公开(公告)号：KR101959108B1

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：KR1020157022381

申请日：2014-01-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시무라사토루 ,  이와오후미코 ,  요시하라고오스케

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  H01L21/66 ,  H01L21/67 ,  H01L21/311

公开(公告)号：KR101015659B1

公开(公告)日：2011-02-22

申请号：KR1020077005480

申请日：2005-07-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카무라준지 ,  요시하라코우스케 ,  야마무라켄타로 ,  이와오후미코 ,  타케구치히로후미

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67051 ,  B08B3/02 ,  B08B3/10 ,  G03F7/3021 ,  Y10S134/902

Abstract: 본 발명은 현장장치 및 현상방법에 관한 것으로서 현상을 끝낸 웨이퍼를 회전시키면서 노즐로부터 웨이퍼 중심부에 세정액을 토출하여 그 세정액을 주위로 확대하여 액막을 형성하고 다음에 상기 노즐을 이동시켜, 기판의 중심부에 건조 영역을 발생시키고 기판을 1500 rpm의 회전수로 회전시키고 그 원심력에 의해 상기 건조 영역을 주위로 확대한다. 상기 노즐은 건조 영역에 도달하지 않는 속도로 웨이퍼의 중심으로부터 예를 들면 80 mm 떨어진 위치로서 웨이퍼의 주변에서 5 mm이상 중심부 측으로 몰린 위치까지 이동하고 거기서 세정액의 토출을 정지한다. 또 미리 이 위치에 다른 노즐을 배치하고 여기로부터 세정액을 토출해 두고 건조 영역이 그곳에 도달하기 직전에 그 토출을 정지해도 괜찮다. 웨이퍼의 중심으로 건조 영역의 코어를 형성하는 경우 가스를 기판의 중심부에 분사하고 곧바로 그 분사를 정지하는 것이 바람직한 노광된 반도체 웨이퍼의 표면에 현상액을 공급해 현상을 실시한 후에, 기판의 표면의 용해물을 세정함에 있어 높은 세정 효과를 구하는 기술을 제공한다.

公开(公告)号：KR1020140109815A

公开(公告)日：2014-09-16

申请号：KR1020140023471

申请日：2014-02-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이와오후미코 ,  시무라사토루

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/38 ,  G03F7/265 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/0274

Abstract: An objective of the present invention is to suitably form a resist pattern on a substrate. A resist film (401) is formed on a film to be treated (400) of a wafer (W) [FIG. 8 (a)]. An exposed portion (402) and an unexposed portion (403) are formed on the resist film (401) by exposing the resist film (401) as a predetermined pattern [FIG. 8(b)]. Alcohol enters the exposed portion (402), and metal (404) is infiltrated through the alcohol in the exposed portion (402) [FIG. 8(c)]. The metal accumulated on the unexposed portion (403). The unexposed portion (403) is removed, and a resist pattern (405) is formed on the wafer (W) [FIG. 8(d)]. The film to be treated (400) is etched using the resist pattern (405) as a mask, and a predetermined pattern (406) is formed in an appropriate shape in the film to be treated (400).

Abstract translation: 本发明的目的是在衬底上适当地形成抗蚀剂图案。 在晶片（W）的待处理膜（400）上形成抗蚀剂膜（401）。 8（a）]。 通过使抗蚀剂膜（401）以预定图案曝光，在抗蚀剂膜（401）上形成曝光部分（402）和未曝光部分（403）。 图8（b）]。 醇进入暴露部分（402），并且金属（404）通过暴露部分（402）中的醇渗透。 图8（c）]。 积存在未曝光部分（403）上的金属。 去除未曝光部分（403），并且在晶片（W）上形成抗蚀图案（405）。 图8（d）〕。 使用抗蚀剂图案（405）作为掩模蚀刻待处理的膜（400），并且在待处理膜（400）中以适当的形状形成预定图案（406）。

公开(公告)号：KR1020140078551A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：KR1020130154460

申请日：2013-12-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이와오후미코 ,  시무라사토루

IPC: H01L21/32

CPC classification number: G03F7/168

Abstract: The objective of the present invention is to properly form a metal-containing layer on a substrate. An organic solution is supplied from an organic solution nozzle (143) onto a wafer (W) and an organic layer (F) is formed on the wafer (W) ((a) of figure 6). A metal-containing solution including metal (M) dissolved in alcohol is supplied from a metal-containing nozzle (150) to the wafer (W), alcohol is supplied to the organic layer (F), and the metal (M) is infiltrated into the organic layer (F) through the alcohol, thereby forming a metal-containing layer (C) on the wafer (W) ((b) of figure 6).

Abstract translation: 本发明的目的是在衬底上适当地形成含金属层。 将有机溶液从有机溶液喷嘴（143）供应到晶片（W）上，并且在晶片（W）（图6的（a））上形成有机层（F）。 将包含金属（M）的含金属溶液从含金属的喷嘴（150）供给到晶片（W），向有机层（F）供给醇，并且金属（M）被渗透 通过醇进入有机层（F），从而在晶片（W）（图6的（b））上形成含金属层（C）。

公开(公告)号：KR1020070049658A

公开(公告)日：2007-05-11

申请号：KR1020077005480

申请日：2005-07-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카무라준지 ,  요시하라코우스케 ,  야마무라켄타로 ,  이와오후미코 ,  타케구치히로후미

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67051 ,  B08B3/02 ,  B08B3/10 ,  G03F7/3021 ,  Y10S134/902 ,  H01L21/02057

Abstract: 본 발명은 현장장치 및 현상방법에 관한 것으로서 현상을 끝낸 웨이퍼를 회전시키면서 노즐로부터 웨이퍼 중심부에 세정액을 토출하여 그 세정액을 주위로 확대하여 액막을 형성하고 다음에 상기 노즐을 이동시켜, 기판의 중심부에 건조 영역을 발생시키고 기판을 1500 rpm의 회전수로 회전시키고 그 원심력에 의해 상기 건조 영역을 주위로 확대한다. 상기 노즐은 건조 영역에 도달하지 않는 속도로 웨이퍼의 중심으로부터 예를 들면 80 mm 떨어진 위치로서 웨이퍼의 주변에서 5 mm이상 중심부 측으로 몰린 위치까지 이동하고 거기서 세정액의 토출을 정지한다. 또 미리 이 위치에 다른 노즐을 배치하고 여기로부터 세정액을 토출해 두고 건조 영역이 그곳에 도달하기 직전에 그 토출을 정지해도 괜찮다. 웨이퍼의 중심으로 건조 영역의 코어를 형성하는 경우 가스를 기판의 중심부에 분사 곧바로 그 분사를 정지하는 것이 바람직한 노광된 반도체 웨이퍼의 표면에 현상액을 공급해 현상을 실시한 후에, 기판의 표면의 용해물을 세정함에 있어 높은 세정 효과를 구하는 기술을 제공한다.

公开(公告)号：KR101788908B1

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：KR1020140023473

申请日：2014-02-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이와오후미코 ,  시무라사토루

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/405

Abstract: 본발명의과제는기판상에레지스트패턴을적절하고또한효율적으로형성하는것이다. 웨이퍼(W)에포토리소그래피처리를행하여, 당해웨이퍼(W) 상에제1 레지스트패턴(402)을형성한다[도 8의 (a)]. 제1 레지스트패턴(402)의측면의중간노광영역(403)에알코올을진입시키고, 또한중간노광영역(403)에알코올을통해금속을침윤시킨다[도 8의 (b)]. 제1 레지스트패턴(402)에있어서중간노광영역(403)의내측이며, 금속이침윤하고있지않은미노광영역(404)을제거하고, 웨이퍼(W) 상에제2 레지스트패턴(406)을형성한다[도 8의 (c)]. 제2 레지스트패턴(406)을마스크로하여피처리막(400)을에칭처리하고, 당해피처리막(400)에소정의패턴(408)을형성한다[도 8의 (d)].

Abstract translation: 本发明要解决的问题是适当且高效地在基板上形成抗蚀剂图案。 对晶片W进行光刻工艺以在晶片W上形成第一抗蚀剂图案402（图8A）。 醇进入第一抗蚀剂图案402的侧表面上的中间曝光区域403，并且金属通过中间曝光区域403中的醇渗透（图8（b））。 首先形成在中间曝光区域403中，金属渗透的内侧，并除去未曝光的区域404都没有，而在抗蚀剂图案402的晶片（W）（406）在所述第二抗蚀剂图案 （图8（c））。 使用第二抗蚀剂图案406作为掩模来蚀刻目标膜400，以在牺牲膜400上形成预定图案408（图8（d））。

公开(公告)号：KR101716926B1

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：KR1020130091310

申请日：2013-08-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이와오후미코 ,  시무라사토루 ,  요시하라고오스케

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/02104 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708

Abstract: 본발명의과제는기판의주연부로의하드마스크의부착을방지하고, 하드마스크의도포를쉽게행할수 있도록한 도포처리방법및 도포처리장치를제공하는것이다. 웨이퍼(W)의표면에하드마스크액(H)을도포하여하드마스크막(HM)을형성하는도포처리에있어서, 연직축주위로회전하는웨이퍼의표면주연부에마스킹노즐(54)로부터마스킹액(PR)을공급하여웨이퍼주연부에마스킹막(M)을형성한후, 웨이퍼의표면에하드마스크노즐(50)로부터하드마스크액(H)을공급하여웨이퍼표면에하드마스크막(HM)을형성하고, 그후, 하드마스크막제거노즐로부터웨이퍼의주연부에형성되어있는하드마스크막에하드마스크막제거액을공급하여웨이퍼의주연부의하드마스크막을제거하고, 그후, 마스킹막제거노즐(55)로부터마스킹막제거액(D)을공급하여웨이퍼주연부의마스킹막을제거한다.

Abstract translation: 在本发明中，将掩模溶液供给到在垂直轴上旋转的基板的前表面的边缘部分，以在基板的边缘部分形成掩模膜，将硬掩模溶液供给到 在基板的正面上形成硬掩模膜的基板，将硬膜掩模膜溶解的硬掩模膜去除溶液供给到形成在基板的边缘部分的硬掩模膜，以除去形成在该基板上的硬掩模膜 将基板的边缘部分和溶解掩模膜的掩模膜去除溶液供应到掩模膜以去除基板边缘部分处的掩模膜。

公开(公告)号：KR1020140018129A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：KR1020130091310

申请日：2013-08-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이와오후미코 ,  시무라사토루 ,  요시하라고오스케

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/02104 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/302

Abstract: The purpose of the present invention is to provide a coating treatment method and a coating treatment device, capable of preventing a hard mask from being attached to the edge of a substrate and allowing a user to easily coat the hard mask. A hard mask liquid (H) is coated on the surface of a wafer (W), and a hard mask film (HM) is formed in a coating treatment. A masking liquid (PR) is supplied from a masking nozzle (54) to the edge on the surface of the wafer rotating around a vertical axis, and the masking film (M) is formed on the edge of the wafer. The hard masking liquid (H) is supplied from a hard mask nozzle (50) on the surface of the wafer so that the hard mask film (HM) is formed on the surface of the wafer. After then, a hard mask film removal liquid is supplied from the hard mask film removal nozzle to the hard mask film formed on the edge of the wafer so that the hard mask film on the edge of the wafer is removed. A masking film removing liquid (D) is supplied from a masking film removing nozzle (55) so that the masking film on the edge of the wafer is removed.

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种涂层处理方法和涂覆处理装置，其能够防止将硬掩模附着到基板的边缘并允许使用者容易地涂覆硬掩模。 在晶片（W）的表面上涂覆硬掩模液（H），在涂布处理中形成硬掩模膜（HM）。 掩模液（PR）从掩模喷嘴（54）供给到围绕垂直轴旋转的晶片表面上的边缘，并且掩模膜（M）形成在晶片的边缘上。 硬掩模液体（H）由晶片表面上的硬掩模喷嘴（50）提供，从而在晶片的表面上形成硬掩模膜（HM）。 然后，将硬掩模膜去除液从硬掩模膜去除喷嘴供给到形成在晶片边缘上的硬掩模膜，从而去除晶片边缘上的硬掩模膜。 从掩模去膜喷嘴（55）供给掩模去膜液（D），从而去除晶片边缘上的掩模膜。

公开(公告)号：KR1020150124950A

公开(公告)日：2015-11-06

申请号：KR1020157022381

申请日：2014-01-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시무라사토루 ,  이와오후미코 ,  요시하라고오스케

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/02348 ,  B05C9/12 ,  B05C9/14 ,  B05C11/08 ,  B05C11/1015 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/6719 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L22/26

Abstract: 본발명은, 표면에패턴이형성된기판상에유기막을형성하는것으로, 기판상에유기재료를도포하고, 그후, 이유기재료를열처리하여기판상에유기막을형성하고, 그후, 이유기막에대해자외선조사처리를행하여, 당해유기막의표면을소정의깊이까지제거하도록하여, 기판상에유기막을적절하고또한효율적으로형성한다.

公开(公告)号：KR1020140109816A

公开(公告)日：2014-09-16

申请号：KR1020140023473

申请日：2014-02-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이와오후미코 ,  시무라사토루

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/405 ,  H01L21/0274

Abstract: The objective of the present invention is to properly or efficiently form a photoresist pattern on a substrate. A first resist pattern (402) is formed on the wafer (W) [(a) of fig 8], by performing a photolithography process on a wafer (W). Alcohol is injected to the middle exposure region (403) of the side of the first resist pattern (402). Also, a metal is eroded by the alcohol in the middle exposure region (403) [(b) of fig 8]. A second resist pattern (406) is formed on the wafer (W) [(c) of fig 8], by removing a non-exposure region (404) which is the inside of the middle exposure region (403) in the first resist pattern (402) and has a metal to be not eroded. A preset pattern (408) is formed in an object layer (400) [(d) of fig 8], by performing an etching process on the object layer (400) by using the second resist pattern (406) as a mask.

Abstract translation: 本发明的目的是在衬底上正确或有效地形成光致抗蚀剂图案。 通过在晶片（W）上进行光刻工艺，在晶片（W）上形成第一抗蚀剂图案（402）（图8的（a））。 将醇注入第一抗蚀剂图案（402）侧的中间曝光区域（403）。 此外，在图8的中间曝光区域（403）[（b）]中，金属被腐蚀。 通过去除作为第一抗蚀剂中的中间曝光区域（403）的内部的非曝光区域（404），在图8的（...）晶片（W）上形成第二抗蚀图案（406） 图案（402）并且具有不被腐蚀的金属。 通过使用第二抗蚀剂图案（406）作为掩模，通过对对象层（400）进行蚀刻处理，在图8的（d）的对象层（400）中形成预设图案（408）。