公开(公告)号：KR1020160071321A

公开(公告)日：2016-06-21

申请号：KR1020150169100

申请日：2015-11-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우에다코세이 ,  하야카와요시노부

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/768 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/76804

Abstract: 원하는개구직경의홀을, 선단이좁아지는것을억제하면서, 실리콘질화물층에형성하는것이가능한플라즈마에칭방법을제공한다. 이플라즈마에칭방법은, 플라즈마처리장치내로산소및 플루오르카본을포함하는처리가스를공급하는제 1 공정과, 처리가스를플라즈마화하여, 피처리체의실리콘질화물층(106a)을, 제 1 마스크(106)를개재하여에칭하는제 2 공정을구비하고, 제 2 공정은, 피처리체의온도를, 제 1 온도(T1)(80℃)에서제 2 온도(T2)(40℃)까지서서히저하시킴으로써, 제 1 마스크(106)의개구의내벽에, 처리가스로부터생성된유기막(ad)을부착시킨상태에서실행한다.

Abstract translation: 本发明提供一种等离子体蚀刻方法，用于在防止前端狭窄的同时在氮化硅层中形成具有所需开口直径的孔。 等离子体蚀刻方法包括：向等离子体处理装置供给包括碳氟化合物和氧气的原料气体的第一工序; 以及通过使用原料气体通过第一掩模（106）蚀刻加工对象的氮化硅层（106a）来产生等离子体的第二工艺，其中第二工艺在附着有机膜（ad）的状态下进行， 通过将处理对象的温度从第一温度（T1）（80℃）逐渐降低到第二温度（T2）（40°），从原料气体生成到第一掩模（106）的开口的内壁上 C）。

公开(公告)号：KR1020150021475A

公开(公告)日：2015-03-02

申请号：KR1020140107884

申请日：2014-08-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오가사와라마사히로 ,  우라카와마사후미 ,  하야카와요시노부 ,  구보타가즈히로 ,  와타나베히카루

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01J37/32091 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/76802

Abstract: 일 측면에 있어서는, 실리콘 산화막을 에칭하는 방법이 제공된다. 이 방법은, 실리콘 산화막 및 상기 실리콘 산화막 상에 형성된 마스크를 갖는 피처리체를 처리 가스의 플라즈마에 노출시켜, 실리콘 산화막을 에칭하는 공정을 포함한다. 마스크는, 실리콘 산화막 상에 형성된 제1 막, 및 상기 제1 막 상에 형성된 제2 막을 포함하며, 플라즈마 중의 활성종에 대하여, 제2 막은 제1 막의 에칭 레이트보다 낮은 에칭 레이트를 갖는 막으로 이루어진다.

Abstract translation: 本发明提供一种蚀刻氧化硅膜的方法，其可以减少弓形变形。 该方法包括通过暴露具有氧化硅膜的待处理物体和形成在氧化物膜上的掩模来蚀刻氧化硅膜以处理气体等离子体的工艺。 掩模包括形成在氧化硅膜上的第一膜和形成在第一膜上的第二膜，其中第二膜在等离子体中相对于活性类型的蚀刻速率低于第一膜。

公开(公告)号：KR1020120024420A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：KR1020110079424

申请日：2011-08-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오가사와라마사히로 ,  가토요시유키 ,  미즈노히데키 ,  하야카와요시노부

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/30655 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32449 ,  H01J2237/3341

Abstract: PURPOSE: An etching device and a method for supplying etching gas are provided to stably control gas flow rate by controlling hunting of the gas flow rate generating when gas is changed. CONSTITUTION: First etching gas which is used for an etching process is provided within a treatment basin. Second etching gas used for the etching process is provided within the treatment basin. The flow rate of the second etching gas and the first etching gas is controlled by a gas flow rate control device. The change of the second etching gas and the first etching gas is processed by turns. A gas supply source supplies the second etching gas and the first etching gas to the treatment basin.

Abstract translation: 目的：提供蚀刻装置和提供蚀刻气体的方法，通过控制气体变化时产生的气体流量的波动来稳定地控制气体流量。 构成：在处理池内设置用于蚀刻处理的第一蚀刻气体。 用于蚀刻工艺的第二蚀刻气体设置在处理池内。 第二蚀刻气体和第一蚀刻气体的流量由气体流量控制装置控制。 第二蚀刻气体和第一蚀刻气体的变化被轮流处理。 气体供给源将第二蚀刻气体和第一蚀刻气体供给到处理池。

公开(公告)号：KR100926380B1

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：KR1020070030756

申请日：2007-03-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토나오키 ,  고시미즈치시오 ,  하야카와요시노부 ,  하나오카히데토시 ,  이와타마나부 ,  다나카사토시

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32174 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165

Abstract: 본 발명의 과제는 2주파 중첩 인가 방식의 용량 결합형에 있어서, 다른쪽의 대향 전극에 원하지 않는 막이 형성되는 것을 완전히 방지 내지 억제하면서, 플라즈마 밀도가 공간적인 분포 특성을 임의로 제어하는 것이다.
본 발명에 따르면, 하부 전극의 서셉터(16)에는 피처리 기판(W)이 탑재되고, 고주파 전원(30)으로부터 플라즈마 생성용의 제1 고주파가 인가되며, 고주파 전원(70)으로부터 이온인입용의 제2 고주파가 인가된다. 서셉터(16)의 위쪽에 이것과 평행하게 대향해서 배치되는 상부 전극(34)은 챔버(10)에 링형상의 절연체(35)를 거쳐서 부착되어 있다. 상부 전극(34)은 봉형상의 인덕터(54) 및 도선(56)을 거쳐서 접지 전위에(통상은 챔버(10)에) 접속되어 있다.

Abstract translation: 在本发明的目的是电容耦合型的双频率叠加应用方法，和完全防止，抑制不希望的膜形成在在另一侧的对置电极，任意地控制等离子体密度的空间分布特性。

公开(公告)号：KR101882718B1

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：KR1020110079424

申请日：2011-08-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오가사와라마사히로 ,  가토요시유키 ,  미즈노히데키 ,  하야카와요시노부

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/30655 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32449 ,  H01J2237/3341

Abstract: (과제) 간이한방법을이용하여, 가스의전환시에발생하는가스유량의헌팅(hunting)을억제해, 가스유량의안정된제어를행한다. (해결수단) 에칭가스의공급방법은, 에칭프로세스에사용되는제1 에칭가스를처리용기내에공급하는스텝과, 상기에칭프로세스에사용되는제2 에칭가스를상기처리용기내에공급하는스텝을포함하고, 상기제1 에칭가스및 상기제2 에칭가스의한쪽으로부터다른한쪽으로가스를전환할때, 전환전의에칭가스로서필요하며전환후의에칭가스로서필요하지않은가스를미소량만계속공급한다.

公开(公告)号：KR1020170018817A

公开(公告)日：2017-02-20

申请号：KR1020167031938

申请日：2015-06-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가키모토아키노부 ,  하야카와요시노부 ,  미즈나가사토시 ,  하마다야스히로 ,  오카다미츠히로

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32082 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/28 ,  H01L21/32136 ,  H05H1/46

Abstract: 불화탄소를포함하는가스를공급하고, 상기가스로부터플라즈마를생성하고, 기판상의실리콘함유막을, 상기실리콘함유막상의마스크를거쳐서플라즈마에의해에칭하는에칭장치와, 상기에칭장치와는상이한장치로서, 탄소를포함하는가스를공급하고, 상기에칭된실리콘함유막에카본함유막을성막하는성막장치를갖고, 상기에칭장치는, 상기실리콘함유막을도중까지플라즈마에의해에칭하는제 1 에칭공정과, 상기카본함유막이형성된상기실리콘함유막을플라즈마에의해더 에칭하는제 2 에칭공정을포함하는공정을실행하고, 상기성막장치는, 상기제 1 에칭공정후의실리콘함유막상에플라즈마를생성하지않고카본함유막을성막하는성막공정을실행하는기판처리시스템이제공된다.

Abstract translation: 提供了一种基板处理系统，其包括：蚀刻装置，其供给含有氟化碳的气体，从气体产生等离子体，并且通过使用掩模在等离子体上在含硅的物质上蚀刻基板上的含硅膜 电影; 以及与蚀刻装置不同的成膜装置，并且在蚀刻的含硅膜上提供含有碳的气体并形成含碳膜。 蚀刻装置执行包括用于通过等离子体中途蚀刻含硅膜的第一蚀刻步骤和通过等离子体进一步蚀刻其上形成含碳膜的含硅膜的第二蚀刻步骤的步骤 。 成膜装置进行成膜步骤，其中在第一蚀刻步骤之后，在含硅膜上形成含碳膜而不产生等离子体。

公开(公告)号：KR1020160033034A

公开(公告)日：2016-03-25

申请号：KR1020150126297

申请日：2015-09-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히라노타이치 ,  요시다겐 ,  사사키히코이치로 ,  야마다사토시 ,  하야카와요시노부 ,  이시바시준지 ,  구마가이후미토시

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01J37/32146 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32183 ,  H01J2237/04

Abstract: 플라즈마처리에이용되는고주파의파워를변조펄스의듀티비에따라하이레벨과로우레벨의사이에서교호로전환하는펄스변조방식을개선한다. 이플라즈마처리장치에서는, 예를들면플라즈마생성용의고주파에하이/로우의펄스변조를거는경우, 정합기내에서가중평균의가중치변수(K)를 0.5

Abstract translation: 改进了用于根据调制脉冲的占空比来在高电平和较低电平之间切换等离子体处理中使用的高频功率的脉冲调制方法。 根据等离子体处理装置，例如，在将高/低的脉冲调制应用于产生等离子体的高频的情况下，如果将匹配单位的加权平均值的权重变量（K）设定为满足0.5 < 即使在等离子体发生系统的高频馈电线路上的脉冲开启期间（T_（on）），也产生恒定功率（PR_H）的反射波，另一方面，功率（PR_L） 在脉冲关闭期间（T_（关闭））减小反射波。 通过调整K的值，可以随机地控制脉冲开启期间（T_（on））的反射波功率与脉冲关闭期间的反射波功率（T_（off））之间的平衡。

公开(公告)号：KR1020110108287A

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：KR1020110026405

申请日：2011-03-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카가와아키라 ,  오카자키유스케 ,  하야카와요시노부

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/311 ,  H01J37/32 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H01L21/203 ,  H01L21/205 ,  H01L21/302 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H05H1/46

Abstract: 보잉 형상의 발생을 방지하여 마스크층에 양호한 수직 가공 형상의 홀을 형성하고, 또한 마스크층으로서의 잔막량을 확보할 수 있는 기판 처리 방법을 제공한다.
처리 대상층 위에 마스크층(52) 및 중간층(54)이 적층된 웨이퍼(W)를, 챔버(11)에 수용하고, 챔버(11) 내에서 처리 가스의 플라즈마를 발생시키며, 이 플라즈마를 이용하여 웨이퍼(W)에 에칭 처리를 실시하고, 중간층(54) 및 마스크층(52)을 개재시켜 처리 대상층에 패턴 형상을 형성하는 기판 처리 방법에 있어서, 처리 압력을 5 mTorr(9.31×10
-1 ㎩) 이하, 웨이퍼(W)의 온도를 -10℃∼-20℃로 하며, 또한 플라즈마를 발생시키기 위한 여기 전력을 500 W로 하여 마스크층(52)을 에칭한다.

公开(公告)号：KR101718170B1

公开(公告)日：2017-03-20

申请号：KR1020110026405

申请日：2011-03-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카가와아키라 ,  오카자키유스케 ,  하야카와요시노부

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/311 ,  H01J37/32 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31138

Abstract: 보잉형상의발생을방지하여마스크층에양호한수직가공형상의홀을형성하고, 또한마스크층으로서의잔막량을확보할수 있는기판처리방법을제공한다. 처리대상층위에마스크층(52) 및중간층(54)이적층된웨이퍼(W)를, 챔버(11)에수용하고, 챔버(11) 내에서처리가스의플라즈마를발생시키며, 이플라즈마를이용하여웨이퍼(W)에에칭처리를실시하고, 중간층(54) 및마스크층(52)을개재시켜처리대상층에패턴형상을형성하는기판처리방법에있어서, 처리압력을 5 mTorr(9.31×10㎩) 이하, 웨이퍼(W)의온도를 -10℃∼-20℃로하며, 또한플라즈마를발생시키기위한여기전력을 500 W로하여마스크층(52)을에칭한다.

Abstract translation: 本发明提供一种基板处理方法，其能够防止发生弯曲形状，从而在掩模层中形成具有良好垂直加工形状的孔，并且确保剩余膜的量作为掩模层。 将其上形成有掩模层52和中间层54的晶片W放置在处理目标层上的腔室11中，并且在腔室11中产生处理气体的等离子体， 在通过中间层（54）和掩模层（52）在处理目标层上形成图案形状的处理方法中，所述处理方法（9.31×10 5 Pa） 通过将晶片W的温度设定为-10℃至-20℃并且将产生等离子体的激发功率设定为500W来对掩模层52进行蚀刻。

公开(公告)号：KR100924853B1

公开(公告)日：2009-11-02

申请号：KR1020080010337

申请日：2008-01-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 곤요시미츠 ,  하야카와요시노부

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31138 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32706 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144

Abstract: 본 발명은 유기막을 그 상층에 형성된 실리콘 함유막으로 이루어지는 마스크를 거쳐서 플라즈마 에칭할 때에, 유기막의 측벽 부분에 보잉이나 언더커트가 발생하는 것을 억제할 수 있어, 양호한 에칭형상을 얻을 수 있는 플라즈마 에칭 방법 등을 제공한다. 상기 에칭 방법에서는 패터닝한 SiON막(103)을 마스크로 하여 유기막(102)을 플라즈마 에칭하고, 개구(108)를 형성한다. 이 유기막(102)의 플라즈마 에칭에, 산소(O) 함유 가스와, 희가스와, 불화 탄소가스(CF계 가스)를 포함하는 혼합 가스로 이루어지는 처리 가스를 이용한다.