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公开(公告)号：KR1020170093723A
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：KR1020170014975
申请日：2017-02-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01J37/3222 , H01J37/32229 , H01J37/32238 , H01J37/32715
Abstract: 본발명은, 배치대근방의전계강도의균일성을향상시키는것을목적으로한다. 플라즈마처리장치는, 내부에플라즈마여기용의전자파가공급되는처리용기와, 처리용기의내부에설치되고, 피처리체가배치되는배치대와, 배치대를구성하는복수의부재중, 전자파를투과시키는유전체부재의일부에형성된복수의삽입부의각각에삽입되며, 유전체부재와피연결부재를연결하는제1 연결부재와, 제1 연결부재를덮도록복수의삽입부의각각에장착되고, 유전체부재의유전율과거의동일한유전율을갖는유전체제의캡을구비한다.
Abstract translation: 本发明旨在改进用于附近的电场强度的装置的均匀性。 的等离子体处理装置设置有电磁波为内部的等离子体激发供给的处理容器，设置在所述处理容器的内部，对象片的介电部设置抵靠，以及多个外的办公室构成载置台的，穿过电磁波 被插入到每个所述多个插入形成在一个部分bujaeui部分，并且电介质构件和连接构件连接的第一连接构件的，第一安装在每个多个插入部的，以便覆盖连接部件，相同的电介质bujaeui介电常数过去 并且具有介电常数的电介质帽。
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公开(公告)号：KR1020150064020A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：KR1020157006043
申请日：2013-09-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 마츠모토나오키 , 도미타유고 , 미하라나오키 , 다카하시가즈키 , 아이타미치타카 , 요시카와준 , 센다다카히로 , 사토요시야스 , 가토가즈유키 , 스도우겐지 , 미즈스기히토시
IPC: H01L21/3065 , H01L21/311 , H01J37/32 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32449 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J37/32238 , H01J37/3244 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/32137 , H01L29/66795
Abstract: 일실시형태의플라즈마처리장치에서는, 안테나로부터유전체창을통해마이크로파의에너지가처리용기내에도입된다. 이플라즈마처리장치는중앙도입부및 주변도입부를갖춘다. 중앙도입부의중앙도입구는, 기판을탑재하는탑재대의탑재영역의중앙을향해서개구되어, 유전체창의바로아래에가스를분사한다. 주변도입부의복수의주변도입구는, 중앙도입구보다도아래쪽이면서탑재대의위쪽에있어서원주방향을따라서배열되어있고, 탑재영역의가장자리를향해가스를분사한다. 중앙도입부에는, 반응성가스및 희가스의소스를포함하는복수의제1 가스소스가복수의제1 유량제어유닛을통해접속되어있다. 주변도입부에는, 반응성가스및 희가스의소스를포함하는복수의제2 가스소스가복수의제2 유량제어유닛을통해접속되어있다.
Abstract translation: 在等离子体处理设备的一个实施例中，微波的能量通过电介质窗口从天线引入到处理容器中。 该等离子体处理装置具有中心引入部分和外围引入部分。 中央引导部的中央引导开口朝向安装基板的安装台的安装区域的中央开口，并且将气体直接喷射到电介质窗的下方。 周边引导部的多个周缘引导槽在中央引导开口的下方沿着周向配置在载置台的上侧，并朝向安装区域的边缘喷射气体。 包括反应气体源和稀有气体的多个第一气源通过多个第一流量控制单元连接到中心入口。 包括反应气体源和稀有气体的多个第二气体源通过多个第二流量控制单元连接到外围引入部分。
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公开(公告)号：KR1020150055580A
公开(公告)日：2015-05-21
申请号：KR1020140156080
申请日：2014-11-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/683 , H02N13/00 , B23Q3/15 , H01L21/324 , H05H1/46
CPC classification number: H01L21/6831 , H01L21/67103
Abstract: 본발명은 RF 노이즈에대한내성을향상시키는것을과제로한다. 배치대는베이스와, 상기베이스의상부에배치되고, 피처리체가배치되는배치면을갖는정전척과, 상기정전척의상기배치면과는반대측에배치된복수의발열부재와, 상기복수의발열부재의각각을발열시키기위한전류를생성하는전원과, 상기복수의발열부재의각각으로부터상기배치면에교차하는방향을따라서연장되도록설치되고, 상기복수의발열부재의각각과상기전원의사이에서상기전류를통전시키는복수의전선과, 상기복수의전선의각각에배치되고, 상기전류의주파수보다높은주파수를갖는고주파성분을제거하는필터를구비한다.
Abstract translation: 本发明的目的是提高抗RF噪声的阻力。 根据本发明，一种布置包括：底座; 设置在所述基座的上部的具有放置表面的静电吸盘，其中布置有要处理的物体; 多个发热部件，设置在与所述静电吸盘的配置面相反的一侧; 用于产生电流以产生多个发热元件中的每一个的电力的电源; 多个电缆，用于在所述多个发热元件中的每一个与所述电源之间传导电流; 以及设置在多个电缆中的每一个中的滤波器，以去除具有比电流高的频率的高频分量。
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公开(公告)号：KR1020140101695A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：KR1020140015298
申请日：2014-02-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32935 , H01J37/32192 , H03L5/02 , H05H1/46 , H05H2001/463 , H05H2001/4682
Abstract: Provided is a plasma processing apparatus capable of ensuring stable plasma processing. A plasma generation device is provided to generate plasma in a processing vessel by using an RF generated through a microwave generator (41) provided in the plasma processing apparatus. The microwave generator (41) includes a magnetron (42) to oscillate the RF, a detection unit (54a) to detect power of a traveling wave directed to a load, a detection unit (54b) to detect power of a wave reflected from the load, and a voltage control circuit (53a) to control voltage supplied to the magnetron (42) by a high voltage power source (43). The voltage control circuit (53a) includes a load control device to supply a voltage having a power corresponding to a sum of the power of the traveling wave detected by the detection unit (54a) and a power calculated based on the power of the reflected wave detected by the detection unit (54b) to the magnetron (42).
Abstract translation: 提供能够确保稳定的等离子体处理的等离子体处理装置。 提供了一种等离子体产生装置，通过使用通过设置在等离子体处理装置中的微波发生器（41）产生的RF来在处理容器中产生等离子体。 微波发生器（41）包括用于振荡RF的磁控管（42），用于检测指向负载的行波的功率的检测单元（54a），用于检测从所述波长反射的波的功率的检测单元 以及通过高压电源（43）控制提供给磁控管（42）的电压的电压控制电路（53a）。 电压控制电路（53a）包括负载控制装置，用于提供具有与由检测单元（54a）检测到的行波的功率之和相对应的功率的电压和基于反射波的功率计算的功率 由检测单元（54b）检测到磁控管（42）。
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公开(公告)号：KR1020140090182A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：KR1020147012236
申请日：2012-10-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: B08B7/0035 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J37/32862
Abstract: 일실시예의 플라즈마 처리 장치에서는, 안테나의 슬롯판에, 축선에 대하여 둘레 방향으로 배열된 슬롯이 형성되어 있다. 안테나로부터는 유전체창을 거쳐 마이크로파가 처리 공간으로 도입된다. 유전체창에는, 축선을 따라 관통홀이 형성되어 있다. 이 플라즈마 처리 장치에서의 플라즈마 처리 방법은, 안테나로부터 마이크로파를 방사시키고, 클리닝 가스 공급계로부터 클리닝 가스를 공급하여, 제 1 클리닝을 행하는 공정과, 안테나로부터 마이크로파를 방사시키고, 클리닝 가스 공급계로부터 클리닝 가스를 공급하여, 제 2 클리닝을 행하는 공정을 포함한다. 제 1 클리닝을 행하는 공정에서의 처리 공간의 제 1 압력은, 제 2 클리닝을 행하는 공정에서의 처리 공간의 제 2 압력보다 낮다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101386552B1
公开(公告)日：2014-04-17
申请号：KR1020127004868
申请日：2010-08-10
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01L21/31116 , H01L21/32137
Abstract: (과제) 기판 표면에 있어서의 플라즈마 처리의 균일성을 향상시킨다.
(해결 수단) 처리 용기(2)에 도입된 처리 가스를 플라즈마화시켜 기판(W)을 처리하는 플라즈마 처리 장치(1)에 있어서, 처리 용기(2)에 수납된 기판(W)의 중심부에 도입되는 처리 가스의 도입량과, 처리 용기(2)에 수납된 기판(W)의 주변부에 도입되는 처리 가스의 도입량의 비가, 플라즈마 처리 중에 변화한다. 본 발명에 의하면, 기판(W)의 중심부와 주변부의 에칭 레이트(ER) 등의 편차를 작게 할 수 있다. 이 때문에, 기판(W) 표면에 있어서의 플라즈마 처리의 균일성이 향상된다.-
公开(公告)号：KR101369411B1
公开(公告)日：2014-03-04
申请号：KR1020120030392
申请日：2012-03-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01J37/32192 , H01J37/3244 , H01J37/32651
Abstract: 피처리 기체의 중앙 부분의 처리 속도를 저감시킬 수 있는 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 일 실시예의 플라즈마 처리 장치는 처리 용기, 가스 공급부, 마이크로파 발생기, 안테나, 동축 도파관, 보지부, 유전체창 및 유전체봉을 구비하고 있다. 가스 공급부는 처리 용기 내로 처리 가스를 공급한다. 마이크로파 발생기는 마이크로파를 발생한다. 안테나는 플라즈마 여기용의 마이크로파를 처리 용기 내로 도입한다. 동축 도파관은 마이크로파 발생기와 안테나의 사이에 설치되어 있다. 보지부는 피처리 기체를 보지하는 것이며, 동축 도파관의 중심축선이 연장되는 방향에서 안테나와 대향 배치되어 있다. 유전체창은 안테나와 보지부의 사이에 설치되어 있고, 안테나로부터의 마이크로파를 처리 용기 내에 투과한다. 유전체봉은 보지부와 유전체창의 사이의 영역에서 동축 도파관의 중심축선을 따라 설치되어 있다.
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公开(公告)号：KR1020130114607A
公开(公告)日：2013-10-17
申请号：KR1020127034251
申请日：2011-06-22
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/3213 , H01J37/32 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32449 , H01J37/32192 , H01J37/32238 , H01L21/3065 , H01L21/32136 , H05H1/46
Abstract: 공통 가스원(41)로부터 공급되는 공통 가스를 플로우 스플리터(44)에 의해 2계통으로 분기시키고, 2계통으로 분기된 공통 가스를 처리 용기(2)의 유전체 창(16)의 중앙에 마련되는 중앙 도입구(58)(55), 및 기판(W)의 상방에 둘레방향으로 배열되는 복수의 주변 도입구(62)에 도입한다. 2계통으로 분기시킨 공통 가스의 어느 한쪽에 첨가 가스를 첨가한다. 처리 용기(2)내에 도입된 공통 가스 및 첨가 가스를 기판(W)의 하방의 배기구(11a)로부터 배기하고, 처리 용기(2)내를 소정의 압력으로 감압한다. 다수의 슬롯(21)을 갖는 슬롯 안테나(20)를 이용하여 처리 용기(2)내에 마이크로파를 도입하고, 복수의 주변 도입구(62)가 마련되는 영역의 전자 온도를 중앙 도입구(58)(55)가 마련되는 영역의 전자 온도보다 낮게 한다.
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公开(公告)号：KR101266890B1
公开(公告)日：2013-05-24
申请号：KR1020117011259
申请日：2009-08-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , C23C16/455 , H01L21/205 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/3244 , C23C16/452 , C23C16/4558 , H01J37/32192
Abstract: 플라즈마처리장치(11)는처리용기(12) 내로플라즈마처리용의반응가스를공급하는반응가스공급부(13)를구비한다. 반응가스공급부(13)는유전체판(16)의중앙부에설치되어있으며보지대(14)에보지된피처리기판(W)의중앙영역을향하여직하방향으로반응가스를공급하는제 1 반응가스공급부(61)와, 보지대(14) 상에보지된피처리기판(W)의직상영역을피한위치이고보지대(14)의직상영역에설치되어있으며보지대(14)에보지된피처리기판(W)을향하여경사방향으로반응가스를공급하는제 2 반응가스공급부(62)를포함한다.
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公开(公告)号：KR101247833B1
公开(公告)日：2013-03-26
申请号：KR1020117031581
申请日：2005-06-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 고시이시아키라 , 스기모토마사루 , 히나타구니히코 , 고바야시노리유키 , 고시미즈치시오 , 오타니류지 , 기비가즈오 , 사이토마사시 , 마츠모토나오키 , 오오야요시노부 , 이와타마나부 , 야노다이스케 , 야마자와요헤이 , 하나오카히데토시 , 하야미도시히로 , 야마자키히로키 , 사토마나부
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01J2237/3342 , H01L21/31138
Abstract: 본 발명에 따르면, 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스인 플라즈마를 생성하여 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에, 그 표면에 대한 적절한 스퍼터 효과를 얻을 수 있는 정도로 그 표면의 자기 바이어스 전압 V
dc 의 절대값이 커지고, 또한 상부 전극(34)에 있어서의 플라즈마 시스의 두께가, 소망하는 축소화 플라즈마가 형성되는 정도로 두껍게 되도록 하는 직류 전압을 인가하는 가변 직류 전원(50)을 더 구비한다.Abstract translation: 根据本发明，上部电极34和下部电极，作为用于在晶片（W）进行等离子体蚀刻的等离子体蚀刻装置的上部电极34，以产生16及其表面之间的处理气体等离子体 表面的磁偏压V达到可以获得适当溅射效果的程度
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