公开(公告)号：KR1020110108287A

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：KR1020110026405

申请日：2011-03-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카가와아키라 ,  오카자키유스케 ,  하야카와요시노부

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/311 ,  H01J37/32 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H01L21/203 ,  H01L21/205 ,  H01L21/302 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H05H1/46

Abstract: 보잉 형상의 발생을 방지하여 마스크층에 양호한 수직 가공 형상의 홀을 형성하고, 또한 마스크층으로서의 잔막량을 확보할 수 있는 기판 처리 방법을 제공한다.
처리 대상층 위에 마스크층(52) 및 중간층(54)이 적층된 웨이퍼(W)를, 챔버(11)에 수용하고, 챔버(11) 내에서 처리 가스의 플라즈마를 발생시키며, 이 플라즈마를 이용하여 웨이퍼(W)에 에칭 처리를 실시하고, 중간층(54) 및 마스크층(52)을 개재시켜 처리 대상층에 패턴 형상을 형성하는 기판 처리 방법에 있어서, 처리 압력을 5 mTorr(9.31×10
-1 ㎩) 이하, 웨이퍼(W)의 온도를 -10℃∼-20℃로 하며, 또한 플라즈마를 발생시키기 위한 여기 전력을 500 W로 하여 마스크층(52)을 에칭한다.

公开(公告)号：KR101718170B1

公开(公告)日：2017-03-20

申请号：KR1020110026405

申请日：2011-03-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카가와아키라 ,  오카자키유스케 ,  하야카와요시노부

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/311 ,  H01J37/32 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31138

Abstract: 보잉형상의발생을방지하여마스크층에양호한수직가공형상의홀을형성하고, 또한마스크층으로서의잔막량을확보할수 있는기판처리방법을제공한다. 처리대상층위에마스크층(52) 및중간층(54)이적층된웨이퍼(W)를, 챔버(11)에수용하고, 챔버(11) 내에서처리가스의플라즈마를발생시키며, 이플라즈마를이용하여웨이퍼(W)에에칭처리를실시하고, 중간층(54) 및마스크층(52)을개재시켜처리대상층에패턴형상을형성하는기판처리방법에있어서, 처리압력을 5 mTorr(9.31×10㎩) 이하, 웨이퍼(W)의온도를 -10℃∼-20℃로하며, 또한플라즈마를발생시키기위한여기전력을 500 W로하여마스크층(52)을에칭한다.

Abstract translation: 本发明提供一种基板处理方法，其能够防止发生弯曲形状，从而在掩模层中形成具有良好垂直加工形状的孔，并且确保剩余膜的量作为掩模层。 将其上形成有掩模层52和中间层54的晶片W放置在处理目标层上的腔室11中，并且在腔室11中产生处理气体的等离子体， 在通过中间层（54）和掩模层（52）在处理目标层上形成图案形状的处理方法中，所述处理方法（9.31×10 5 Pa） 通过将晶片W的温度设定为-10℃至-20℃并且将产生等离子体的激发功率设定为500W来对掩模层52进行蚀刻。