公开(公告)号：KR101061700B1

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：KR1020040105230

申请日：2004-12-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시즈쿠이시모모코 ,  야에가시히데타미

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67178 ,  G03F7/3021 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/67225

Abstract: 본 발명은 기판의 현상처리방법, 기판의 현상방법 및 현상액 공급 노즐에 있어서 기판 포트리소그래피공정에 있어서 현상액에 용해성을 갖는 반사 방지막을 형성해 그 후 레지스터막을 형성한다. 노광 처리 후의 현상 처리 시에 현상액을 기판에 공급해 레지스터막을 현상 한다. 레지스터막의 현상이 종료한 시점에서 기판상에 현상액보다 농도가 낮은 제 2의 현상액을 공급한다. 이 제 2의 현상액의 공급에 의해 반사 방지막만을 용해시켜 제거한다. 웨이퍼의 포트리소그래피공정에 있어서 레지스터막 아래에 형성된 반사 방지막을 레지스터막에 영향을 주지 않게 제거하는 기술을 제공한다.

Abstract translation: 本发明，以形成具有在光刻工序的显影溶液中的溶解度的反射膜，在所述基板的显影处理的基板上，所述显影方法的基板和显影液供给喷嘴，形成膜，然后进行注册。 在曝光过程之后的显影过程中，将显影溶液提供给基板以显影抗蚀剂膜。 在抗蚀剂膜的显影完成时，将具有比显影剂浓度低的浓度的第二显影剂供给到基板。 通过供应第二显影液，仅仅抗反射膜被溶解并除去。 提供了一种技术，用于在晶片的光刻工艺中去除在抗蚀剂膜下形成的抗反射膜，而不影响抗蚀剂膜。

公开(公告)号：KR101000947B1

公开(公告)日：2010-12-13

申请号：KR1020090011979

申请日：2009-02-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야에가시히데타미 ,  시무라사토루

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20

CPC classification number: H01L21/0337 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1052

Abstract: A semiconductor device manufacturing apparatus includes: a first pattern forming unit for forming a first pattern by patterning a first mask material layer; a boundary layer forming unit for forming a boundary layer at sidewall portions and top portions of the first pattern; a second mask material layer forming unit for forming a second mask material layer so as to cover a surface of the boundary layer; a second mask material removing unit for removing a part of the second mask material layer to expose top portions of the boundary layer; a boundary layer etching unit for forming a second pattern by etching and removing the boundary layer and forming a void between the sidewall portions of the first pattern and the second mask material layer; and a trimming unit for reducing a width of the first pattern and a width of the second pattern to predetermined widths.

Abstract translation: 一种半导体器件制造设备包括：第一图案形成单元，用于通过图案化第一掩模材料层形成第一图案; 边界层形成单元，用于在所述第一图案的侧壁部分和顶部形成边界层; 第二掩模材料层形成单元，用于形成第二掩模材料层以覆盖边界层的表面; 第二掩模材料去除单元，用于去除第二掩模材料层的一部分以暴露边界层的顶部; 边界层蚀刻单元，用于通过蚀刻并去除边界层并在第一图案和第二掩模材料层的侧壁部分之间形成空隙来形成第二图案; 以及修剪单元，用于将第一图案的宽度和第二图案的宽度减小到预定宽度。

公开(公告)号：KR1020090088815A

公开(公告)日：2009-08-20

申请号：KR1020090011848

申请日：2009-02-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야에가시히데타미 ,  시무라사토루 ,  하야카와타카시

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0337 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0338 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1052 ,  G03F7/70433 ,  H01L21/3086

Abstract: A method for forming a pattern, and a method and an apparatus for manufacturing a semiconductor device are provided to simplify a manufacturing process and to reduce a manufacturing cost by forming a fine pattern thinner than the exposure limit. A first pattern is formed by patterning a first mask material layer comprised of the photoresist(201). A width of a first pattern is reduced and a predetermined width is formed in a trimming process(202). A boundary layer made of the material removed selectively by the photoresist is formed in the surface of the first pattern(203). A second mask material layer made of the material to selectively remove the boundary layer is formed in the surface of the boundary layer. A part of the second mask material layer is removed to expose the upper part of the boundary layer(205). A second pattern with the second mask material layer in the upper part is formed in a boundary layer etching process(206).

Abstract translation: 提供一种形成图案的方法，以及用于制造半导体器件的方法和装置，以简化制造工艺并通过形成比暴露极限更薄的精细图案来降低制造成本。 通过图案化由光致抗蚀剂（201）构成的第一掩模材料层来形成第一图案。 第一图案的宽度减小，并且在修剪处理（202）中形成预定宽度。 由第一图案（203）的表面形成由光致抗蚀剂选择性地除去的材料制成的边界层。 在边界层的表面形成由选择性去除边界层的材料制成的第二掩模材料层。 去除第二掩模材料层的一部分以暴露边界层（205）的上部。 在边界层蚀刻工艺（206）中形成具有上部的第二掩模材料层的第二图案。

公开(公告)号：KR100307721B1

公开(公告)日：2001-12-05

申请号：KR1019940028970

申请日：1994-11-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도오교오에레구토론큐우슈우가부시끼가이샤

Inventor： 마쓰가와히로유키 ,  요네미즈아키라 ,  마쓰시다미치아키 ,  후쿠다다카히데 ,  후지모토아키히로 ,  다케구마다카시 ,  야에가시히데타미

IPC: H01L21/304

Abstract: 본 발명은 오리엔테이션 플랫을 가진 피처리체가 수납된 캐리어를 반입 ·반출하기 위한 캐리어 스테이션과, 상기 캐리어 스테이션으로부터 취출된 피처리체를 반송하기 위한 반송기구와, 상기 반송기구가 피처리체를 반송하는 반송로를 따라 설치되고, 피처리체를 세정하기 위한 하나의 세정기구와, 상기 반송로를 따라 설치되고, 피처리체를 반전시키기 위한 반전기구를 포함하여 구성되며, 이 반전기구는, 상기 오리엔테이션 플랫의 위치를 정렬하기 위한 오리엔테이션 플랫 위치맞춤기구를 포함하고, 상기 오리엔테이션 플랫 위치맞춤기구는, 피처리체가 그 위에 위치하는 동안에 피처리체를 회전시키기 위한 수단 및 상기 오리엔테이션 플랫을 검출하기 위한 검출수단을 포함하는 기판 양면 세정장치 및 이것을 사용하는 세정방법을 제공한다.

公开(公告)号：KR1020150101401A

公开(公告)日：2015-09-03

申请号：KR1020150025779

申请日：2015-02-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야에가시히데타미

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/40

CPC classification number: G03D13/00 ,  G03F7/039 ,  G03F7/3021 ,  G03F7/405 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/0273 ,  G03F7/40

Abstract: [과제] 레지스트 패턴의 에칭 내성을 저하시키는 일없이 상기 레지스트 패턴의 라인 에지 러프니스를 개선시킨다.
[해결수단] 웨이퍼에 포토리소그래피 처리를 행하여, 그 웨이퍼 상에 레지스트 패턴(402)을 형성한다. 레지스트 패턴(402)에 자외선을 조사하여, 그 레지스트 패턴(402)의 측쇄를 절단하고, 레지스트 패턴(402)의 라인 에지 러프니스를 개선한다. 레지스트 패턴(402)에 처리제를 진입시켜, 처리제를 통해 그 레지스트 패턴(402)에 금속(404)을 침윤시킨다. 그 후, 웨이퍼를 가열하여 레지스트 패턴(402)으로부터 처리제를 휘발시켜, 경화 레지스트 패턴을 형성한다.

Abstract translation: 本发明改善了抗蚀剂图案的线边缘粗糙度，而不会降低抗蚀剂图案的耐蚀刻性。 通过在晶片上进行光刻工艺，在晶片上形成抗蚀剂图案（402）。 通过用紫外线照射抗蚀剂图案（402）来切割抗蚀剂图案（402）的侧链。 抗蚀剂图案（402）的线边缘粗糙度得到改善。 将加工剂提供给抗蚀剂图案（402）。 金属（404）通过加工剂渗透到抗蚀剂图案（402）中。 之后，晶片被加热并且处理剂挥发。 因此，形成硬化抗蚀剂图案。

公开(公告)号：KR101427505B1

公开(公告)日：2014-08-07

申请号：KR1020127028853

申请日：2011-03-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야에가시히데타미 ,  이가라시요시키 ,  나리시게가즈키 ,  무카와다카히토

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/31138 ,  H01J37/32091 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32139

Abstract: 반사 방지막 상에 형성된 포토 레지스트막으로 이루어지는 제 1 라인부를 마스크로 해서 상기 반사 방지막을 에칭하는 것에 의해서, 상기 포토 레지스트막과 상기 반사 방지막으로 이루어지는 제 2 라인부를 갖는 패턴을 형성하는 제 1 패턴 형성 공정과, 상기 포토 레지스트막에 전자를 조사하는 조사 공정과, 상기 제 2 라인부를 등방적으로 피복하도록 산화 실리콘막을 성막하는 산화 실리콘막 성막 공정과, 상기 산화 실리콘막을 상기 제 2 라인부의 상부에서 제거하고 상기 제 2 라인부의 측벽부로서 잔존하도록, 상기 산화 실리콘막을 에치백하는 에치백 공정과, 상기 제 2 라인부를 애싱하는 것에 의해서, 상기 산화 실리콘막으로 이루어지고 상기 측벽부로서 잔존하는 제 3 라인부를 갖는 마스크 패턴을 형성하는 제 2 패턴 형성 공정을 포함하는 마스크 패턴의 형성 방법이 제공된다..

公开(公告)号：KR1020110030295A

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：KR1020100072304

申请日：2010-07-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카지마시게루 ,  하세베카즈히데 ,  야에가시히데타미 ,  니시무라에이이치

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/31144 ,  C23C16/26 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45542 ,  H01J37/32082 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/0274

Abstract: PURPOSE: A mask pattern forming method and a semiconductor device manufacturing method are provided to improve the etching process accuracy of the target etching layer by etching the target etching layer using the carbon layer having the high selectivity. CONSTITUTION: A second line part having a line width(L2) and a space width(S2) is arranged on the resist pattern(105a). The resist pattern is processed with the trimming in order to form a resist pattern(105b) consisting of the photoresist film(105). A reflection barrier layer(104) is etched with the trimmed resist pattern as the mask. A reflective barrier pattern(104a) having a line width(L3) and a space width(S3) is formed.

Abstract translation: 目的：提供掩模图案形成方法和半导体器件制造方法，以通过使用具有高选择性的碳层蚀刻目标蚀刻层来提高目标蚀刻层的蚀刻处理精度。 构成：具有线宽（L2）和空间宽度（S2）的第二线部分布置在抗蚀剂图案（105a）上。 通过修整处理抗蚀剂图案，以形成由光致抗蚀剂膜（105）组成的抗蚀剂图案（105b）。 用修剪的抗蚀剂图案作为掩模蚀刻反射阻挡层（104）。 形成具有线宽（L3）和空间宽度（S3）的反射阻挡图案（104a）。

公开(公告)号：KR1020100040961A

公开(公告)日：2010-04-21

申请号：KR1020107005089

申请日：2008-08-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야에가시히데타미

IPC: H01L21/3213 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/3213 ,  G03F7/405 ,  H01L21/0274

Abstract: A film to be processed, a first film and a photosensitive second film are sequentially formed in this order on a substrate. The second film is selectively removed and exposed portions of the first film are removed. The film to be processed is etched using the second film as a mask. The side wall portion of the first film is removed so that the first film as a predetermined width. Then, a third film is so formed as to cover at least the upper surfaces of the first film and the film to be processed. After that the first film and the second film are removed. The film to be processed is etched using the third film as a mask. The third film is then removed.

Abstract translation: 待处理的膜，第一膜和感光性第二膜依次依次形成在基板上。 选择性地去除第二膜并且去除第一膜的暴露部分。 使用第二膜作为掩模蚀刻待处理的膜。 去除第一膜的侧壁部分，使得第一膜为预定宽度。 然后，第三膜形成为至少覆盖第一膜和被处理膜的上表面。 之后，第一个薄膜和第二个薄膜被去除。 使用第三膜作为掩模蚀刻待处理的膜。 然后删除第三部电影。

公开(公告)号：KR100386130B1

公开(公告)日：2003-08-25

申请号：KR1019970001966

申请日：1997-01-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야에가시히데타미 ,  도시마다카유키 ,  아키모토마사미 ,  야마구치에이지 ,  가타노준이치 ,  기타노다카유키 ,  신야히로시 ,  이이다나루아키

IPC: H01L21/68

CPC classification number: H01L21/67178 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67225 ,  H01L21/67742 ,  Y10T29/41

Abstract: A processing apparatus comprising a plurality of process unit groups (G1 to G5) each including a plurality of process units to subject an object (w) to a series of processes, said process units being arranged vertically in multiple stages, an object transfer space (22) being defined among the process unit groups (G1 to G5); transfer means (21) for transferring the object (w), said transfer means (21) having a transfer member (73, 78a, 78b, 78c) vertically movable in the object transfer space (22), said transfer member (73, 78a, 78b, 78c) being capable of transferring the object (w) to each of said process units; and means (20b, 50 to 62, 84, 95, 95a, 96, 114, 114a, 115, 115a) for reducing a variation in condition of the object transfer space (22), the processing apparatus further comprising at least one first process unit group (G1, G2) in which process units including a resist coating unit for coating a resist and a developing unit for developing a pattern of the resist are vertically stacked; and at least one second process unit group (G3, G4, G5) in which at least one or all of an alignment unit for aligning an object to be processed, a baking unit for baking the object, a cooling unit for cooling the object, an adhesion unit for subjecting the object to an adhesion process, and an extension unit are vertically stacked, wherein said first process unit group (G1, G2) has such an arrangement that the coating unit is placed below the developing unit.

Abstract translation: 1。一种处理装置，其特征在于，具有：多个处理单元组（G1〜G5），其分别具有对被处理体（w）进行一系列处理的多个处理单元，该多个处理单元以多个阶段进行垂直配置， 22）被定义在处理单元组（G1到G5）中; 用于传送物体（w）的传送装置（21），所述传送装置（21）具有可在物体传送空间（22）中垂直移动的传送构件（73,78a，78b，78c），所述传送构件（73,78a ，78b，78c）能够将物体（w）转移到每个所述处理单元; 和用于减少所述物体转移空间（22）的状态变化的装置（20b，50至62,84,95,95a，96,114,114a，115,115a），所述处理装置还包括至少一个第一处理 单元组（G1，G2），其中包括用于涂覆抗蚀剂的抗蚀剂涂布单元和用于显影抗蚀剂图案的显影单元的处理单元垂直堆叠; 以及至少一个第二处理单元组（G3，G4，G5），其中用于对准待处理对象的对准单元，用于烘烤对象的烘烤单元，用于冷却所述对象的冷却单元， 用于对物体进行粘合处理的粘合单元和延伸单元垂直地堆叠，其中所述第一处理单元组（G1，G2）具有这样的布置，即涂覆单元位于显影单元下方。

公开(公告)号：KR1019990030003A

公开(公告)日：1999-04-26

申请号：KR1019980039143

申请日：1998-09-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야에가시히데타미 ,  환퀴

IPC: H01L21/027

Abstract: 본 발명은 예를 들어 반도체웨이퍼 등의 피처리체에 대해 처리액도포 및 노광 후의 현상을 포함한 일련의 처리를 행하는 처리장치 및 처리방법에 관한 것이다.
본 발명의 처리장치는 케이스 내에 설치되고 피처리체에 대해 처리액도포 및 노광 후의 현상을 포함한 일련의 처리를 행하는 복수의 처리유니트와, 각 처리유니트에 대해 피처리체를 반입반출하는 반송기구와, 케이스 내부에 도입된 공기 중에서 해상도를 저하시키는 불순물을 제거하는 필터를 가지는 공기청정기구와, 필터 외측의 불순물의 농도를 검출하는 농도검출기구와, 농도검출기구의 검출결과를 기초로 하여 필터의 교환수명을 예측하는 수명예측수단(50)을 구비한다.
이로써, 해상불량을 발생시키는 불순물을 제거하기 위한 필터의 교환타이밍을 신속히 파악할 수 있고, 수율저하의 문제를 해결함으로써, 신뢰성 높은 처리를 실현할 수 있는 데 적용할 수 있다.