公开(公告)号：KR101061700B1

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：KR1020040105230

申请日：2004-12-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시즈쿠이시모모코 ,  야에가시히데타미

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67178 ,  G03F7/3021 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/67225

Abstract: 본 발명은 기판의 현상처리방법, 기판의 현상방법 및 현상액 공급 노즐에 있어서 기판 포트리소그래피공정에 있어서 현상액에 용해성을 갖는 반사 방지막을 형성해 그 후 레지스터막을 형성한다. 노광 처리 후의 현상 처리 시에 현상액을 기판에 공급해 레지스터막을 현상 한다. 레지스터막의 현상이 종료한 시점에서 기판상에 현상액보다 농도가 낮은 제 2의 현상액을 공급한다. 이 제 2의 현상액의 공급에 의해 반사 방지막만을 용해시켜 제거한다. 웨이퍼의 포트리소그래피공정에 있어서 레지스터막 아래에 형성된 반사 방지막을 레지스터막에 영향을 주지 않게 제거하는 기술을 제공한다.

Abstract translation: 本发明，以形成具有在光刻工序的显影溶液中的溶解度的反射膜，在所述基板的显影处理的基板上，所述显影方法的基板和显影液供给喷嘴，形成膜，然后进行注册。 在曝光过程之后的显影过程中，将显影溶液提供给基板以显影抗蚀剂膜。 在抗蚀剂膜的显影完成时，将具有比显影剂浓度低的浓度的第二显影剂供给到基板。 通过供应第二显影液，仅仅抗反射膜被溶解并除去。 提供了一种技术，用于在晶片的光刻工艺中去除在抗蚀剂膜下形成的抗反射膜，而不影响抗蚀剂膜。

公开(公告)号：KR1020050062388A

公开(公告)日：2005-06-23

申请号：KR1020040105230

申请日：2004-12-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시즈쿠이시모모코 ,  야에가시히데타미

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67178 ,  G03F7/3021 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/67225 ,  H01L21/0276

Abstract: 본 발명은 기판의 현상처리방법, 기판의 현상방법 및 현상액 공급 노즐에 있어서 기판 포트리소그래피공정에 있어서 현상액에 용해성을 갖는 반사 방지막을 형성해 그 후 레지스터막을 형성한다. 노광 처리 후의 현상 처리 시에 현상액을 기판에 공급해 레지스터막을 현상 한다. 레지스터막의 현상이 종료한 시점에서 기판상에 현상액보다 농도가 낮은 제 2의 현상액을 공급한다. 이 제 2의 현상액의 공급에 의해 반사 방지막만을 용해시켜 제거한다. 웨이퍼의 포트리소그래피공정에 있어서 레지스터막 아래에 형성된 반사 방지막을 레지스터막에 영향을 주지 않게 제거하는 기술을 제공한다.