公开(公告)号：KR101724766B1

公开(公告)日：2017-04-07

申请号：KR1020120006250

申请日：2012-01-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다찌바나고오조오 ,  오오쯔까다까히사 ,  니시야아끼라

IPC: H01L21/027

CPC classification number: B05D1/005 ,  G03F7/162 ,  H01L21/6715

Abstract: 본발명의과제는, 도포막을기판의면내에균일하게형성할수 있는기술을제공하는것이다. 기판의표면에노즐로부터기판의중심부에도포막을형성하기위한도포액을공급하는동시에, 제1 회전속도로기판을회전시켜, 도포액을기판의주연부로원심력에의해확산시키고, 이어서, 상기도포액의공급을계속한채, 당해기판의중심부측의액막을주연부측의액막에비해융기시켜, 액저류부를형성하기위해, 상기제1 회전속도보다도작은제2 회전속도로기판을회전시킨상태에서도포액의공급위치를기판의중심위치로부터상기편심위치를향해이동시키고, 이어서, 액저류부의두께를크게하여, 노즐의액 끊김시에당해액 저류부에떨어지는액적을융합시키기위해, 기판의회전속도를상기제2 회전속도보다도작은제3 회전속도로감속시킨상태에서, 노즐로부터상기편심위치로의도포액의공급을정지한다.

公开(公告)号：KR1020100127183A

公开(公告)日：2010-12-03

申请号：KR1020100047811

申请日：2010-05-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오오쯔까다까히사

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70341 ,  G03F7/40 ,  G03F7/70466 ,  H01L21/0274 ,  G03F7/70608

Abstract: PURPOSE: A resist coating processing method and a resist pattern manufacturing method thereof are provided to improve the thickness uniformity of a resist layer by forming the resist layer after coating the resist layer by a second patterning process during a double pattering process. CONSTITUTION: An etched layer(102) is formed on a semiconductor substrate(101). A BARC(Bottom Anti-Reflecting Coating)(103) is formed on the etched layer. A resist layer(104) is formed by coating a resist on the substrate. A resist pattern(104a) is formed by executing an exposure and development process on the resist layer. A protection layer(105) is formed by alkalizing the surface of the resist pattern.

Abstract translation: 目的：提供抗蚀剂涂布处理方法及其抗蚀剂图案制造方法，以通过在双重图案化处理期间通过第二图案化工艺涂布抗蚀剂层之后形成抗蚀剂层来改善抗蚀剂层的厚度均匀性。 构成：在半导体衬底（101）上形成蚀刻层（102）。 在蚀刻层上形成BARC（底部防反射涂层）（103）。 通过在基板上涂布抗蚀剂来形成抗蚀剂层（104）。 通过对抗蚀剂层进行曝光和显影处理来形成抗蚀剂图案（104a）。 通过使抗蚀剂图案的表面碱化而形成保护层（105）。

公开(公告)号：KR101443946B1

公开(公告)日：2014-09-23

申请号：KR1020100047811

申请日：2010-05-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오오쯔까다까히사

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70341 ,  G03F7/40 ,  G03F7/70466

Abstract: 본 발명의 과제는 더블 패터닝의 2회째의 패터닝 처리로 레지스트를 도포하여 형성하는 레지스트막의 막 두께의 기판 면 내에서의 불균일성을 저감시킬 수 있는 레지스트 도포 처리 방법을 제공하는 것이다.
소정의 피치로 배열한 제1 레지스트 패턴(104a)의 각각의 스페이스에 추가 레지스트 패턴(107b)을 추가함으로써 제2 레지스트 패턴을 형성하기 위해, 제1 레지스트 패턴(104a)이 형성된 기판 상에 추가 레지스트 패턴으로 되는 레지스트(106, 107)를 도포 처리하는 레지스트 도포 처리 방법이며, 기판 상에 제1 레지스트 패턴(104a)의 단차(H1)보다도 작은 막 두께(H2)의 레지스트(PR)를 도포 처리하는 도포 처리 스텝과, 도포한 레지스트(PR)를 열처리하는 열처리 스텝을 포함한다. 도포 처리 스텝과 열처리 스텝을 교대로 복수회 반복하여, 제1 레지스트 패턴(104a)의 단차(H1)를 레지스트(PR)로 메운다.

公开(公告)号：KR1020120084683A

公开(公告)日：2012-07-30

申请号：KR1020120006250

申请日：2012-01-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다찌바나고오조오 ,  오오쯔까다까히사 ,  니시야아끼라

IPC: H01L21/027

CPC classification number: B05D1/005 ,  G03F7/162 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/0274

Abstract: PURPOSE: A coating processing apparatus, a coating processing method, and a storage medium are provided to uniformly form a coating film on a substrate by preventing droplets falling from a nozzle from being deformed as well as easily blended in a droplet reservoir. CONSTITUTION: A coating solution(R) is spread to a peripheral part of a substrate(W) by not only providing the coating solution to a surface of the substrate but also rotating the substrate at first rotation speed. A coating solution supply position moves from a center position of the substrate to an eccentric position while the substrate is rotated at second rotation speed in order to form a droplet reservoir(41) by providing droplets and making a droplet film in the center higher than that in the peripheral part of the substrate. The supply of the coating solution is stopped to the eccentric position from a nozzle(21) in a state the rotation speed reduces at a third rotation speed in order to blend the droplets falling to the droplet reservoir when droplet supply is stopped by making a thick droplet reservoir.

Abstract translation: 目的：提供涂布处理装置，涂布处理方法和存储介质，以通过防止从喷嘴掉落的液滴变形以及容易地混合在液滴储存器中，在基板上均匀地形成涂膜。 构成：通过不仅将涂布溶液提供到基板的表面，而且以第一转速旋转基板，将涂布液（R）扩散到基板（W）的周边部分。 涂料溶液供应位置从基板的中心位置移动到偏心位置，同时基板以第二转速旋转，以便通过提供液滴形成液滴储存器（41）并使中心处的液滴膜高于 在基板的周边部分。 在旋转速度以第三转速降低的状态下，涂料溶液的供应从喷嘴（21）停止到偏心位置，以便当液滴供应被停止时，通过使厚度 液滴储存器

公开(公告)号：KR101070520B1

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：KR1020070061944

申请日：2007-06-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오오쯔까다까히사 ,  시바따쯔요시

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67742 ,  G03F7/168 ,  G03F7/26 ,  G03F7/40 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67748

Abstract: 기판처리방법은, 도포막이형성된기판에대해, 상기도포막을가열경화시키는열 처리를행한다. 우선, 상기도포막의소정성분의분포를조정하기위해상기도포막이형성된상기기판을상기도포막이가열경화되는하한온도보다도낮은예비온도로유지한다. 다음에, 상기소정성분의분포를조정한후의상기기판을, 상기하한온도이상의온도로열 처리한다.

公开(公告)号：KR1020070122390A

公开(公告)日：2007-12-31

申请号：KR1020070061944

申请日：2007-06-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오오쯔까다까히사 ,  시바따쯔요시

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67742 ,  G03F7/168 ,  G03F7/26 ,  G03F7/40 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/0274 ,  G03F1/60 ,  G03F7/202

Abstract: A substrate process method is provided to control a variation in a line width in a substrate after a coating layer is heated and hardened by including a computer readable memory medium. A substrate(W) having a coating layer(150) is maintained at a preliminary temperature lower than a lowest limit temperature at which the coating layer is heated and hardened so as to adjust the distribution of a predetermined component(151) of the coating layer. A heat treatment is performed on the substrate at a temperature higher than the lowest limit temperature. The temperature higher than the lowest limit temperature can be a temperature at which the coating layer is hardened or crosslinked.

Abstract translation: 提供了一种基板处理方法，用于通过包括计算机可读存储介质来加热和硬化涂层之后，控制基板中线宽的变化。 将具有被覆层（150）的基板（W）保持在比被覆层被加热硬化的最低极限温度以下的预备温度，调整涂布层的规定成分（151）的分布 。 在高于最低极限温度的温度下对基板进行热处理。 高于最低温度的温度可以是涂层硬化或交联的温度。