公开(公告)号：KR101196535B1

公开(公告)日：2012-11-01

申请号：KR1020097001196

申请日：2007-06-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고지마야스히코 ,  이케다다로

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/28 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76876 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 구리막과 그 하지막의 밀착성이 좋고, 배선간의 저항이 작은 반도체장치를 제조한다. 대기중의 수분을 흡수한 다공질의 절연막(SiOC막(11))을 포함하고, 이 절연막에 트렌치(100)가 형성된 기판(웨이퍼(W))을 처리 용기내에 탑재한다. 기판상에 밸브 메탈로 이루어지는 제 1 하지막(Ti막(13))을 피복한다. 절연층으로 방출된 수분에 의해, 절연막과 접하는 제 1 막의 표면이 산화되어 패시베이션막(13a)이 형성된다. 제 1 하지막의 표면에 밸브 메탈의 질화물 또는 탄화물로 이루어지는 제 2 하지막을 피복하고, 제 2 하지막의 표면에 구리의 유기 화합물을 원료로 하는 CVD에 의해 구리막(15)을 성막한다.

公开(公告)号：KR100995236B1

公开(公告)日：2010-11-17

申请号：KR1020077018342

申请日：2006-01-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시이나오키 ,  고지마야스히코 ,  사토히로시

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/00

CPC classification number: C23C16/45542 ,  C23C16/06 ,  C23C16/45529 ,  Y10T428/2495 ,  Y10T428/24975

Abstract: 베이스와의 밀착성이 높아서 막벗겨짐의 발생을 억제할 수 있고, 게다가, 미세화가 진행되더라도 스텝 커버리지를 충분히 높게 할 수 있으며, 또한 합금종의 원소를 충분히 확산시킬 수 있는 박막의 적층 구조의 형성 방법을 제공한다. 진공 가능하게 이루어진 처리 용기(4) 내에서 피처리체의 표면에 복수의 박막을 퇴적하여 박막의 적층 구조를 형성하는 방법에 있어서, 합금종으로서의 제 1 금속을 포함하는 원료 가스와 환원 가스를 이용하여 제 1 금속으로 이루어지는 합금종막(104)을 형성하는 합금종막 형성 공정과, 상기 제 1 금속과는 상이한 모재로서의 제 2 금속을 포함하는 원료 가스와 환원 가스를 이용하여 제 2 금속으로 이루어지는 모재막(106)을 상기 합금종막보다 두껍게 형성하는 모재막 형성 공정을, 각각 1회 이상 교대로 행하도록 한다.

公开(公告)号：KR100873504B1

公开(公告)日：2008-12-15

申请号：KR1020077012057

申请日：2005-11-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시이나오키 ,  고지마야스히코

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/203 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C14/165 ,  C23C10/02 ,  C23C10/06 ,  C23C14/0057 ,  C23C14/14 ,  C23C14/345 ,  C23C26/00 ,  H01J37/34 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76873

Abstract: Even in the application of a highly cohesive metal to a surface of treatment object having recesses of high aspect ratio, a continuous thin-film can be formed. There is provided a method of forming a film, comprising the step of carrying a substrate in a reaction chamber and mounting the same, the step of feeding a raw gas containing a compound of a first metal into the reaction chamber to thereby cause the surface of the substrate to adsorb the compound of the first metal, the step of bringing the compound the first metal into contact with a reducing plasma resulting from activation of a reducing gas to thereby obtain a first metal layer and the step of bringing a target electrode whose at least surface portion consists of a second metal different from the first metal into contact with a sputtering plasma and incorporating the thus ejected second metal into the first metal layer to thereby obtain an alloy layer, wherein this sequence of adsorption, reduction and alloy formation steps is carried out one or more times. By virtue of this method even when the cohesive force of the first metal is large, any migration thereof on the substrate is suppressed to thereby realize formation of a continuous thin film of small thickness.

Abstract translation: 即使在具有高纵横比的凹部的处理对象物的表面涂布高度凝聚性的金属，也能够形成连续的薄膜。 提供了一种形成膜的方法，该方法包括以下步骤：在反应室中携带基底并将其安装，将包含第一金属化合物的原料气体供入反应室中，从而使得 所述基板吸附所述第一金属的化合物，所述使所述第一金属的化合物与还原性气体的活化而得到的还原等离子体接触而得到第一金属层的工序，以及使所述第一金属的靶 最表面部分由与第一金属不同的第二金属与溅射等离子体接触并且将如此喷射的第二金属结合到第一金属层中从而获得合金层，其中这一顺序的吸附，还原和合金形成步骤是 进行一次或多次。 根据该方法，即使第一金属的凝聚力大，也能够抑制在基板上的迁移，能够实现小厚度的连续薄膜的形成。

公开(公告)号：KR1020070107144A

公开(公告)日：2007-11-06

申请号：KR1020077021735

申请日：2006-03-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시이나오키 ,  마츠자와고우메이 ,  고지마야스히코

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L21/76846 ,  C23C16/0209 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/18 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76864

Abstract: There is provided a substrate treatment method performed on a substrate before forming a Cu film on a surface of undercoat material of the substrate. The substrate treatment method includes: a preparation step for preparing a substrate on which a Cu film is to be formed; and a treatment step for performing a predetermined treatment on the substrate so that the crystal on the surface of the undercoat of the substrate exhibits such an orientation that the grating mismatch between the crystal and the Cu film is small.

Abstract translation: 提供在基板的底涂层材料的表面上形成Cu膜之前在基板上进行的基板处理方法。 基板处理方法包括：准备要在其上形成Cu膜的基板的制备步骤; 以及对衬底进行预定处理以使得衬底的底涂层表面上的晶体呈现出晶体与Cu膜之间的光栅失配小的取向的处理步骤。

公开(公告)号：KR1020070107143A

公开(公告)日：2007-11-06

申请号：KR1020077021729

申请日：2006-03-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시이나오키 ,  마츠자와고우메이 ,  고지마야스히코

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/28556 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/18 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76841

Abstract: Disclosed is a film-forming method characterized by comprising a step for forming a primary Cu film on a substrate by using a divalent Cu material, and another step for forming a secondary Cu film on the primary Cu film by using a monovalent Cu material.

Abstract translation: 公开了一种成膜方法，其特征在于包括通过使用二价Cu材料在基板上形成初级Cu膜的步骤，以及通过使用一价Cu材料在初级Cu膜上形成二次Cu膜的另一步骤。

公开(公告)号：KR1020070094959A

公开(公告)日：2007-09-27

申请号：KR1020077018342

申请日：2006-01-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시이나오키 ,  고지마야스히코 ,  사토히로시

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/00

CPC classification number: C23C16/45542 ,  C23C16/06 ,  C23C16/45529 ,  Y10T428/2495 ,  Y10T428/24975

Abstract: This invention provides a method for thin film laminate structure formation that has high adhesion to a substrate and thus can suppress film separation, can satisfactorily enhance a step coverage even in the case of enhanced fineness, and can realize satisfactory diffusion of alloying species elements. In this method, a plurality of thin films are deposited on a surface of an object within an evacuatable treatment vessel (4) to form a thin film laminate structure. In this case, an alloying species film formation step of forming a first metal alloy species film (104) using a starting material gas containing a first metal as an alloying species and a reducing gas and a base material film formation step of forming a second metal base material film (106), in a larger thickness than the thickness of the alloying species film, using a starting material gas containing a second metal as a base material different from the first metal, and a reducing gas, are alternately carried out once or more.

Abstract translation: 本发明提供了一种薄膜叠层结构形成方法，其具有对基材的高粘附性，因此可以抑制膜分离，即使在细度提高的情况下也能令人满意地提高台阶覆盖率，并且可以实现合金种类元素的令人满意的扩散。 在该方法中，在可抽出的处理容器（4）内的物体的表面上沉积多个薄膜，以形成薄膜叠层结构。 在这种情况下，使用含有作为合金种的第一金属的原料气体和还原气体形成第一金属合金种类膜（104）的合金化物质成膜工序和形成第二金属的基材成膜工序 使用含有第二金属作为不同于第一金属的基材的原料气体和还原气体，比厚度大于合金化膜的厚度的基材薄膜（106）交替进行一次，或者 更多。

公开(公告)号：KR100715065B1

公开(公告)日：2007-05-07

申请号：KR1020057016308

申请日：2004-02-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오시마야스히로 ,  고지마야스히코 ,  시게오카다카시 ,  간난히로시 ,  이시자카다다히로

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45523 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843

Abstract: 원료로 되는 가스를 교대로 공급하므로써 성막을 실행하는 박막의 형성으로서 고품질의 박막을 신속히 형성하는 방법에 관한 것으로, 원료가스인 TiCl
4 가스를 기판상 혹은 기판에 흡착하고 있는 TiCl
4 의 분자상에 흡착시키고, 반응가스인 NH
3 가스를 처리용기내에 공급하여, 이 NH
3 와 TiCl
4 를 반응시켜 TiN을 성막하는 공정을 갖고, 이들의 공정을 되풀이하여 실시하므로써 TiN 박막을 형성하는 방법에 있어서, 또한 TiCl
4 가스가 기판상에 흡착하기 전에, 환원성을 갖는 H
2 가스를 처리용기 내에 공급하여, TiCl
4 를 기판에 흡착하기 쉬운 상태(예컨대, [TiCl
3 ]
+ )로 변화시키는 공정을 마련한다.

公开(公告)号：KR100674279B1

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：KR1020057017183

申请日：2004-03-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시자카다다히로 ,  요시이나오키 ,  가와무라고헤이 ,  후쿠다유키오 ,  시게오카다카시 ,  고지마야스히코 ,  오시마야스히로 ,  아라미주니치 ,  고미아츠시

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/45542 ,  C23C16/34 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45561 ,  Y10T137/86558 ,  Y10T137/86566 ,  Y10T137/86638 ,  Y10T137/86726 ,  Y10T137/86743 ,  Y10T137/86751 ,  Y10T137/86871

Abstract: 처리장치는, 환원가스의 플라즈마를 연속하여 생성하면서, 원료가스와 환원가스의 공급을 교대로 전환하면서 공급할 수 있다. 여기장치(12)는 공급된 환원가스를 여기한다. 여기된 환원가스는 처리용기(2)에 공급된다. 전환기구(20)가, 여기장치(12)와 처리용기(2)의 사이에 마련된다. 바이패스라인(22)이, 전환기구(20)에 접속된다. 전환기구(20)는, 여기된 환원가스의 여기장치(12)로부터의 흐름을, 처리용기(2)와 바이패스라인(22) 중 어느 한쪽으로 전환한다.

Abstract translation: 处理装置可以在连续产生还原气体的等离子体的同时交替地切换源气体和还原气体的供应的同时供应源气体和还原气体。 激励装置12激励供应的还原气体。 被激发的还原气体被供给到处理容器2。 在励磁装置12与处理容器2之间设置有切换机构20。 旁路线路22连接到切换机构20。 切换机构20将被激励的还原气体激励装置12的流量切换到处理容器2或旁通管路22。

公开(公告)号：KR100649852B1

公开(公告)日：2006-11-24

申请号：KR1020000052718

申请日：2000-09-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고지마야스히코 ,  모리히로유키 ,  오노히로후미

IPC: H01L21/18

CPC classification number: F16K7/14 ,  C23C16/4481 ,  F16K31/06 ,  Y10T137/87571 ,  Y10T137/87676

Abstract: 본 발명은 감압분위기하에서 액체 원료를 효율적으로 기화시킬 수 있는 기화기를 제공한다. 액체 원료는 액체 저장실에 일시적으로 저장되고, 미세 구멍을 통해서 감압분위기로 설정된 기화실에 공급된다. 상기 액체 저장실의 유입구는 밸브 본체에 의해서 개폐되며, 이것은 밸브 본체의 밸브 개방도를 제어하는 액츄에이터에 의해서 작동된다.

公开(公告)号：KR1020040020821A

公开(公告)日：2004-03-09

申请号：KR1020030060525

申请日：2003-08-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모리야슈지 ,  고지마야스히코 ,  이시자카다다히로 ,  간난히로시

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45544

Abstract: PURPOSE: To provide a thin film forming apparatus which alternately supplies gaseous raw materials and can rapidly switch the supply of the gaseous raw materials and a method for the same. CONSTITUTION: When diaphragm energizing mechanisms 86-a and 86-b energize a diaphragm valve 83 to a casing side, a supply side aperture 92 of a supply line 91 for TiCl4 which is disposed in the upper face of a projecting part 85 and is connected to a supply line 21 of N2 is completely and directly shut off.

Abstract translation: 目的：提供交替供应气态原料并可快速切换气态原料供应的薄膜形成装置及其方法。 构成：当隔膜通电机构86-a和86-b将隔膜阀83通电到壳体侧时，设置在突出部分85的上表面中并连接的用于TiCl4的供应线91的供应侧孔92 到N2的供应管线21完全和直接关闭。