公开(公告)号：KR101809788B1

公开(公告)日：2017-12-15

申请号：KR1020150105983

申请日：2015-07-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마리온제이슨 ,  쉐르파소남 ,  보로닌세르게이에이 ,  란잔알록 ,  이시카와요시오 ,  에노모토다카시

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/683 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01J37/32697 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32706 ,  H01J37/32715 ,  H01L21/6833

Abstract: 프로세싱플라즈마가존재할때 정전척(ESC)으로의전압의인가와연관되는전류스파이크가최소화되거나감소되는플라즈마프로세싱방법및 장치가제공된다. 일예에따라, 프로세싱플라즈마가스트라이킹(striking)된이후 ESC에전압이인가되지만, 전압은원하는최종 ESC 전압을달성하기위해단계적방식으로증가되거나램핑된다. 대안적인실시예에서, ESC 전압은웨이퍼를프로세싱하기위한플라즈마의스트라이킹이전에적어도부분적으로인가된다. 프로세싱플라즈마의존재동안 ESC로의전압의인가와연관되는전류스파이크들을감소시킴으로써, 웨이퍼상의미립자들의퇴적또는전달이감소될수 있다.

公开(公告)号：KR1020160012967A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：KR1020150105983

申请日：2015-07-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마리온제이슨 ,  쉐르파소남 ,  보로닌세르게이에이 ,  란잔알록 ,  이시카와요시오 ,  에노모토다카시

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/683 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01J37/32697 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32706 ,  H01J37/32715 ,  H01L21/6833

Abstract: 프로세싱플라즈마가존재할때 정전척(ESC)으로의전압의인가와연관되는전류스파이크가최소화되거나감소되는플라즈마프로세싱방법및 장치가제공된다. 일예에따라, 프로세싱플라즈마가스트라이킹(striking)된이후 ESC에전압이인가되지만, 전압은원하는최종 ESC 전압을달성하기위해단계적방식으로증가되거나램핑된다. 대안적인실시예에서, ESC 전압은웨이퍼를프로세싱하기위한플라즈마의스트라이킹이전에적어도부분적으로인가된다. 프로세싱플라즈마의존재동안 ESC로의전압의인가와연관되는전류스파이크들을감소시킴으로써, 웨이퍼상의미립자들의퇴적또는전달이감소될수 있다.

Abstract translation: 提供了一种用于等离子体处理的方法和装置，其中当存在处理等离子体时，使与静电卡盘（ESC）的电压施加相关联的电流尖峰被最小化或减小。 根据一个实施例，在处理等离子体被击打之后，电压被施加到ESC，但电压以逐步方式增加或斜坡以实现期望的最终ESC电压。 在替代实施例中，在等离子体撞击之前至少部分地施加ESC电压以处理晶片。 当处理等离子体存在时，与ESC的电压相关联的电流尖峰减小，从而减少颗粒在晶片上的沉积或转移。 处理基板的方法包括以下步骤：将基板存储在包括ESC的等离子体处理室中; 点燃等离子体处理室中的等离子体; 将ESC电压施加到ESC，其中ESC电压通过使用布置在第一设定点和第二设定点之间的至少一个中间设定点从第一设定点斜坡到第二设定点; 并通过使用等离子体蚀刻衬底。