公开(公告)号：KR101490628B1

公开(公告)日：2015-02-05

申请号：KR1020130130260

申请日：2013-10-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시카와준 ,  스사요시오 ,  마츠모토나오키 ,  벤트젝피터엘지

IPC: H05H1/46

CPC classification number: H01J37/3266 ,  H01J37/32669 ,  H01J37/32678

Abstract: 본 발명은 인가하는 자기장을 적정화함으로써, 플라즈마를 균일하게 생성하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에서는, 처리실과, 고주파 전력을 출력하는 발진기와, 상기 고주파 전력을 특정 플라즈마 생성 위치로부터 상기 처리실의 내부에 공급하는 전력 공급 수단과, 상기 처리실의 외부에 마련되고, 적어도 상기 특정 플라즈마 생성 위치에 자기장을 형성하는 자기장 형성 수단과, 상기 처리실의 내부에서 생성된 플라즈마의 전자 충돌 주파수(fe) 및 사이클로트론 주파수(fc)가 fc>fe가 되도록 상기 자기장 형성 수단에 의해 형성되는 상기 자기장을 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치가 제공된다.

Abstract translation: 本公开提供了一种等离子体处理装置，包括：处理室; 配置为输出高频电力的振荡器; 电源单元，被配置为将来自特定等离子体产生位置的高频电力提供给所述处理室; 磁场形成单元，其设置在所述处理室的外部，并且被配置为至少在所述特定等离子体产生位置处形成磁场; 以及控制单元，被配置为控制由所述磁场形成单元形成的磁场，使得在所述处理室中产生的等离子体的电子碰撞频率fe与回旋加速器频率fc之间的关系为fc> fe。

公开(公告)号：KR1020140058350A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：KR1020130130260

申请日：2013-10-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시카와준 ,  스사요시오 ,  마츠모토나오키 ,  벤트젝피터엘지

IPC: H05H1/46

CPC classification number: H01J37/3266 ,  H01J37/32669 ,  H01J37/32678

Abstract: An objective of the present invention is to optimize a magnetic field that is applied to uniformly generate plasma. The present invention provides a plasma treatment apparatus including a treatment chamber; an oscillator for outputting high-frequency power; a power supply unit for supplying the high-frequency power from a specific plasma generation position to the inside of the treatment chamber; a magnetic field generating unit provided outside the treatment chamber to generate a magnetic field at the specific plasma generation position; and a control unit for controlling the magnetic field formed by the magnetic field generating unit so that an electron collision frequency (fe) of the plasma generated from the inside of the treatment chamber and a cyclone frequency (fc) satisfy a condition of fc>fe.

Abstract translation: 本发明的目的是优化用于均匀产生等离子体的磁场。 本发明提供一种等离子体处理装置，其包括处理室; 用于输出高频电源的振荡器; 电源单元，用于将来自特定等离子体产生位置的高频电力提供到处理室的内部; 设置在处理室外部的磁场产生单元，以在特定等离子体产生位置产生磁场; 以及控制单元，用于控制由磁场产生单元形成的磁场，使得从处理室的内部产生的等离子体的电子碰撞频率（fe）和旋风频率（fc）满足fc> fe的条件 。