公开(公告)号：KR1020160002613A

公开(公告)日：2016-01-08

申请号：KR1020150178053

申请日：2015-12-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 무라까미히로끼 ,  와따나베요오스께 ,  하세베가즈히데

IPC: H01L21/321 ,  H01L21/02 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C16/45525

Abstract: 본발명은극박막상태이어도, 물리적인특성및 전기적인특성이우수한질화실리콘막을성막하는것이가능한질화실리콘막의성막방법을제공하는것이다. 피처리체의표면상에질화실리콘막을성막하는질화실리콘막의성막방법이며, 질화실리콘막을피처리체의표면상에성막하기전에, 적어도아미노실란계가스를사용하여, 피처리체의표면상에질화실리콘막의시드가되는시드층을형성한다(스텝 2 내지스텝 4).

Abstract translation: 本发明提供一种形成氮化硅膜的方法，其能够形成具有优异的物理和电学特征的氮化硅膜，尽管具有超薄膜状态。 形成氮化硅膜的方法是在被处理物的表面上形成氮化硅膜。 该方法包括在待处理物体的表面上形成氮化硅膜之前，至少使用氨基硅烷系气体，在被处理体的表面上形成作为氮化硅膜的种子的种子层（ 步骤2至步骤4）。

公开(公告)号：KR1020120070516A

公开(公告)日：2012-06-29

申请号：KR1020110138038

申请日：2011-12-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 무라까미히로끼 ,  와따나베요오스께 ,  하세베가즈히데

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C16/45525

Abstract: PURPOSE: A method and apparatus for forming a silicon nitride film are provided to reduce incubation time of a silicon nitride film by forming the silicon nitride film on a seed layer. CONSTITUTION: A processed object is carried into a process chamber(step 1). An aminosilane gas is introduced within the process chamber and silicon is adsorbed on the surface of the processed subject(step 2). A gas including ammonia is introduced into the process chamber and a seed layer is formed on the surface of the processed object on which the silicon is adsorbed(step 4). A deposition gas depositing silicon nitride is introduced into the process chamber and a silicon nitride film is formed on the seed layer(step 6).

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成氮化硅膜的方法和装置，以通过在种子层上形成氮化硅膜来减少氮化硅膜的孵育时间。 构成：处理物体被运送到处理室（步骤1）。 在处理室内引入氨基硅烷气体，硅被吸附在被处理物体的表面上（步骤2）。 将包括氨的气体引入处理室，并且在其上吸附有硅的被处理物体的表面上形成种子层（步骤4）。 将沉积氮化硅的沉积气体引入处理室中，并在种子层上形成氮化硅膜（步骤6）。