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    피처리체의 처리 방법
    1.
    发明授权
    피처리체의 처리 방법 有权
    用于处理目标对象和计算机可读存储介质的方法

    公开(公告)号：KR101682724B1

    公开(公告)日：2016-12-05

    申请号：KR1020100087628

    申请日：2010-09-07

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 나리시게가즈키 ,  시게타가즈오

    IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/027

    CPC classification number: H01L21/31138 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144

    Abstract: 본발명은포토레지스트층의높이의감소를더욱강력하게억제할수 있는피처리체의처리방법을제공한다. 피처리체 W가, 유기막과, 이유기막상에형성된포토레지스트층을구비하고, 처리가스로서수소를포함하는처리가스를이용하고, 제 1 전극(5)에직류부전압을인가하면서, 포토레지스트층을마스크로이용하여, 유기막을, 수소를포함하는플라즈마에의해에칭한다.

    Abstract translation: 一种用于处理目标物体的方法包括在处理室中并列配置用于支撑目标物体的第一电极和第二电极，并且通过使用供给的处理气体的等离子体来处理由第二电极支撑的目标物体 处理室，通过在第一电极和第二电极之间施加高频电力，在第一电极和第二电极之间产生等离子体。 目标物体包括形成在有机膜上的有机膜和光致抗蚀剂层。 处理气体含有H2气体，并且通过使用光致抗蚀剂层作为掩模，通过包含H 2的等离子体来蚀刻有机膜，同时向第一电极施加负的DC电压。

    플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 에칭 방법
    6.
    发明公开
    플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 에칭 방법 有权
    等离子体处理装置和等离子体蚀刻方法

    公开(公告)号：KR1020090103805A

    公开(公告)日：2009-10-01

    申请号：KR1020090026118

    申请日：2009-03-26

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 혼다마사노부 ,  마스자와겐지 ,  나카야마히로유키 ,  이와타마나부 ,  사토마나부 ,  나리시게가즈키

    IPC: H01L21/3065

    CPC classification number: H01J37/32091 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32541 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138

    Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus and plasma etching method are provided to improve the uniformity of the etching property in the etching processes. CONSTITUTION: The plasma processing apparatus includes the treatment basin(10), the bottom electrode, the top of inside electrode(60), the outer side upper electrode(62), the processing gas supply part(76), the first radio frequency feeding unit, the first direct current feeding unit, and the second direct current feeding unit. The bottom electrode mounts the processed substrate within the process chamber. The inner side upper electrode is arranged to the front side of the bottom electrode within the process chamber. The processing gas supply part supplies the process gas to the process space of the gap of the inner side and outer side upper electrode and bottom electrode. The first direct current feeding unit applies the first direct current voltage to the top of inside electrode. The second direct current feeding unit applies the second direct current voltages of a variable to the outer side upper electrode.

    Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置和等离子体蚀刻方法，以提高蚀刻工艺中的蚀刻性能的均匀性。 构成：等离子体处理装置包括处理池（10），底部电极，内部电极（60）的顶部，外侧上部电极（62），处理气体供给部（76），第一射频供给 单元，第一直流供电单元和第二直流供电单元。 底部电极将处理过的衬底安装在处理室内。 内侧上部电极配置在处理室内的底部电极的前侧。 处理气体供给部将处理气体供给到内侧和外侧上部电极和底部电极的间隙的处理空间。 第一直流馈电单元将第一直流电压施加到内部电极的顶部。 第二直流供电单元将外部上部电极的第二直流电压施加到外侧上部电极。

    반도체 장치의 제조 방법 및 기억 매체
    7.
    发明公开
    반도체 장치의 제조 방법 및 기억 매체 有权
    制造半导体器件的方法和存储介质

    公开(公告)号：KR1020090018589A

    公开(公告)日：2009-02-20

    申请号：KR1020080080065

    申请日：2008-08-14

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 나리시게가즈키 ,  나가쿠라고이치

    IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/306

    CPC classification number: H01L21/31122 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138

    Abstract: A method for manufacturing a semiconductor device and a storage medium are provided to form a concave part with high vertical profile in an organic film by suppressing the isotropic etching due to an oxygen active species. A silicon containing layer(53) is etched by the plasma. A pattern of a pattern mask(56) is transferred to the silicon containing layer. The pattern mask is removed by the plasma. The surface of the silicon containing layer is exposed. A surface of an organic film(52) is etched by an oxygen active species through the pattern of the silicon containing layer. A concave part(57a) is formed in the organic film. The depth of the concave part is smaller than the thickness of the organic film. The silicon containing layer is sputtered. A silicon containing protection layer(64) is formed in an inner wall of the concave part. The concave part is etched by the oxygen active species of the plasma through the silicon containing layer in a depth direction. A hole or groove is formed in the organic layer.

    Abstract translation: 提供一种制造半导体器件和存储介质的方法，通过抑制由于氧活性物质引起的各向同性蚀刻，在有机膜中形成具有高垂直剖面的凹部。 通过等离子体蚀刻含硅层（53）。 图案掩模（56）的图案被转印到含硅层。 图案掩模由等离子体去除。 暴露含硅层的表面。 有机薄膜（52）的表面通过含氧层的图案被氧活性物质蚀刻。 在有机膜中形成凹部（57a）。 凹部的深度小于有机膜的厚度。 含硅层被溅射。 含硅保护层（64）形成在凹部的内壁中。 通过含硅层在深度方向上的等离子体的氧活性物质蚀刻凹部。 在有机层中形成孔或凹槽。

    반도체 장치의 제조 방법
    9.
    发明公开
    반도체 장치의 제조 방법 审中-实审
    半导体器件制造方法

    公开(公告)号：KR1020150097416A

    公开(公告)日：2015-08-26

    申请号：KR1020150023071

    申请日：2015-02-16

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 다카하시루이 ,  이시타류우 ,  나리시게가즈키

    IPC: H01L27/115 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3105

    CPC classification number: H01L21/32136 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/11582 ,  H01L27/11521 ,  H01L21/31056

    Abstract: (과제) 다층막을 고속으로, 또한, 선택적으로 에칭한다.
    (해결 수단) 에칭 정지층 위에 마련되고, 또한, 서로 상이한 유전율을 갖고, 교대로 적층된 제 1 막 및 제 2 막을 포함하는 다층막을, 플라즈마 처리 장치의 처리 용기 내에 있어서, 마스크를 사이에 두고 에칭하는 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다. 이 방법은, (a) 수소, 브롬화수소, 및 삼불화질소를 포함하고, 또한, 탄화수소, 플루오로카본, 및 플루오로하이드로카본의 적어도 어느 1개를 포함하는 제 1 가스를 처리 용기 내에 공급하고, 그 제 1 가스를 여기시켜, 다층막의 표면으로부터 적층 방향의 미리 정해진 위치까지 그 다층막을 에칭하는 공정과, (b) 브롬화수소를 실질적으로 포함하지 않고, 수소 및 삼불화질소를 포함하고, 또한, 탄화수소, 플루오로카본, 및 플루오로하이드로카본의 적어도 어느 1개를 포함하는 제 2 가스를 처리 용기 내에 공급하고, 그 제 2 가스를 여기시켜, 다층막의 미리 정해진 위치로부터 에칭 정지층의 표면까지 그 다층막을 에칭하는 공정을 포함한다.

    Abstract translation: 以高速选择性地蚀刻多层膜。 本发明提供了一种半导体器件制造方法，其蚀刻包括设置在蚀刻停止层上的第一膜和第二膜的多层膜，具有不同的介电常数，并且在掩模之间彼此交替地形成 等离子体处理装置的处理容器。 半导体器件制造方法包括：（a）提供含有氢，溴化氢和硝基氟的第一气体三者，并且包含烃，碳氟化合物和氟烃中的至少一种，并将第一气体激发至 将多层膜从多层膜的表面蚀刻到成膜方向的规定位置; 和（b）提供实际上不含溴化氢的第二气体的方法，其中含有氢和硝基氟三种，并且含有烃，碳氟化合物和氟烃中的至少一种，并且激发第二气体以蚀刻多 从多层膜的规定位置到蚀刻停止层的表面。

    반도체 장치의 제조 방법
    10.
    发明公开
    반도체 장치의 제조 방법 审中-实审
    半导体器件制造方法

    公开(公告)号：KR1020150015408A

    公开(公告)日：2015-02-10

    申请号：KR1020140097293

    申请日：2014-07-30

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 오가와가즈토 ,  나리시게가즈키 ,  사토다카노리

    IPC: H01L21/8247 ,  H01L21/3065

    CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/31144

    Abstract: 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다. 이 제조 방법은, (a) 교대로 적층된 산화 실리콘막 및 질화 실리콘막을 포함하는 다층막, 및 상기 다층막 상에 마련된 마스크를 갖는 피처리체를, 플라즈마 처리 장치의 처리 용기 내에 준비하는 공정과, (b) 다층막을 에칭하는 공정으로, 수소 가스, 브롬화 수소 가스 및 3불화 질소 가스를 포함하고, 또한 탄화수소 가스, 플루오로하이드로 카본 가스 및 플루오로카본 가스 중 적어도 하나를 포함하는 처리 가스를 처리 용기 내에 공급하며, 플라즈마 처리 장치의 처리 용기 내에서 처리 가스의 플라즈마를 생성하는, 상기 공정을 포함한다.

    Abstract translation: 半导体器件制造方法技术领域本发明涉及半导体器件制造方法。 半导体器件制造方法包括以下步骤：（a）在等离子体处理装置的处理室中制备包括形成在多层膜上的多层膜和掩模的目标物体，所述多层膜通过交替堆叠 氧化硅膜和氮化硅膜; 和（b）通过向等离子体处理装置的处理室供给含有氢气，溴化氢气体，三氟化氮气体和烃气体，氟代烃气体和碳氟化合物气体中的至少一种的处理气体来蚀刻多层膜，并产生等离子体 的处理气体。

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