公开(公告)号：KR100413914B1

公开(公告)日：2004-03-30

申请号：KR1019950016167

申请日：1995-06-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시시구치세이이치 ,  하세베가즈히데 ,  시게마츠노부아키

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C23C16/24 ,  C23C16/56 ,  H01L21/32155

Abstract: 다수의 웨이퍼가 웨이퍼보트상의 반응관 내에 적재되고; 모노실란 가스, 포스핀 가스 및 N
2 O가스가 인이 도핑된 비정질 실리콘막을 형성하기 위해 공급되; 다음에 비정질 실리콘막을 다결정화 하기 위해 다른 반응관 내에서 해당 웨이퍼를 어닐한다. N
2 O의 분해에 의해 생성된 0(산소)가 막중에 취입된다. 그 0는 실리콘 결정의 핵으로 되어, 결정이 미소화되고 크기가 균일해진다. 결과적으로 폴리실리콘막의 미세소자의 저항치의 높은 균일성을 얻을 수 있게 된다. 폴리실리콘막의 저항치는 산소의 첨가에 의해 쉽게 제어될 수 있다. 결과적으로, 폴리실리콘막의 미세소자의 저항치의 높은 균일성을 얻을 수 있게 된다.

公开(公告)号：KR1019960002526A

公开(公告)日：1996-01-26

申请号：KR1019950016167

申请日：1995-06-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시시구치세이이치 ,  하세베가즈히데 ,  시게마츠노부아키

IPC: H01L21/20

Abstract: 웨이퍼의 다수는 웨이퍼보트상의 반응관 내에 적재되고; 모노실란 가스, 포스핀 가스 및 N
2 O가스는 인을 도핑한 아몰파스 실리콘막을 형성하고; 다음에 웨이퍼를 예컨대, 폴리크리스탈화 아몰파스 실리콘막으로 다른 반응관 내에 어닐한다. N
2 O의 분해에 의해 생성된 O
S (산소)는 막 내로 주입된다. O
S 는 실리콘 결정의 핵으로 되고, 결정이 미소화되어 크기가 균일하게 된다. 결과적으로 폴리실리콘막 미세화장치의 저항치의 높은 균일성을 얻을 수 있게 된다. 폴리실리콘막의 저항치는 산소의 첨가에 의해 쉽게 제어될 수 있다. 결과적으로 폴리실리콘막 미세화장치의 저항치의 높은 균일성을 얻을 수 있게 된다.