公开(公告)号：KR1020070049658A

公开(公告)日：2007-05-11

申请号：KR1020077005480

申请日：2005-07-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카무라준지 ,  요시하라코우스케 ,  야마무라켄타로 ,  이와오후미코 ,  타케구치히로후미

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67051 ,  B08B3/02 ,  B08B3/10 ,  G03F7/3021 ,  Y10S134/902 ,  H01L21/02057

Abstract: 본 발명은 현장장치 및 현상방법에 관한 것으로서 현상을 끝낸 웨이퍼를 회전시키면서 노즐로부터 웨이퍼 중심부에 세정액을 토출하여 그 세정액을 주위로 확대하여 액막을 형성하고 다음에 상기 노즐을 이동시켜, 기판의 중심부에 건조 영역을 발생시키고 기판을 1500 rpm의 회전수로 회전시키고 그 원심력에 의해 상기 건조 영역을 주위로 확대한다. 상기 노즐은 건조 영역에 도달하지 않는 속도로 웨이퍼의 중심으로부터 예를 들면 80 mm 떨어진 위치로서 웨이퍼의 주변에서 5 mm이상 중심부 측으로 몰린 위치까지 이동하고 거기서 세정액의 토출을 정지한다. 또 미리 이 위치에 다른 노즐을 배치하고 여기로부터 세정액을 토출해 두고 건조 영역이 그곳에 도달하기 직전에 그 토출을 정지해도 괜찮다. 웨이퍼의 중심으로 건조 영역의 코어를 형성하는 경우 가스를 기판의 중심부에 분사 곧바로 그 분사를 정지하는 것이 바람직한 노광된 반도체 웨이퍼의 표면에 현상액을 공급해 현상을 실시한 후에, 기판의 표면의 용해물을 세정함에 있어 높은 세정 효과를 구하는 기술을 제공한다.

公开(公告)号：KR101015659B1

公开(公告)日：2011-02-22

申请号：KR1020077005480

申请日：2005-07-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카무라준지 ,  요시하라코우스케 ,  야마무라켄타로 ,  이와오후미코 ,  타케구치히로후미

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67051 ,  B08B3/02 ,  B08B3/10 ,  G03F7/3021 ,  Y10S134/902

Abstract: 본 발명은 현장장치 및 현상방법에 관한 것으로서 현상을 끝낸 웨이퍼를 회전시키면서 노즐로부터 웨이퍼 중심부에 세정액을 토출하여 그 세정액을 주위로 확대하여 액막을 형성하고 다음에 상기 노즐을 이동시켜, 기판의 중심부에 건조 영역을 발생시키고 기판을 1500 rpm의 회전수로 회전시키고 그 원심력에 의해 상기 건조 영역을 주위로 확대한다. 상기 노즐은 건조 영역에 도달하지 않는 속도로 웨이퍼의 중심으로부터 예를 들면 80 mm 떨어진 위치로서 웨이퍼의 주변에서 5 mm이상 중심부 측으로 몰린 위치까지 이동하고 거기서 세정액의 토출을 정지한다. 또 미리 이 위치에 다른 노즐을 배치하고 여기로부터 세정액을 토출해 두고 건조 영역이 그곳에 도달하기 직전에 그 토출을 정지해도 괜찮다. 웨이퍼의 중심으로 건조 영역의 코어를 형성하는 경우 가스를 기판의 중심부에 분사하고 곧바로 그 분사를 정지하는 것이 바람직한 노광된 반도체 웨이퍼의 표면에 현상액을 공급해 현상을 실시한 후에, 기판의 표면의 용해물을 세정함에 있어 높은 세정 효과를 구하는 기술을 제공한다.