进一步包括提起沉积在光致抗蚀剂图案上的中性层的一部分以暴露中性层模板以用于随后的定向自组装（DSA）图案化; 在中性层模板上沉积DSA材料层; 烘烤DSA材料层以形成DSA图案; 并开发DSA材料层以暴露最终的DSA图案用于随后的特征蚀刻。