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公开(公告)号:KR101691321B1
公开(公告)日:2016-12-29
申请号:KR1020157028220
申请日:2014-03-14
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: G03F7/00 , G03F7/40 , H01L21/027 , C23C14/22 , C23C16/455 , H01J37/317 , B82Y10/00 , B82Y40/00
CPC classification number: H01L21/0271 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C23C14/221 , C23C16/45525 , G03F7/0002 , G03F7/40 , G03F7/405 , H01J37/317 , H01L21/0272
Abstract: 기판을코터-디벨로퍼프로세싱시스템에로딩하는단계(410); 포토레지스트재료로기판을코팅하는단계(420); 포토레지스트재료층을패터닝하는단계(430); 기판을증착프로세싱시스템에전달하는단계(440); 및기판의포토레지스트패턴및 노출부분위에중립층을증착하는단계(450)를포함하는층형기판을패터닝하기위한방법(400)이제공된다. 중립층은최소의토포그래피를가지는가스클러스터이온빔(GCIB) 프로세스또는원자층 증착(ALD) 프로세스를사용하여증착될수 있다. 방법은중립층 템플릿을노출시키기위해포토레지스트패턴위에증착되는중립층의일부분을리프팅오프하는단계(510); 중립층 템플릿위에 DSA 재료층을증착하는단계(520); DSA 패턴을형성하기위해 DSA 재료층을베이킹하는단계(530); 및후속하는피처에칭을위한최종 DSA 패턴을노출시키기위해 DSA 재료층을디벨로핑하는단계(540)를더 포함할수 있다.
Abstract translation: 提供了一种用于图案化层状基板的方法,其包括将基板装载到涂布机显影剂处理系统中; 用光致抗蚀剂材料层涂覆基材; 图案化光致抗蚀剂材料层以形成光致抗蚀剂图案; 将衬底转移到沉积处理系统; 以及在光致抗蚀剂图案和衬底的暴露部分上沉积中性层。 使用气体簇离子束(GCIB)工艺或原子层沉积(ALD)工艺沉积中性层,其具有最小的形貌。 该方法可以进一步包括提起沉积在光致抗蚀剂图案上的中性层的一部分以暴露中性层模板以用于随后的定向自组装(DSA)图案化; 在中性层模板上沉积DSA材料层; 烘烤DSA材料层以形成DSA图案; 并开发DSA材料层以暴露最终的DSA图案用于随后的特征蚀刻。
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公开(公告)号:KR1020160124807A
公开(公告)日:2016-10-28
申请号:KR1020167025293
申请日:2015-02-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor: 카르카시마이클에이. , 후게조슈아에스. , 라스색벤자멘엠. , 나가하라세이지
IPC: G03F7/20 , G03F7/004 , G03F7/09 , G03F7/30 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/2022 , G03F7/0045 , G03F7/0382 , G03F7/0392 , G03F7/09 , G03F7/091 , G03F7/11 , G03F7/2002 , G03F7/2004 , G03F7/2024 , G03F7/26 , G03F7/30 , G03F7/38 , H01L21/0271 , H01L21/0274 , H01L21/0276
Abstract: 본개시는반도체기판상의감광막을패터닝하도록 PS-CAR(Photosensitized Chemically Amplified Resist Chemicals)에대한방법을기재한다. 하나의실시예에서, 2단계노출프로세스는포토레지스트층 내에더 높은산 농도영역을생성할수 있다. PS-CAR 화학물질은광산생성제(PAG; photoacid generator) 및 PAG의산으로의분해를강화하는감광제요소를포함할수 있다. 제1 노출은초기양의산 및감광제를생성하는패터닝된 EUV 노출일수 있다. 제2 노출은감광제가기판상에위치되는경우산 생성속도를증가시키는감광제를여기시키는비-EUV 전면노출일수 있다. 노출동안에너지의분배는포토레지스트층, 하부층, 및/또는상부층의특정특성(예컨대, 두께, 굴절률, 도핑)을사용함으로써최적화될수 있다.
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公开(公告)号:KR1020150131133A
公开(公告)日:2015-11-24
申请号:KR1020157028220
申请日:2014-03-14
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: G03F7/00 , G03F7/40 , H01L21/027 , C23C14/22 , C23C16/455 , H01J37/317 , B82Y10/00 , B82Y40/00
CPC classification number: H01L21/0271 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C23C14/221 , C23C16/45525 , G03F7/0002 , G03F7/40 , G03F7/405 , H01J37/317 , H01L21/0272
Abstract: 기판을코터-디벨로퍼프로세싱시스템에로딩하는단계(410); 포토레지스트재료로기판을코팅하는단계(420); 포토레지스트재료층을패터닝하는단계(430); 기판을증착프로세싱시스템에전달하는단계(440); 및기판의포토레지스트패턴및 노출부분위에중립층을증착하는단계(450)를포함하는층형기판을패터닝하기위한방법(400)이제공된다. 중립층은최소의토포그래피를가지는가스클러스터이온빔(GCIB) 프로세스또는원자층 증착(ALD) 프로세스를사용하여증착될수 있다. 방법은중립층 템플릿을노출시키기위해포토레지스트패턴위에증착되는중립층의일부분을리프팅오프하는단계(510); 중립층 템플릿위에 DSA 재료층을증착하는단계(520); DSA 패턴을형성하기위해 DSA 재료층을베이킹하는단계(530); 및후속하는피처에칭을위한최종 DSA 패턴을노출시키기위해 DSA 재료층을디벨로핑하는단계(540)를더 포함할수 있다.
Abstract translation: 提供了一种用于图案化层状基板的方法,其包括将基板装载到涂布机显影剂处理系统中; 用光致抗蚀剂材料层涂覆基材; 图案化光致抗蚀剂材料层以形成光致抗蚀剂图案; 将衬底转移到沉积处理系统; 以及在光致抗蚀剂图案和衬底的暴露部分上沉积中性层。 使用气体簇离子束(GCIB)工艺或原子层沉积(ALD)工艺沉积中性层,其具有最小的形貌。 该方法可以进一步包括提起沉积在光致抗蚀剂图案上的中性层的一部分以暴露中性层模板以用于随后的定向自组装(DSA)图案化; 在中性层模板上沉积DSA材料层; 烘烤DSA材料层以形成DSA图案; 并开发DSA材料层以暴露最终的DSA图案用于随后的特征蚀刻。
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