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公开(公告)号：KR1020140043879A
公开(公告)日：2014-04-11
申请号：KR1020130117950
申请日：2013-10-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 고꾸리쯔 다이가꾸 호우징 오사까 다이가꾸
IPC: H01L21/205 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/401 , C23C16/303 , C23C16/308 , H01L21/02178 , H01L21/022 , H01L21/02252 , H01L21/02271 , H01L21/0228 , H01L21/02326 , H01L21/02332 , H01L21/044 , H01L21/049 , H01L21/28264 , H01L29/1602 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/66045 , H01L29/66068 , H01L29/66712 , H01L29/66734 , H01L29/7802 , H01L29/7813
Abstract: [OBJETIVE] a film forming method capable of generating an AlON layer which is uniformly dispersed in the thickness direction of nitrogen even though the thickness of a layer is thick. [SOLUTION] after forming an AlN layer (23) on the SiC substrate (17) of a wafer (W), an AlON layer (25) which has a stack structure where an AlO layer (24) and an AlN layer (23) are alternately stacked by repeatedly forming the AlN layer (23) on the film-formed AlO layer (24) and the film forming layer of the AlO layer (24) is formed and then the AlON layer (25) having the stack structure is heat-treated.
Abstract translation: 即使层的厚度较厚，也能够产生均匀分散在氮的厚度方向上的AlON层的成膜方法。 在晶片（W）的SiC衬底（17）上形成AlN层（23）之后，具有AlO层（24）和AlN层（23）的堆叠结构的AlON层（25） 通过在膜形成的AlO层（24）上重复形成AlN层（23）而交替层叠，形成AlO层（24）的成膜层，然后具有堆叠结构的AlON层（25）为热 治疗过的。
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公开(公告)号：KR1020120028256A
公开(公告)日：2012-03-22
申请号：KR1020110091667
申请日：2011-09-09
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/336 , H01L21/208 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/02271 , H01L21/02211 , H01L21/0223 , H01L21/02348 , H01L21/28026 , H01L21/28158 , H01L21/28264 , H01L21/32051 , H01L21/445 , H01L21/67069 , H01L21/76802 , H01L21/76874 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/22 , H01L29/49 , H01L29/4908 , H01L29/51 , H01L51/0055 , H01L51/0094 , H01L51/0537
Abstract: PURPOSE: A film deposition method, a semiconductor device, a manufacturing method thereof, and a substrate processing apparatus are provided to arrange a lamination film of a metal oxide semiconductor structure by respectively reforming a film including metal ions into a film comprised of fine metal particles, thereby arranging the film which includes the fine metal particles without using a vacuum apparatus. CONSTITUTION: A poly-silane film is formed by applying a poly-silane solution on a semiconductor film(1). A film which includes metal ions is formed by applying a metal salt solution on the poly-silane film. The poly-silane film is reformed to a poly-siloxane film(2). The poly-siloxane film and a film which includes fine metal particles are heated(3).
Abstract translation: 目的：提供一种成膜方法，半导体装置及其制造方法以及基板处理装置，通过将包含金属离子的膜分别重新成为由金属微粒构成的膜来配置金属氧化物半导体结构的层叠膜 从而在不使用真空装置的情况下配置包含金属微粒的膜。 构成：通过在半导体膜（1）上涂布聚硅烷溶液形成聚硅烷膜。 包含金属离子的膜通过在聚硅烷膜上施加金属盐溶液而形成。 聚硅烷膜重整成聚硅氧烷膜（2）。 将多硅氧烷膜和包含金属微粒的膜加热（3）。
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公开(公告)号：KR102117127B1
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：KR1020130117950
申请日：2013-10-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 고꾸리쯔 다이가꾸 호우징 오사까 다이가꾸
IPC: H01L21/205 , H01L21/336
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101362176B1
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：KR1020107026851
申请日：2010-08-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/18 , C23C16/45525 , C23C16/52 , C23C16/56 , C23C18/165 , C23C18/1653 , C23C18/1658 , C23C18/166 , C23C18/1678 , C23C18/1696 , C23C18/34 , C23C28/023 , H01L21/28562 , H01L21/76843
Abstract: 처리 용기 내에 기판을 수용하고, 처리 용기 내에 코발트아미디네이트를 포함하는 성막 원료와 카본산을 포함하는 환원제를 기상(vapor phase) 상태에서 도입하여, 기판 상에 Co막을 성막한다.
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公开(公告)号：KR101267165B1
公开(公告)日：2013-05-23
申请号：KR1020110091667
申请日：2011-09-09
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/336 , H01L21/208 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/02271 , H01L21/02211 , H01L21/0223 , H01L21/02348 , H01L21/28026 , H01L21/28158 , H01L21/28264 , H01L21/32051 , H01L21/445 , H01L21/67069 , H01L21/76802 , H01L21/76874 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/22 , H01L29/49 , H01L29/4908 , H01L29/51 , H01L51/0055 , H01L51/0094 , H01L51/0537
Abstract: 진공장치를사용하지않고, 트랜지스터등의반도체장치에적용할수 있는 MOS 구조의적층막을형성한다. 성막방법은반도체막(3)을갖는기판에폴리실란용액을도포하여, 반도체막(3) 상에폴리실란막(5)을형성하는공정(스텝 1)과, 폴리실란막(5) 상에, 금속염용액을도포하여금속이온함유막(7)을형성하는것에의해, 폴리실란막(5)을폴리실록산막(5A)으로, 금속이온함유막(7)을금속미립자함유막(7A)으로각각개질하는공정(스텝 2)을구비하고, MOS 구조의적층막(100)을형성한다.
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公开(公告)号：KR1020120053032A
公开(公告)日：2012-05-24
申请号：KR1020127006193
申请日：2010-08-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/45561 , C23C16/16 , C23C16/52 , H01L21/28556
Abstract: 성막 장치는 챔버(1)와, 챔버 내에서 웨이퍼(W)를 가열하기 위한 히터(5)와, 챔버(1) 밖에 배치된, 성막 재료로서 코발트 카르보닐을 수용하는 성막 원료 용기(31)와, 성막 원료 용기(31)로부터 기체 형상의 코발트 카르보닐을 챔버(1)로 공급하기 위한 배관(43)과, 챔버(1) 내를 감압 배기하는 배기 기구(23)와, 성막 원료 용기(31)로부터 배관(43)을 거쳐 챔버(1)로 기체 형상의 코발트 카르보닐을 공급하기 위한 코발트 카르보닐 공급 기구(38)와, 원료 용기(31) 및 배관(43)의 온도를 코발트 카르보닐의 분해 개시 온도 미만으로 제어하는 온도 콘트롤러(60)와, 원료 용기(31) 내에 CO 가스를 공급하는 CO 가스 공급 기구(37)를 구비한다.
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公开(公告)号：KR1020110056455A
公开(公告)日：2011-05-30
申请号：KR1020107026850
申请日：2010-08-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: C25D7/12 , C25D21/12 , H01L21/288
CPC classification number: C25D7/123 , C25D3/38 , C25D5/34 , C25D17/001 , H01L21/28556 , H01L21/2885 , H01L21/76873
Abstract: 성막 방법은, 표면에 시드층으로서 Co막이 형성된 기판을 준비하는 것과, 기판에 대하여 Co의 표면 전위가 Co의 산화 전위보다 낮아지는 부(負)의 전압을 인가하는 것과, 그 후 기판에 부의 전압을 인가한 상태에서 상기 Co막에 황산 구리 용액을 주체로 하는 도금액을 침지시켜, 전해 도금에 의해 상기 기판의 Co막 상에 Cu막을 성막하는 것을 갖는다.
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公开(公告)号：KR1020110046389A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：KR1020107026851
申请日：2010-08-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/18 , C23C16/45525 , C23C16/52 , C23C16/56 , C23C18/165 , C23C18/1653 , C23C18/1658 , C23C18/166 , C23C18/1678 , C23C18/1696 , C23C18/34 , C23C28/023 , H01L21/28562 , H01L21/76843
Abstract: 처리 용기 내에 기판을 수용하고, 처리 용기 내에 코발트아미디네이트를 포함하는 성막 원료와 카본산을 포함하는 환원제를 기상(vapor phase) 상태에서 도입하여, 기판 상에 Co막을 성막한다.
Abstract translation: 将基板容纳在处理容器中，并将包含用于形成含酞酸钴和碳酸的膜的原料的还原剂以气相状态引入处理容器中，以在基板上形成Co膜。
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