公开(公告)号：KR100966390B1

公开(公告)日：2010-06-28

申请号：KR1020090065271

申请日：2009-07-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마자와요헤이 ,  오오카와요시히토

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L22/26

Abstract: 피처리체의 에칭 깊이를 검출하는 방법은, 에칭 섹션에서 에칭되는 피처리체의 에칭층을 파장이 서로 다른 다수의 성분을 갖는 광으로 조사하는 단계와, 파장이 서로 다른 성분으로 이루어지며, 에칭층의 상부면 및 에칭 섹션의 표면으로부터 반사된 광 성분에 의해 주기적으로 변하는 강도를 갖는 다수의 간섭 광 성분을 검출하는 단계와, 이들 간섭 광 성분에 주파수 해석을 적용하여 강도가 진폭을 형성하는 이들 간섭 파형들 각각의 주파수를 획득하는 단계와, 간섭 파형의 주파수를 이용하여 각각의 간섭 파형에 대응하는 에칭 속도를 계산하는 단계와, 상기 에칭 속도로부터 에칭 깊이를 획득하는 단계를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020090084801A

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：KR1020090065271

申请日：2009-07-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마자와요헤이 ,  오오카와요시히토

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L22/26

Abstract: An etching monitor unit, an etching device and an etching depth detecting method are provided to detect the etching depth by suppressing the influence of the distortion even in case the distortion of the interfering wave is in phase. An etching monitor unit(20) monitors the etching depth using the reflection light. A light source(21) irradiates the light to the processed article. An optical detector(25) detects the coherent light which is changed by the reflection light from the upper side or the surface of the etched layer. A control device(28) comprises the frequency analysis unit, an etching rate production unit and an etching depth production unit. The frequency analysis unit(26A) calculates the frequency of the interfering waveform. The etching rate production unit(26B) produces the etching rate using the frequency of the interfering waveform. The etching depth production unit(26C) calculates the etching depth from the etching rate.

Abstract translation: 提供蚀刻监测单元，蚀刻装置和蚀刻深度检测方法，以便即使在干涉波的失真相位相同的情况下也可以通过抑制失真的影响来检测蚀刻深度。 蚀刻监测单元（20）使用反射光监测蚀刻深度。 光源（21）将光照射到处理物品上。 光检测器（25）检测由来自蚀刻层的上侧或表面的反射光改变的相干光。 控制装置（28）包括频率分析单元，蚀刻速率生成单元和蚀刻深度生成单元。 频率分析单元（26A）计算干扰波形的频率。 蚀刻速率产生单元（26B）使用干扰波形的频率产生蚀刻速率。 蚀刻深度生成单元（26C）根据蚀刻速率计算蚀刻深度。

公开(公告)号：KR100966391B1

公开(公告)日：2010-06-28

申请号：KR1020010003816

申请日：2001-01-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마자와요헤이 ,  오오카와요시히토

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L22/26

Abstract: 피처리체의 에칭 깊이를 검출하는 방법은, 에칭 섹션에서 에칭되는 피처리체의 에칭층을 파장이 서로 다른 다수의 성분을 갖는 광으로 조사하는 단계와, 파장이 서로 다른 성분으로 이루어지며, 에칭층의 상부면 및 에칭 섹션의 표면으로부터 반사된 광 성분에 의해 주기적으로 변하는 강도를 갖는 다수의 간섭 광 성분을 검출하는 단계와, 이들 간섭 광 성분에 주파수 해석을 적용하여 강도가 진폭을 형성하는 이들 간섭 파형들 각각의 주파수를 획득하는 단계와, 간섭 파형의 주파수를 이용하여 각각의 간섭 파형에 대응하는 에칭 속도를 계산하는 단계와, 상기 에칭 속도로부터 에칭 깊이를 획득하는 단계를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020010078097A

公开(公告)日：2001-08-20

申请号：KR1020010003816

申请日：2001-01-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마자와요헤이 ,  오오카와요시히토

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L22/26

Abstract: PURPOSE: To solve the problem, where in the conventional method etching depth used to be detected by means of frequency analysis, etc., by obtaining an interference waveform using monochromatic light such as a laser beam, in the case of this interference waveform, a cyclic distortion at a specific phase cannot be avoided and the etching speed at the distorted part cyclically deviates to a great extent, so that etching depth cannot be measured or monitored accurately. CONSTITUTION: In the method of detecting etching depth based on the present invention, three kinds of interference lights L1, L2 and L3, having different waveforms reflected from the upper surface of surface E to be etched and surface E' to be etched on a semiconductor wafer W, are detected, and then frequency analysis of each frequency is performed to obtain frequencies ω1 (t), ω2 (t) and ω3 of respective interference waveforms. Then, etching speed suitable for each interference frequency is calculated based on these frequencies, and the calculated etching speed is obtained as E1 (t), E2 (t) and E3. Subsequently, deviation of the etching speed calculated, based on the distortion of any of the interference waveforms, is averaged by the calculated etching speed of another distortionless waveform, and then the averaged etching speed Eave is integrated to calculated etching depth σ.

Abstract translation: 目的：为了解决这个问题，通过使用频率分析等来检测传统方法的蚀刻深度，通过使用诸如激光束的单色光获得干涉波，在这种干涉波形的情况下， 不能避免在特定相位的循环失真，并且畸变部分的蚀刻速度循环地偏离很大程度，使得不能精确地测量或监测蚀刻深度。 构成：在本发明的检测蚀刻深度的方法中，具有从被蚀刻面E的上表面反射的不同波形的三种干涉光L1，L2，L3在半导体上被蚀刻的面E' 晶片W，然后进行各频率的频率分析，得到各干扰波形的频率ω1（t），ω2（t），ω3。 然后，根据这些频率计算适合于各干扰频率的蚀刻速度，求出计算出的蚀刻速度为E1（t），E2（t），E3。 随后，通过计算出的另一个无失真波形的蚀刻速度对基于任何干涉波形的失真计算出的蚀刻速度的偏差进行平均，然后将平均蚀刻速度Eave积分到计算出的蚀刻深度σ。