公开(公告)号：KR101682724B1

公开(公告)日：2016-12-05

申请号：KR1020100087628

申请日：2010-09-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나리시게가즈키 ,  시게타가즈오

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/31138 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144

Abstract: 본발명은포토레지스트층의높이의감소를더욱강력하게억제할수 있는피처리체의처리방법을제공한다. 피처리체 W가, 유기막과, 이유기막상에형성된포토레지스트층을구비하고, 처리가스로서수소를포함하는처리가스를이용하고, 제 1 전극(5)에직류부전압을인가하면서, 포토레지스트층을마스크로이용하여, 유기막을, 수소를포함하는플라즈마에의해에칭한다.

Abstract translation: 一种用于处理目标物体的方法包括在处理室中并列配置用于支撑目标物体的第一电极和第二电极，并且通过使用供给的处理气体的等离子体来处理由第二电极支撑的目标物体 处理室，通过在第一电极和第二电极之间施加高频电力，在第一电极和第二电极之间产生等离子体。 目标物体包括形成在有机膜上的有机膜和光致抗蚀剂层。 处理气体含有H2气体，并且通过使用光致抗蚀剂层作为掩模，通过包含H 2的等离子体来蚀刻有机膜，同时向第一电极施加负的DC电压。

公开(公告)号：KR1020110027597A

公开(公告)日：2011-03-16

申请号：KR1020100087628

申请日：2010-09-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나리시게가즈키 ,  시게타가즈오

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/31138 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/0274

Abstract: PURPOSE: A method for processing an object to be processed and a computer readable storage medium therefor are provided to supply an H2 gas, or an H2 gas and an Ar gas to an etching container and make a processing gas in a plasma type, thereby increasing anti-plasma properties of a photo-resist layer. CONSTITUTION: A stage(4) is prepared on the bottom of a chamber(2). A shower head(5) functions as an upper electrode in an upper part of the chamber. An exhaust pipe(12) is connected to the bottom of the chamber. An exhaust device(13) includes a vacuum pump and a pressure adjusting valve. The exhaust device is connected to the exhaust pipe. A processing gas is supplied from a processing gas supply system(11) to the chamber through a gas supply pipe(10) and the shower head.

Abstract translation: 目的：提供一种用于处理待处理物体的方法及其计算机可读存储介质，用于向蚀刻容器提供H2气体或H2气体和Ar气体，并使等离子体类型的处理气体增加 抗光层的抗等离子体性质。 构成：在室（2）的底部准备阶段（4）。 淋浴头（5）在室的上部用作上电极。 排气管（12）连接到室的底部。 排气装置（13）包括真空泵和压力调节阀。 排气装置与排气管连接。 处理气体通过气体供给管（10）和喷淋头从处理气体供给系统（11）供给到室。