公开(公告)号：KR100782621B1

公开(公告)日：2007-12-06

申请号：KR1020057003051

申请日：2003-08-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 신도도시히코 ,  오카모토신 ,  히구치기미히로

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32431 ,  H01J2237/0044 ,  H01L21/3065

Abstract: 진공 챔버(1)내에 Ar 가스를 공급하고, 이 상태에서, 우선 고주파 전원(11)으로부터 탑재대(2)(하부 전극)에, 예컨대 300 W 등의 비교적 낮은 고주파 전력을 공급하여, 약한 플라즈마를 발생시키고, 반도체 웨이퍼(W)에 작용시켜 반도체 웨이퍼(W)의 내부에 축적된 전하의 상태를 조정한다. 이 때, 전하가 이동하기 쉽게 하기 위해, 정전척(4)에의 직류 전압(HV)의 인가를 행하지 않는다. 이 후, 정전척(4)에의 직류 전압의 인가를 개시하고, 그 후 2000 W 등의 통상의 처리용의 높은 고주파 전력을 공급하여, 강한 플라즈마를 발생시키고, 통상의 플라즈마 처리를 행한다. 이에 의해, 피처리 기판에 발생하는 표면 아킹의 발생을 방지하여, 종래와 비교하여 생산성의 향상을 도모할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020050058464A

公开(公告)日：2005-06-16

申请号：KR1020057003051

申请日：2003-08-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 신도도시히코 ,  오카모토신 ,  히구치기미히로

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32431 ,  H01J2237/0044 ,  H01L21/3065

Abstract: Argon gas is supplied into a vacuum chamber (1). Keeping this condition, relatively small high-frequency power such as 300W is supplied to a platform (2) (lower electrode) from a high-frequency power supply (11) in order to produce a weak plasma which acts on a semiconductor wafer (W) so as to adjust the condition of charge built up within it (W). During this adjustment, no DC voltage (HV) is applied to an electrostatic chuck (4) for ease of charge movement. Thereafter a direct current voltage is started to be applied to the electrostatic chuck (4), and then strong high-frequency power such as 2000W for a normal processing is supplied to produce a strong plasma, performing a normal processing. Thus, surface arching that possibly occurs in the processed substrate is avoided, improving the productivity compared to the conventional ones.

Abstract translation: 将氩气供应到真空室（1）中。 保持这种状态，从高频电源（11）向平台（2）（下电极）提供相对较小的高频功率（例如300W），以产生作用在半导体晶片（W）上的弱等离子体 ），以便调整其中积聚的电荷的条件（W）。 在该调整期间，为了便于充电移动，不将静电卡盘（4）施加直流电压（HV）。 此后，开始向静电吸盘（4）施加直流电压，然后提供诸如2000W的强大的高频功率进行正常处理以产生强等离子体，进行正常处理。 因此，避免了可能发生在处理过的衬底中的表面拱形，从而提高了与传统衬底相比的生产率。