公开(公告)号：KR100915645B1

公开(公告)日：2009-09-04

申请号：KR1020047001485

申请日：2002-08-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아마이마사루 ,  오리다케히코

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67248 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708

Abstract: A substrate processing apparatus and a substrate processing method are provided wherein an oxide film which is thinner than the conventional films can be formed with uniform thickness when forming an oxide film on the front-side surface of a substrate. A substrate processing apparatus ( 12 ) for processing a substrate (W) by feeding a processing liquid comprises: a temperature regulator ( 133 ) to regulate the temperature of said processing liquid; and a underplate temperature adjuster ( 115 ) to adjust the temperature of an underplate ( 77 ) which is placed in proximity to the backside surface of said substrate W.

公开(公告)号：KR1020040028964A

公开(公告)日：2004-04-03

申请号：KR1020047001485

申请日：2002-08-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아마이마사루 ,  오리다케히코

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67248 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708

Abstract: 기판의 표면에 산화막을 형성할 때, 종래의 것보다도 얇은 산화막을, 균일한 막 두께로 형성할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공한다.
기판(W)에 처리액을 공급하여 처리하는 기판 처리 장치(12)에 있어서, 상기 처리액의 온도를 조정하는 온도 조정 수단(133)과, 상기 기판(W)의 이면에 근접하여 배치되는 언더 플레이트(77)의 온도를 조절하는 온도 조절 기구(115)를 구비했다.

Abstract translation: 提供一种基板处理装置和基板处理方法，其中当在基板的正面上形成氧化物膜时，可以以均匀厚度形成比常规膜更薄的氧化物膜。 一种用于通过供给处理液来处理基板（W）的基板处理设备（12），包括：温度调节器（133），用于调节所述处理液的温度; 和底板温度调节器（115），以调节放置在所述基板W的背面附近的底板（77）的温度。