公开(公告)号：KR102031198B1

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：KR1020120022342

申请日：2012-03-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마자와요헤이

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

公开(公告)号：KR102012225B1

公开(公告)日：2019-08-20

申请号：KR1020180158204

申请日：2018-12-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마자와요헤이

IPC: H01J37/32

公开(公告)号：KR101873485B1

公开(公告)日：2018-07-02

申请号：KR1020170129203

申请日：2017-10-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마자와요헤이

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H05H1/46 ,  H05H2001/4667 ,  H05H2001/4682

Abstract: 유도결합형의플라즈마처리에서챔버내에서생성되는도너츠형상플라즈마내의플라즈마밀도분포, 나아가서는기판상의플라즈마밀도분포를다양또한세밀하게제어한다. 이유도결합형플라즈마처리장치에서는, 유전체창(52) 상에설치되는 RF 안테나(54)가직경방향으로내측코일(58), 중간코일(60) 및외측코일(62)로분할되어있다. 고주파전원(72)으로부터 RF 급전라인(68), RF 안테나(54) 및어스라인(70)을통하여접지전위부재까지일주할경우, 보다단적으로는제 1 노드(N)로부터제 2 노드(N)까지각 코일의고주파분기전송로를일주할경우에, 내측코일(58)을통과할때의방향과외측코일(62)을통과할때의방향이주회(周回) 방향에서반대가된다. 제 1 및제 2 노드(N, N)의사이에서내측코일(58) 및외측코일(62) 중어느일방에는콘덴서(88)가전기적으로직렬접속된다.

公开(公告)号：KR101755686B1

公开(公告)日：2017-07-07

申请号：KR1020110024078

申请日：2011-03-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마자와요헤이

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H01J37/32 ,  H05H1/46 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01J37/321 ,  H01J37/32174

Abstract: 플라즈마처리장치는적어도일부가유전체창으로이루어지는진공배기가능한처리용기와, 상기처리용기내에서피처리기판을유지하는기판유지부와, 상기처리용기내에원하는처리가스를공급하는처리가스공급부와, 병렬연장하는제 1 및제 2 코일세그먼트를포함한다. 또한, 상기플라즈마처리장치는상기유전체창의밖에마련되는 RF 안테나와, 고주파전력을상기 RF 안테나에공급하는고주파급전부와, 상기 RF 안테나내에서, 병렬모드와, 체배형직렬모드와, 상쇄형직렬모드의사이에서전환가능한스위치회로망을포함한다.

Abstract translation: 和等离子体处理值至少处理能够真空由一个介电窗，排气容器，衬底在处理容器保持的Surfynol基片保持部，和处理气体供给用于在上述处理容器所需的供给处理气体，平行延伸的部分 第一和第二线圈段。 等离子体处理装置还可以包括：设置在介电窗外部的RF天线;用于向RF天线提供高频功率的高频电源;以及并联模式，筛式串行模式， 还有一个可以在医生身边切换的开关网络。

公开(公告)号：KR101739592B1

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：KR1020100105149

申请日：2010-10-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마자와요헤이 ,  덴포가즈키 ,  야마와쿠준

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/3211 ,  C23C16/505 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3244

Abstract: 본발명은유도결합형의플라즈마처리장치에있어서방위각방향에있어서의플라즈마밀도분포의균일성을개선하기위한것이다. 본발명의유도결합형플라즈마에칭장치는 RF 안테나(54)에근접하는유전체창(52)의아래에서유도결합의플라즈마를도넛형상으로생성하고, 이도넛형상의플라즈마를넓은처리공간내에서분산시켜, 서셉터(12) 근방(즉, 반도체웨이퍼 W상)에서플라즈마의밀도를평균화하도록하고있다. RF 안테나(54)는코일직경이다른복수의단권코일(54(1), 54(2), 54(3))을갖고있다. 각코일(54(1), 54(2), 54(3))의고주파급전포인트는매우작은잘림부를사이에두고마련되어있다.

公开(公告)号：KR1020170038182A

公开(公告)日：2017-04-06

申请号：KR1020170037590

申请日：2017-03-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마자와요헤이 ,  고시미즈치시오 ,  사이토마사시 ,  덴포가즈키 ,  야마와쿠준

IPC: H01J37/32 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/321 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32174 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4667

Abstract: 유도결합형의플라즈마프로세스에있어서간이한보정코일을이용하여플라즈마밀도분포를자유롭고또한정밀하게제어하는것이다. 이유도결합형플라즈마처리장치는 RF 안테나(54)에근접하는유전체창(52)의아래에서유도결합의플라즈마를도넛형상으로생성하고, 이도넛형상의플라즈마를넓은처리공간내에서분산시켜, 서셉터(12) 근방(즉, 반도체웨이퍼 W상)에서플라즈마의밀도를평균화하도록하고있다. 그리고, 서셉터(12) 근방의플라즈마밀도분포를직경방향에서균일화하고, 또한 RF 안테나(54)가발생하는 RF 자계에대해보정링(70)에의해전자계적인보정을거는동시에, 프로세스조건에따라스위칭기구(110)에의해보정코일(70)의통전듀티비를가변하도록하고있다.

公开(公告)号：KR101687566B1

公开(公告)日：2016-12-19

申请号：KR1020100117013

申请日：2010-11-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마자와요헤이 ,  마츠모토나오키 ,  이와사키마사히데 ,  오쿠니시나오히코

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32174 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32522 ,  H05H1/46

Abstract: 처리용기내의고주파전극그 외의전기적부재로부터급전라인또는신호선등의선로상에들어오는고주파노이즈에대하여병렬공진주파수를임의로조정할수 있도록하여, 상이한주파수의고주파노이즈를모두효율적으로안정되고확실하게차단한다. 필터(102(1))는, 통형상의외도체(110) 내에코일(104(1))을동축에수용하고, 코일(104(1))과외도체(110) 간에링 부재(122)를동축에설치한다. 링부재(122)는, 바람직하게는외도체(110)의축방향과직교하는평면상에원환형상으로연장되는판체로서구성되고, 바람직하게는구리, 알루미늄등의도체로이루어지고, 외도체(110)에전기적으로접속되고코일(104(1))과는전기적으로절연되어있다.

Abstract translation: 可以调节并联谐振频率，以便稳定且可靠地阻止流入来自包括处理室内的高频电极的电气部件的馈电线或信号线的线路的不同高频噪声。 过滤器102（1）在圆柱形外部导体110内同轴地容纳线圈104（1），并且环形构件122同轴地安装在线圈104（1）和外部导体110之间。环形构件122可以是 在与外导体110的轴向正交的平面上并且由诸如铜或铝的导体制成并且与外导体110电连接并且与线圈104（1）电绝缘的平板体。

公开(公告)号：KR1020120032449A

公开(公告)日：2012-04-05

申请号：KR1020110098261

申请日：2011-09-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마자와요헤이

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/3211 ,  H05H2001/4667

Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus is provided to obtain the balance of magnetic forces between both coils by controlling the caliber of an external coil and an inner coil. CONSTITUTION: An RF antenna(54) is installed on a ceiling of a chamber or a dielectric window(52). The RF antenna is used to generate inductively coupled plasma inside the chamber. The RF antenna includes an inner coil(58) and an external coil(62) of a ring shape The inner coil is composed of a single circular coil segment(60). The external coil is composed of two semicircular shaped coil segments(64(1),64(2)) partitioned into a main rotation direction. Each coil segment is electrically connected to high frequency supply unit(66) in parallel.

Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置，通过控制外部线圈和内部线圈的口径来获得两个线圈之间的磁力的平衡。 构成：RF天线（54）安装在室或电介质窗（52）的天花板上。 RF天线用于在腔室内产生电感耦合等离子体。 RF天线包括内部线圈（58）和环形外部线圈（62）。内部线圈由单个圆形线圈段（60）组成。 外部线圈由划分成主旋转方向的两个半圆形线圈段（64（1），64（2））组成。 每个线圈段并联电连接到高频电源单元（66）。

公开(公告)号：KR1020110046353A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：KR1020100105158

申请日：2010-10-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마자와요헤이 ,  고시미즈치시오 ,  사이토마사시 ,  덴포가즈키 ,  야마와쿠준 ,  이이즈카하치시로

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/321 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31138 ,  H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31

Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus and plasma processing method are provided to freely and accurately control the plasma density distribution. CONSTITUTION: A conductive cylindrical supporting part(16) is extended to an upper part from the bottom of a chamber(10) along the outer circumference of the cylindrical supporting part(14). An exhaust duct is formed between the inner wall of the chamber. A circular baffle board(20) is attached to the upper part of the exhaust duct or an entrance. A exhaust port(22) is placed on the bottom part of the exhaust duct. A gate valve(28) opens and closes the entrance gate(27) of the semiconductor wafer.

Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置和等离子体处理方法来自由且精确地控制等离子体密度分布。 构成：导电圆柱形支撑部分（16）沿着圆柱形支撑部分（14）的外圆周从腔室（10）的底部延伸到上部。 在室的内壁之间形成排气管。 圆形挡板（20）安装在排气管的上部或入口处。 排气口（22）放置在排气管的底部。 闸阀（28）打开和关闭半导体晶片的入口门（27）。

公开(公告)号：KR1020100108303A

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：KR1020100027566

申请日：2010-03-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시미즈치시오 ,  야마자와요헤이

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32174 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32642 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  H01L21/302 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826

Abstract: PURPOSE: A plasma process apparatus and a plasma process method thereof are provided to improve the uniformity of etching property by freely controlling the temperature of the focus ring in the multi layer mask process. CONSTITUTION: A susceptor(12) mounting a semiconductor wafer(W) is positioned in a chamber(10). A exhausting duct(18) is formed between a supporting unit(16) and the inner wall of the chamber in ring shape. A discharging hole(20) is positioned on the floor of the exhausting duct. A gate valve(26) is attached on a side wall of the chamber.

Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置及其等离子体处理方法，以通过在多层掩模工艺中自由地控制聚焦环的温度来提高蚀刻性能的均匀性。 构成：安装半导体晶片（W）的基座（12）定位在室（10）中。 在支撑单元（16）和腔室的内壁之间形成排气管道（18），形成环形。 排放孔（20）位于排气管的地板上。 闸阀（26）安装在腔室的侧壁上。