公开(公告)号：KR101484811B1

公开(公告)日：2015-01-20

申请号：KR1020110111437

申请日：2011-10-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/683

CPC classification number: C23C16/24 ,  B05C11/00 ,  B05C13/02 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/4583 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/4588 ,  H01L21/67303 ,  H01L21/67309

Abstract: 기판 보유 지지구에 선반 형상으로 적재된 복수의 기판에 대하여 성막 가스를 공급하여 성막 처리를 행하는 데 있어서, 파티클의 발생이나 기판과 기판 보유 지지구의 부착을 억제할 수 있는 종형 열처리 장치를 제공한다.
상기 기판 보유 지지구는 경사축 둘레로 회전하고, 웨이퍼(W)의 각각의 수납 위치마다, 웨이퍼(W)의 둘레 방향으로 서로 이격한 위치에 있어서 당해 웨이퍼(W)의 주연부를 각각 지지하는 복수의 주 보유 지지부(33a)와, 이들 주 보유 지지부(33a)에 대하여 웨이퍼(W)의 둘레 방향으로 이격된 위치에 설치되고, 상기 경사축 방향에 있어서 상기 주 보유 지지부(33a)의 상면 보다 그 높이가 낮은 제1 및 제2 보조 보유 지지부(33b, 33c)를 설치하고, 이 웨이퍼 보트(11)가 1회전할 때마다, 웨이퍼(W)의 자세가 상기 제1 보조 보유 지지부 및 주 보유 지지부(33a)에 의해 지지되는 자세와 상기 제2 보조 보유 지지부 및 주 보유 지지부(33a)에 의해 지지되는 자세 사이에서 바뀌도록 한다.

公开(公告)号：KR101141913B1

公开(公告)日：2012-05-03

申请号：KR1020070070009

申请日：2007-07-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 주파오화 ,  하세베가즈히데

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/452 ,  C23C16/345 ,  C23C16/4405

Abstract: 성막 장치의 사용 방법은, 처리 용기의 처리 영역 내에 제1 성막 가스를 공급하는 제1 성막 처리에 의해, 처리 영역 내에서 제1 피처리 기판 상에 제1 박막을 형성한다. 제1 피처리 기판을 처리 용기로부터 언로드 후, 처리 용기 내의 클리닝 처리를 행한다. 클리닝 처리는, 처리 영역 내에 클리닝 가스를 공급하는 동시에, 여기 기구에 의해 클리닝 가스의 플라즈마를 발생시키는 공정을 포함한다. 다음에, 처리 영역 내에 제2 성막 가스를 공급하는 제2 성막 처리에 의해, 처리 영역 내에서 피처리 기판 상에 제2 박막을 형성한다. 제2 성막 처리는 여기 기구에 의해 제2 성막 가스의 플라즈마를 발생시키면서 행하는 플라즈마 성막 처리이다.
성막 장치, 처리 용기, 클리닝 가스, 박막, 여기 기구

公开(公告)号：KR101131645B1

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：KR1020070089845

申请日：2007-09-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  이시다요시히로 ,  후지따다께히꼬 ,  오가와쥰 ,  나까지마시게루

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45525 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45544

Abstract: 막 소스 원소를 포함하고 또한 아미노기를 포함하지 않은 소스 가스를 구비하는 제1 처리 가스와 산화 가스를 구비하는 제2 처리 가스와 예비 처리 가스를 구비하는 제3 처리 가스를 선택적으로 공급 가능한 처리 영역 내에서, 피처리 기판 상에 CVD에 의해 산화막을 형성한다. 제1 공정은, 제3 처리 가스를 여기 기구에 의해 여기한 상태에서 공급하는 여기 기간을 구비하고, 이에 따라 생성된 예비 처리 가스의 라디칼에 의해 피처리 기판의 표면을 예비 처리한다. 제2 공정은, 제1 처리 가스의 공급을 행하고, 이에 의해, 피처리 기판의 표면에 막 소스 원소를 흡착시킨다. 제3 공정은, 제2 처리 가스를 여기 기구에 의해 여기한 상태에서 공급하는 여기 기간을 구비하고, 이에 따라 생성된 산화 가스의 라디칼에 의해, 피처리 기판의 표면에 흡착된 막 소스 원소를 산화한다.
막 소스 원소, 소스 가스, 처리 가스, 피처리 기판, 산화막

公开(公告)号：KR101129741B1

公开(公告)日：2012-03-26

申请号：KR1020080100906

申请日：2008-10-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노데라노부따께 ,  사또오쥰 ,  야마모또가즈야 ,  하세베가즈히데

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C16/0218 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45542 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32522

Abstract: 반응실 내에서 제1 노즐로부터 성막 반응성 가스를 공급하여 피처리 기판 상에 박막을 형성하기 위한 반도체 처리용 성막 장치의 사용 방법은, 상기 반응실 내 및 상기 제1 노즐 내에 퇴적된 부생성물막을 제거하기 위해 상기 반응실 내에 상기 피처리 기판을 수납하지 않은 상태로, 상기 반응실 내에 상기 부생성물막을 에칭하는 클리닝 반응성 가스를 공급하여 활성화하면서 상기 부생성물막을 에칭하는 에칭 공정과, 상기 클리닝 반응성 가스의 공급을 정지하여 상기 반응실 내를 배기하는 배기 공정을, 이 순서로 행함으로써 클리닝 처리를 행한다. 상기 에칭 공정은 상기 반응실 내에 공급한 상기 클리닝 반응성 가스가 상기 제1 노즐 중으로 유입하는 조건을 사용한다.
성막 장치, 반응관, 배기관, 가스 분산 노즐, 플라즈마 생성부

公开(公告)号：KR101046523B1

公开(公告)日：2011-07-04

申请号：KR1020057016676

申请日：2004-04-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  오까다미쯔히로 ,  지바다까시 ,  오가와쥰

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116

Abstract: 자연 산화막이나 케미컬 산화막 등의 실리콘 산화막을, 실온보다도 상당히 높은 온도 하에서 효율적으로 제거하는 것이 가능한 실리콘 산화막의 제거 방법을 제공한다.
진공화 가능하게 이루어진 처리 용기(18) 내에서, 피처리체(W)의 표면에 형성되어 있는 실리콘 산화막을 제거하기 위한 제거 방법에 있어서, HF 가스와 NH
3 가스의 혼합 가스를 이용하여 상기 실리콘 산화막을 제거한다. 이와 같이 HF 가스와 NH
3 가스의 혼합 가스를 이용함으로써, 피처리체의 표면에 형성되어 있는 실리콘 산화막을 효율적으로 제거하는 것이 가능해진다.
처리 용기, 피처리체, 케미컬 산화막, 실리콘 산화막, 열산화막

Abstract translation: 一种氧化硅膜去除方法，其能够在远高于室温的温度下有效地去除诸如天然氧化物膜或化学氧化物膜的氧化硅膜。

公开(公告)号：KR1020100038274A

公开(公告)日：2010-04-14

申请号：KR1020090093078

申请日：2009-09-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마쯔나가마사노부 ,  노데라노부따께 ,  하세베가즈히데

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45546 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3185

Abstract: PURPOSE: A vertical batch CVD apparatus, a method for forming a film in the same, and a computer readable medium are provided to improve uniformity of the film thickness. CONSTITUTION: A source gas(DSC) is supplied to a process region in the adsorption process. The source gas is adsorbed on the surface of a substrate(W). In the reaction process, a reactive gas(NH3) is supplied to the process region. The source gas and the reactive are alternatively reacted. In the adsorption process, the reactive gas is not supplied to the process region. The adsorption process is inserted between a supply sub process(T1a) and a material sub process(T1b) and is repeated several times. The supply sub process supplies the source gas to the process region. An interposition sub process stops the supply of the source gas to the process region. The reactive process maintains the block of the supply of the source gas to the process region. The reactive process continuously supplies the reactive gas to the process region.

Abstract translation: 目的：提供垂直分批CVD装置，其中形成膜的方法和计算机可读介质，以提高膜厚度的均匀性。 构成：在吸附过程中向原料气体（DSC）供应原料气。 源气体被吸附在基板（W）的表面上。 在反应过程中，反应气体（NH 3）被提供给处理区域。 源气体和反应性交替反应。 在吸附过程中，反应气体不被供应到工艺区域。 吸附过程被插入在供应子过程（T1a）和材料子过程（T1b）之间并被重复几次。 供应子过程将源气体提供给过程区域。 插入子过程停止向处理区域供应源气体。 反应过程保持源气体供应到工艺区域的块。 反应过程将反应气体连续地供应到过程区域。

公开(公告)号：KR100890684B1

公开(公告)日：2009-03-26

申请号：KR1020050068174

申请日：2005-07-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  오까다미쯔히로 ,  초우파오화 ,  김채호 ,  오가와쥰

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45531 ,  C23C16/30 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/507

Abstract: 실란계 가스를 포함하는 제1 처리 가스와 질화 가스 또는 산질화 가스를 포함하는 제2 처리 가스와 도핑 가스를 포함하는 제3 처리 가스를 선택적으로 공급 가능한 처리 영역 내에서, 피처리 기판 상에 CVD에 의해 불순물을 함유하는 실리콘 질화물 또는 실리콘 산질화물의 막을 형성한다. 이 성막 방법은 제1 내지 제4 공정을 교대로 구비한다. 제1 공정에서는 처리 영역에 대한 제1 및 제3 처리 가스의 공급을 행한다. 제2 공정에서는 처리 영역에 대한 제1, 제2 및 제3 처리 가스의 공급을 정지한다. 제3 공정에서는 처리 영역에 대한 제2 처리 가스의 공급을 행하는 한편, 처리 영역에 대한 제1 및 제3 처리 가스의 공급을 정지한다. 제3 공정은 제2 처리 가스를 여기 기구에 의해 여기한 상태에서 처리 영역에 공급하는 여기 기간을 구비한다. 제4 공정에서는 처리 영역에 대한 제1, 제2 및 제3 처리 가스의 공급을 정지한다.
처리 용기, 웨이퍼 보트, 매니폴드, 가스 노즐, 승강 기구

公开(公告)号：KR1020080020964A

公开(公告)日：2008-03-06

申请号：KR1020070088269

申请日：2007-08-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후지따다께히꼬 ,  오가와쥰 ,  나까지마시게루 ,  하세베가즈히데

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/20

CPC classification number: C30B33/005 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/31662

Abstract: An oxidation method for a semiconductor process is provided to prevent a remarkable decrease of a consumption rate of an active species without increasing the quantity of gas supply by performing an oxide process on the surface of a substrate to be processed while using an oxygen active species and a hydroxyl radical active species. A plurality of substrates(W) to be processed are received in a process region(5) in a process receptacle(4), piling up at a predetermined interval. From first and second gas supply holes that approximate the substrate at one side of the process region and existing across the vertical length corresponding to the process region, oxidizing gas and reducing gas are respectively supplied to the process region. One or both of the oxidizing gas and the reducing gas are activated. The process region is exhausted through an exhaust hole(52) that confronts the first and second gas supply holes and positioned at both sides of the process region so that the oxidizing gas and the reducing gas are flowed along the surface of the substrate. The oxidizing gas reacts with the reducing gas to generate an oxygen active species and a hydroxyl radical active species in the process region. An oxide process is performed on the surface of the substrate by using the oxygen active species and the hydroxyl radical active species. The exhaust holes can exist across the vertical length corresponding to the process region.

Abstract translation: 提供一种半导体工艺的氧化方法，用于通过在使用氧活性物质的基板的表面上进行氧化处理而不增加气体供给量来防止活性物质的消耗速度的显着降低， 羟基自由基活性物质。 要处理的多个基板（W）被接收在处理容器（4）中的处理区域（5）中，以预定间隔堆积。 从处理区域一侧的衬底近似于存在于对应于工艺区域的垂直长度上的第一和第二气体供给孔分别将氧化气体和还原性气体供给到处理区域。 一种或两种氧化性气体和还原气体被激活。 处理区域通过面对第一和第二气体供给孔并位于处理区域的两侧的排气孔（52）排出，使得氧化气体和还原气体沿着基板的表面流动。 氧化气体与还原气体反应，在工艺区域产生氧活性物质和羟基活性物质。 通过使用氧活性种类和羟基自由基活性物质，在基材的表面上进行氧化处理。 排气孔可以跨越对应于处理区域的垂直长度存在。

公开(公告)号：KR1020070016071A

公开(公告)日：2007-02-07

申请号：KR1020060072425

申请日：2006-08-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  오까다미쯔히로 ,  주파오화 ,  오가와쥰 ,  김채호 ,  후꾸시마고오헤이 ,  다까하시도시끼 ,  사또오쥰

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0228 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/683

Abstract: 실란계 가스를 포함하는 제1 처리 가스와, 질화 가스, 산질화 가스 및 산화 가스로 이루어지는 군으로부터 선택된 가스를 포함하는 제2 처리 가스와, 퍼지 가스를 선택적으로 공급 가능한 처리 영역 내에서 피처리 기판 상에 CVD에 의해 실리콘 함유 절연막을 형성한다. 이 성막 방법은 제1 내지 제4 공정을 교대로 구비한다. 제1, 제2, 제3 및 제4 공정에 있어서, 각각 제1 처리 가스, 퍼지 가스, 제2 처리 가스 및 퍼지 가스를 공급하고, 나머지 2개의 가스의 공급을 정지한다. 제1 공정 내지 제4 공정에 걸쳐서, 개방도 조정용 밸브가 배치된 배기 통로를 거쳐서 처리 영역 내부를 계속적으로 진공 배기한다. 제1 공정에 있어서의 밸브의 개방도를 제2 및 제4 공정에 있어서의 밸브의 개방도의 5 내지 95 ％로 설정한다.
웨이퍼 보트, 승강 기구, 가스 분산 노즐, 가스 여기부, 배기구, 밸브구

公开(公告)号：KR1020060097619A

公开(公告)日：2006-09-14

申请号：KR1020060021536

申请日：2006-03-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 주파오화 ,  하세베가즈히데

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02271 ,  C23C16/36 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/515 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76829

Abstract: An insulating film is formed on a target substrate by CVD, in a process field to be selectively supplied with a first process gas containing a silane family gas, a second process gas containing a nitriding or oxynitriding gas, and a third process gas containing a carbon hydride gas. This method alternately includes first to fourth steps. The first step performs supply of the first and third process gases to the field while stopping supply of the second process gas to the process field. The second step stops supply of the first to third process gases to the field. The third step performs supply of the second process gas to the field while stopping supply of the first and third process gases to the field. The fourth step stops supply of the first to third process gases to the field.

Abstract translation: 包括硅烷基气体的第一处理气体，包含硝化气体或氮氧化气体的第二处理气体以及包含烃气体的第三处理气体， 由此形成绝缘膜。 该成膜方法交替地包括第一至第四步骤。 在第一步骤中，在停止向处理区域供应第二处理气体的同时执行向处理区域供应第一和第三处理气体。 在第二步骤中，停止向处理区域供应第一，第二和第三处理气体。 在第三步骤中，在停止向处理区域供应第一和第三处理气体的同时向处理区域供应第二处理气体。 在第四步骤中，停止向处理区域供应第一，第二和第三处理气体。