公开(公告)号：KR101458010B1

公开(公告)日：2014-11-04

申请号：KR1020110131586

申请日：2011-12-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와타나베마사히사 ,  오카다미츠히로

IPC: H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76227

Abstract: (과제) 트렌치의 미세화가 더욱 진전해도, 트렌치의 내부에, 팽창 가능한 막 및 산화 장벽이 되는 막을 형성하는 것이 가능한 트렌치의 매입 방법을 제공하는 것이다.
(해결 수단) 트렌치 내부에 산화 장벽막의 형성 공정(스텝 3), 산화 장벽막 상에 팽창 가능한 막의 형성 공정(스텝 4), 소성함으로써 수축하는 매입재로 트렌치를 매입하는 공정(스텝 5), 매입재의 소성 공정(스텝 6)을 포함하고, 스텝 3의 공정이, 아미노실란계 가스를 공급하여, 트렌치의 내부에 제1 시드층을 형성하는 공정(스텝 31), 제1 시드층 상에 질화 실리콘막을 형성하는 공정(스텝 32)을 포함하고, 스텝 4의 공정이, 아미노실란계 가스를 공급하여, 질화 실리콘막 상에 제2 시드층을 형성하는 공정(스텝 41)과, 제2 시드층 상에 실리콘막을 형성하는 공정(스텝 42)을 포함한다.

公开(公告)号：KR1020120074208A

公开(公告)日：2012-07-05

申请号：KR1020110131586

申请日：2011-12-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와타나베마사히사 ,  오카다미츠히로

IPC: H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76227

Abstract: PURPOSE: A trench embedding method and an apparatus for forming a film are provided to easily form an expandable film and an oxidization barrier film on a fine trench. CONSTITUTION: A pad oxide film(2) is formed by thermally oxidizing a surface of a silicon substrate(1). A silicon nitride film(3) is formed on the pad oxide film by depositing a silicon nitride. A photoresist film(4) is formed on the silicon nitride film by spreading photoresist. A trench(6) is formed on the silicon substrate using the photoresist film as a mask. An oxide film(7) is formed on a side wall of the trench using a radical oxidation method.

Abstract translation: 目的：提供沟槽嵌入方法和用于形成膜的装置，以容易地在细沟槽上形成可膨胀膜和氧化阻挡膜。 构成：通过热氧化硅衬底（1）的表面形成衬垫氧化膜（2）。 通过沉积氮化硅在衬垫氧化膜上形成氮化硅膜（3）。 光致抗蚀剂膜（4）通过涂布光致抗蚀剂形成在氮化硅膜上。 使用光致抗蚀剂膜作为掩模在硅衬底上形成沟槽（6）。 使用自由基氧化法在沟槽的侧壁上形成氧化膜（7）。